MỤC LỤC
Trang
Lời nói đầu 1
Chương 1: Vai trò chức năng các khối trong máy thu hình màu 2
1.1. Khối lệnh 2
1.2. Mạch khuếch đại trung tần chung 3
1.3. Khối xử lý tín hiệu màu 3
1.4. Khối mạch đèn hình 3
1.5. Khối xử lý tín hiệu độ sáng 4
1.6. Khối tách xung đồng bộ (Phân li đồng bộ) 4
1.7 Khối quét ngang 4
1.8. Khối quét dọc 5
1.9. Khối vi xử lý 5
1.10. Khối âm tần 6
1.11. Khối nguồn 6
1.12. Nhận xét: 6
Chương 2: Nguồn một chiều- phương pháp ổn áp trong dải hẹp 7
2.1. Các bộ nắn điện tạo điện áp một chiều 7
2.1.1. Nắn điện nửa chu kỳ 7
2.1.2. Nắn điện 2 nửa chu kỳ 8
2.1.3. Mạch nắn cầu 9
2.1.4. Mạch nắn bội áp 10
2.1.5. Mạch nắn điện nhân áp 11
2.2. Các bộ lọc nguồn. 12
2.2.1. Bộ lọc LC 12
2.2.2. Các bộ lọc RC 13
2.2.3. Bộ lọc bán dẫn 14
2.3. Các phương pháp ổn định điện áp 15
2.3.1. Nguồn ổn áp dùng linh kiện thụ động 15
2.3.3. Nguồn ổn áp dải hẹp dùng linh kiện tích cực 15
2.4. Nhận xét nguồn dải hẹp: 18
Chương 3: Nguyên lý nguồn ổn áp dải rộng 20
3.1. Cơ sở vật lý của nguồn ổn áp dải rộng (nguồn ngắt mở). 20
3.2. Xây dựng mô hình sơ đồ khối. 21
Chương 4: Nguyên lý các khối chức năng trong bộ nguồn ổn áp dải rộng 24
4.1. Mạch khử từ. 24
4.2. Mạch lọc nhiễu. 25
4.3. Mạch chuyển đổi phương thức chiỉnh lưu. 26
4.4. Xung và các mạch tạo xung. 29
4.4.1. Các tham số của xung. 29
4.4.2. Mạch chọn xung. 31
4.4.3. Họ đặc tuyến Von-Ampe của dụng cụ bán dẫn trong chế độ xung. 32
4.4.4. Mạch dao động đa hài. 34
4.4.5. Mạch tạo xung bằng dao động nghẹt 38
4.4.6. Mạch tạo xung điều rộng bằng các mạch tích hợp khác 42
4.5. Mạch điều chế xung 45
4.5.1. Điều chế biên độ xung (hình 4.26) 45
4.5.3. Điều chế độ rộng xung 47
4.6. Các mạch ngoại vi khác 49
4.6.1. Các mạch bảo vệ 49
4.6.2. Các mạch bảo vệ trong IC tổ hợp tạo xung đềi rộng 52
4.6.3. Mạch quản lý nguồn 53
4.6.4. Mạch điều khiển từ xa 54
57 trang |
Chia sẻ: maiphuongdc | Lượt xem: 2980 | Lượt tải: 3
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Báo cáo Thực tập Nguồn ổn áp dải rộng kiểu xung ngắt mở, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
chu kỳ âm của điện áp U2, C1 được nạp đến giá trị gần bằng giá trị đỉnh của U2 thông qua D1. Trong chu kỳ tiếp theo C2 cũng được nạp gần tới giá trị đỉnh của U2.
2.1.5. Mạch nắn điện nhân áp
Dùng trong các bộ tạo cao áp cho anốt đèn hình, lưới đèn hình và các điện áp cho đèn hiện sóng của các máy đo (hình 2.8)
Hình 2.8. Sơ đồ nguyên lý mạch nắn điện nhân áp
Trong mạch k là số tầng ghép; mạch cho dòng điện nhỏ cỡ 3á8 mA (Trong mạch nắn bộ áp hình 2.7 la trường hợp riêng của mạch nắn nhân áp với hệ số k=1).
Nói chung trong các mạch nắn nhan áp k 10. Khi mạch nắn nhan áp với k tầng thì U02k U2. Trong dó U0 là điện áp ra.
- Điện áp chịu đựng tụ thứ 1 được chọn
- Điện áp chịu đựng tụ thứ 2 được chọn
- Điện áp chịu đựng tụt thứ k được chọn U
2.2. Các bộ lọc nguồn.
Để có điện áp tương đối bằng phẳng ngoài điện dung tải C0 thường các mạch tạo một chiều được mắc thêm các bộ lọc. Để đặc trưng cho tính chất khâu lọc người ta dùng hệ số G: là tỷ số độ gợn sóng đầu vào khâu lọc trên độ gợn sóng đầu ra của khâu lọc.
2.2.1. Bộ lọc LC
Dùng trong bộ nguồn có công suât lớn, hiệu quả cao. Song kích thước lớn, không có tác dụng trong sự biến đổi chậm của dòng điện và bản thân cuộn chặn lại là nguồn can nhiễu hoặc gây nên nguồn quá độ trong thiết bị làm lệch chế độ công tác của thiết bị hình (2.9)
Hình 2.9. Mạch lọc bằng LC
Trong đó: DU0 là độ gợn sóng đầu vào của khâu lọc
DU là độ gợn sóng đầu ra của khâu lọc
w = 2ếf (f là tần số qua khâu lọc)
L là trị số điện cảm của cuộn chặn
C là điện dung của tụ tham gia hâu lọc
Vì điện trở một chiều của cuộn cảm nhỏ nên hiệu suất lọc cao, ít phụ thuộc vào tải.
Điện áp qua khâu lọc U = 0,8 U0
2.2.2. Các bộ lọc RC
Bộ lọc RC có hiệu suất thấp, tổn hao trên R lớn. Bộ lọc RC coi như một bộ lọc thông thấp. Hình 2.10
Hình 2.10. Mạch lọc băng RC
Hệ số gợn sóng G:
G = w.RC
Trong đó:
R: là điện trở của khâu lọc
C: là trị số điện dung của khâu lọc
w = 2pf (trong đó f là tần số qua khâu lọc)
Do vậy, G luôn tỉ lệ với f. Khi f là tần số hài bậc cao thì G tăng lên theo tần số hài và tần số hài được nén nhiều hơn mà tần số định lọc (f = 50Hz). Do tổn hao trên R lớn, do vậy ảnh hưởng đến dòng tải nên R thường chọn nhỏ, bù lại C được chọn lớn cỡ hàng trăm mF, để đạt được G theo yêu cầu.
U = U0 - I tải. R
2.2.3. Bộ lọc bán dẫn
Nhờ nội trở nhỏ hơn nên hiệu suất nắn lọc cao hơn so với mạch lọc R, C hoặc LC (hình 2.11)
Hình 2.11. Mạch lọc bằng Tranzisto
Cực C của Tranzsito mắc nối tiếp R1, chọn R1C1 sao cho dòng tải biến đổi nhanh nhưng dòng Ic không đổi. R2 thiết lập chế độ làm việc của Tranzisto. Tranzsito được chọn sao cho có dòng lớn ít nhất 2 lần dòng tải: ICmin ³ 2Itải.
Điện áp UCE trong mạch không vượt quá UCE cho phép đèn bán dẫn, công suất tiêu tán PCmax của đèn bán dẫn.
R1 chọn 80á100W
R2 chọn hàng chục KW
C1 ³ 0,5
m là số chu kỳ nắn, f là tần số trong mạch nắn điện
UC1 = 1,5I0R1, (I0 là dòng điện nắn)
2.3. Các phương pháp ổn định điện áp
2.3.1. Nguồn ổn áp dùng linh kiện thụ động
Tiêu biểu cho loại nguồn này là các máy biến áp có cộng hưởng bù của Liên Xô hoặc các máy biến áp quét chổi than. Các máy biến áp dùng cộng hưởng bù có điện áp đầu ra biến thiên 0.5% khi đầu vào biến thiên 2%-3%.
Hình 2.12. mô tả nguyên lý hoạt động của một bộ biến áp cộng hưởng tần số bù điện áp.
Hình 2.12. Sơ đồ nguyên lý ổn áp bằng cộng hưởng tần số
Nguyên lý hoạt động của bộ nguồn ổn áp đơn giản này là tụ C kết hợp với cuộn dây L1 tạo thành khung cộng hưởng có tần số gần tần số điện lưới thường dùng (cỡ 48 Hz). Khi điện áp xuống thấp tức tần số xuống dưới 48 Hz thì mạch cộng hưởng này có trở kháng thay đổi tự thích ứng với điện áp đầu vào. Điện trở R cỡ 1 MW á 2 MW để bảo vệ.
Bộ nguồn ổn áp này ít được dùng vì điện áp không phụ thuộc vào tần số nhiều nên hiệu quả kém ổn định tốc độ ổn áp chậm.
2.3.3. Nguồn ổn áp dải hẹp dùng linh kiện tích cực
Nguồn ổn áp dải hẹp dùng linh kiện tích cực trực tiếp biến đổi dòng một chiều do các bộ nắn tạo bằng biến áp hạ áp hay trực tiếp với các nguồn AC.
a. ổn áp bằng điốt Zênr (hình 2.13).
Uổn = UZ
ĐZ
R
U0
Hình 2.13: Mạch ổn áp dùng Điốt Zener và đặc tuyến Von ampe
Khi U0 vượt quá UZ của điốt thì dòng đánh thủng sẽ rất lớn, dòng này sẽ tạo ra sụt áp trên R sao cho Ura = U0 - Iz R = Uổn.
R là điện trở hạn chế.
b. Nguồn ổn áp bằng bán dẫn kiểu bù.
* Sơ đồ khối (hình 2.14).
Hình 2.14: Sơ đồi khối của mạch ổn áp dùng bán dẫn.
Phần tử điều khiển giống như một điện trở tăng giảm được nhờ điện áp điều khiển từ phần tử khuyếch đại đưa tới. Điện áp khuếch đại được lấy do sự so sánh mẫu điện áp chuẩn đưa về. Nếu điện áp lấy mẫu lớn hơn so với điện áp chuẩn: phần tử điều khiển tăng nội trở, điện áp đưa ra sẽ nhỏ đi. Nếu điện áp chuẩn: phần tử điều khiển tăng nội trở, điện áp đưa ra sẽ nhỏ đi. Nếu điện áp lấy mẫu nhỏ hơn so với điện áp chuẩn: phần tử điều khiển giảm nội trở để điện áp ra tăng lên đúng yêu cầu.
* Mạch ổn áp đơn giản.
Đơn giản nhất là các IC ổn áp nguồn họ 78: NZ7805, AN7812, LM7805, M7805 mà ruột của nó là các ổn áp bù (hình 2.15).
Hình 2.15: Mạch ổn áp đơn giản.
Điện áp lấy mẫu đưa vào điốt ổn áp B2x85 (5,6V) so sánh. T vừa khuếch đại vừa điều khiển.
* Mạch nguyên lý ổn áp dải hẹp kiểu bù (hình 2.16).
Hình 2.16: Nguyên lý mạch ổn áp kiểu bù bằng bán dẫn.
Điện áp lấy mẫu qua bộ phân áp R1, R2.
Điện áp chuẩn tại điốt Zener: U2 = Uchuẩn.
- Phần lấy mẫu: R3, R4, VR1. Điều chỉnh VR1 (điều chỉnh VR1 của T2).
- Phần tham chiếu: R10 phân áp cho điốt Zener có được điện áp mẫu UZ.
- Phần dò sai: R7, R6, R5, T2 khi nguồn bất ổn áp lấy mẫu thay đổi dẫn tới UC của T2 thay đổi, dẫn tới UC của T3 thay đổi (T3 đóng vai trò khuyếch đại) điều khiển UB của T1 dẫn tới T1 đóng mở cho đúng Ur = 105U. D1, R8, R9, C4 mắc song song với T2 giúp cho T2 ổn định hơn.
- Phần khuếch đại: R11, T13, R12.
- Phần bảo vệ:
D2 bảo vệ BE của T1 để UBE không vượt quá 0,7V.
D4 bảo vệ BE của T12 để UBE không vượt quá 0,7V.
Cầu chia R13, R14 hạ 140V xuống qua R15, D3.
Cầu chia R16 đang nối vào 105V vào qua D3. Khi chạm hoặc nặng tải D3 thông.
Bình thường thì T4 không làm việc khi D3 thông sẽ làm T4 rẽ dòng giúp T3, T1 ngắt bảo vệ T3, T1.
2.4. Nhận xét nguồn dải hẹp:
Nguồn ổn áp dải hẹp vừa trực tiếp ổn áp vừa tham gia vai trò lọc như một phần tử tích cực. Hệ thống bảo vệ bằng việc lấy mẫu điều khiển và bảo vệ tương đối hoàn hảo, nó đáp ứng được các nhu cầu trước đây của các thiết bị viễn thông. Linh kiện chế tạo không đòi hỏi khắt khe chính xác.
Song bên cạnh đó nguồn dải hẹp có những điểm không hợp lý:
- Về kích thước: cồng kềnh, phức tạp do toả nhiệt.
- Về công suất: Hiệu suất thấp vì tổn hao rất lớn.
Pth = ằ 25 á 30%.
Độ nhạy và độ ổn định kém do thời gian thích ứng chậm.
Do làm việc theo cách mắc nối tiếp không có mát cách ly nên nguy hiểm không an toàn. Khi nguồn vào đột ngột quá cao, mạch không làm việc kịp dẫn đến chập nguồn ổn áp gây nguy hiểm cho phần tử sau (tải).
Khi cần nhiều mức nguồn khác nhau thì nguồn ổn áp dải hẹp không đáp ứng được buộc phải chế tạo nhiều bộ ổn áp khác nhau. Ngày nay các bộ nguồn ổn áp dải hẹp chỉ còn được sử dụng ở những mạch yêu cầu công suất thấp, dòng nhỏ, với công nghệ đã được tổng hợp như các IC họ 78 hoặc STR…
Chương 3: Nguyên lý nguồn ổn áp dải rộng
Nguồn ổn áp dải rộng khắc phục được những khuyết điểm của nguồn ổn áp dải hẹp, cho ra nhiều mức điện áp ổn định khi điện áp đầu vào thay đổi lớn, đảm bảo chế độ công tác của các thiết bị điện tử. Nó được dùng hầu hết trong các bộ nguồn có công suất nhỏ và vừa phải trong các thiết bị điện tử ngày nay.
3.1. Cơ sở vật lý của nguồn ổn áp dải rộng (nguồn ngắt mở).
Khi biến áp được cấp điện một chiều qua khoá K như mạch vẽ (hình 3.1).
Hình 3.1: Sơ đồ nguyên lý của mạch ngắt mở
Khi đóng, mở khoá K: dòng điện chạy qua cuộn L, trong L xuất hiện một suất điện động cảm ứng. Suất điện động cảm ứng này cảm ứng qua vật liệu dẫn từ làm sáng đèn Đ1, Đ2. Kim đồng hồ V1, V2 đều chỉ thị.
Nhận xét:
- Nếu tăng nguồn B lên, đóng mở khoá K thì đèn Đ1, Đ2 sáng hơn V1, V2 chỉ lớn hơn. Nếu giảm B đi thì đèn tối hơn và kim vôn kế chỉ thấp hơn.
- Nếu giữ nguyên số vòng L, thay đổi vòng dây L1, L2 thì giá trị chỉ thị ở vôn kế cũng khác đi.
- Nếu đóng mở K càng nhanh thì Đ1, Đ2 càng sáng và V1, V2 chỉ lớn hơn.
- Nếu thay đổi vật liệu dẫn từ thì vật liệu dẫn từ sẽ có tác dụng phụ thuộc vào tần suất đóng mở K.
Tóm lại khi thực hiện thao tác trên thì kết quả cho ra trên mỗi vòng dây có giá trị điện áp:
U/vòng = 2PBSf = V/vòng
- m là độ từ thẩm của lõi biến áp.
- n là số vòng dây.
- S là tiết diện của lõi biến áp (cm2).
- f là tần suất đóng mở K
- d là đường kính của dây.
Như vậy nguồn một chiều do tác động của K tạo xung điện biến đổi thành các mức điện áp khác nhau.
3.2. Xây dựng mô hình sơ đồ khối.
Khoá K đóng mở với tần suất cao, do vậy nếu K là công tắc cơ khí thì không thể được. Do vậy mà K thường được thay bằng các dụng cụ bán dẫn: tranzito, MOSFET, JFET, tiristo…
Mô hình được vẽ lại như sau (hình 3.2).
Hình 3.2: Sơ đồ biểu diễn nguyên tắc làm việc của nguồn tắt mở
Để điều khiển K hay các bán dẫn bằng các xung ngắt mở tạo ra công suất theo yêu cầu, thì trước khi điều khiển K ta phải dùng bộ khuếch đại điều tiết các xung ngắt mở có đủ độ lớn: biên độ, tần số, độ rộng.
Để điều kiện K hay bán dẫn ta phải có các bộ tạo xung, các xung này có biên độ, tần số, độ rộng xung thích hợp. Các bộ tạo xung thực hiện bằng các mạch dao động.
Để ổn định và đồng bộ xung với toàn bộ thiết bị người ta thường lấy các xung từ dao động chuẩn thạch anh qua mạch vi phân, tích phân để tạo ra các xung, dùng các xung này điềukhiển bộ nguồn ngắt mở. Buộc bộ nguồn hoạt động đồng bộ với bộ thiết bị.
Để nâng cao tính an toàn cho bộ nguồn, phần bảo vệ được thiết kế với các tính năng bảo vệ quá dòng, bảo vệ quá áp, bảo vệ chập tải.
Để tiết kiệm năng lượng, nguồn được trang bị những bộ quản lý nguồn khi thiết bị điện tử ở trạng thái chờ không làm việc thì trong thời gian ngắn nhất định sẽ nhận lệnh từ vi xử lý tới để tự động cắt nguồn đưa máy về trạng thái chờ tín hiệu.
Để thuận tiện cho người sử dụng, nguồn sẽ được điều khiển từ xa… Như vậy nguồn ổn áp dải rộng về mặt sơ đồ khối sẽ có mô hình như hình 3.3. Mô hình sơ đồ khối của nguồn ổn áp dải rộng (nguồn ngắt/ mở).
Chống
nhiễu
Nắn lọc &
thích ứng U
Khoá K
điều khiển
U00
Chống
nhiễu
Khuếch
đại
Xung điều
chế
Sửa sai so
sánh
Dao động
f = f
dòng
Bảo vệ
nguồn
Điều khiển
từ xa
Quản lý
nguồn
U
i
U
0
V
sync
H
sync
Menu
CPU
Lấy
mẫu
U
i
U02
U01
Các mức nguồn
Xung từ biến áp dòng
AC
in
U
i
90
á
260V
Hình 3.3: Sơ đồ khối của bộ nguồn ổn áp dải rộng
Chương 4: Nguyên lý các khối chức năng trong bộ nguồn ổn áp dải rộng
4.1. Mạch khử từ.
Khi tắt máy điện áp cấp cho Anốt đèn hình, lưới 2 giảm đột ngột nên thường tạo ra từ tính trong lưới lọc tia phát xạ đèn hình, do bị nhiễm từ nên tạo thành vùng từ tính khác nhau ảnh hưởng tới đường đi của các tia R, G, B của đèn hình. Nên xung quanh mặt phát xạ huỳnh quang đèn hình được thiết kế một mạch khử từ. Nguyên tắc chung của mạch khử từ gồm Rt mắc nối tiếp cuộn dây Lk (hình 4.1).
Hình 4.1: Mạch khử từ và lọc nhiễu
Khi đóng nguồn dòng điện đi qua Rt và Lk (bình thường điện trở Rt rất nhỏ cỡ 5-7W). Khi dòng AC đi qua với dòng điện rất lớn, nhiệt độ làm tăng Rt lên trong khoảng thời gian 2á3 giây tạo ra trong Lk một từ trường khử toàn bộ từ bị nhiễm trong màn lọc tia điện tử của đèn hình. Đồng thời sau hai đến 3 giây Rt tăng lên rất lớn, dòng điện nhỏ dần đến 0, kết thúc quá trình khử từ.
Trong một số máy có màn ảnh cỡ lớn dòng từ rất lớn đòi hỏi duy trì một thời gian khử từ chính xác và tin cậy thì thời gian khử từ được thiết kế đưa ta từ một IC tích hợp có đếm thời gian chuẩn xác (hình 4.2).
Mạch bao gồm IC1 điều khiển mức điện áp với thời gian 3s. Khi đóng mạch nguồn IC1 đưa ra mức điện áp cao bán dẫn T1 đóng rơle; sau 3s, IC1 đưa ra mức thấp T1 ngắt: mạch khử từ hoàn thành nhiệm vụ.
IC
1
EXP85340
13,5V
AC
Lk
Rt
TPH
1602
Đưa đi
nắn điện
Hình 4.2: Mạch khử từ của máy thu hình cỡ lớn
4.2. Mạch lọc nhiễu.
Trong bộ nguồn dải rộng, để tránh các xung nhiễu như đánh lửa tải ổ cắm các thiết bị khác bên cạnh đánh lửa, sét đánh vào đường tải điện,… các bộ nguồn được thiết kế mạch lọc nhiễu ngay đầu vào để hạn chế bớt nguy hiểm cho linh kiện ở phần sau (hình 4.3).
Hình 4.3: Mạch lọc nhiễu
- Các bộ lọc nhiễu tụ C1; C2 được chọn sao cho với xung nhiễu thì trở kháng nhỏ nhất và với tần số điện lưới 50 á 60 Hz thì trở kháng max (thường chọn C = 0,01mF) R bảo vệ chọn cỡ 2 á 3MW; Uc từ 350 á 450V.
- Các cuộn chặn L được quấn trên lõi ferít sao cho đối xứng nhau và có các tụ ký sinh nhỏ không đủ để bão hoà từ.
Với tần số dòng điện tiêu thụ 50 á 60Hz thì ZL nhỏ nhất để sụt áp ít nhất với các xung nhiễu XL rất lớn có tác dụng chặn, giảm nhỏ xung nhiễu để hạn chế mức độ nguy hiểm cho phần sau.
4.3. Mạch chuyển đổi phương thức chiỉnh lưu.
Nguyên lý chung của mạch là giám sát biên độ để đo kiểm điện áp mạng lớn hơn một trị số nào đó (ví dụ ở 160V) làm cho nguòn làm việc theo phương thức chỉnh lưu bội áp. Việc chuyển đổi phương thức trên sẽ tạo đủ điện áp cho bộ nguồn hoạt động bình thường với dải rộng từ 90 á 260V. Để thực hiện có nhiều cách (dùng điện áp ra đo kiểm để đóng mở Rơle tiếp điểm, dùng điện áp ra để đóng mở Tranzitor tự động để chuyển phương thức):
Xét mạch chuyển nguyên lý sau (hình 4.4).
Hình 4.4. Bộ chuyển đổi phương thức lọc chỉnh lưu
Khi đóng nguồn điện R4, D2, C3 thực hiện mạch chỉnh lưu nửa sóng lấy mẫu tại điểm (A): VP < V < A biến đổi theo điện áp mạng. Điện áp này sau khi đi qua R5, R6 phân áp và đi qua D1 giám sát biên độ điện áp vào để khống chế trạng thái làm việc của T1. Điểm làm việc này do R5, R6 quyết định. Khi điện áp vào lớn hơn 160V thì tại điểm A: VP < V < A đủ cao để sau khi phân áp qua R5, R6 D1 thông dân đến T1 thông bão hoà cực Colectơ có mức thấp, cực Bazơ B không có điện áp, dòng T = C của T2 = 0.
Triắc không có IX kích thích: Triắc ngắt. Điểm B trên sơ đồ coi như ngắt khỏi mạng (Đặc tuyến Von-Ampe của Triắc như hình 4.5).
Dòng ngược
l
(nm)
Dòng thuận
Dẫn điện thuận
Điện áp thuận
Ngắt điện thuận
Dòng ngược
Ngắt điện ngược
Điện áp ngược
Hình 4.5: Đặc tuyến Von - Ampe của SCR
Lúc này mạch nắn lọc bình thường. Nghĩa là điện áp được nắn lọc bằng các cầu chỉnh lưu D và C1C2.
Khi điện áp vào thấp hơn điện áp chuẩn Ê 160V. Điện áp tại điểm A cũng giảm, phân áp R5, R6 không đủ để D1 thông do vậy ICT1 = 0; UCT1 cao đồng thời bằng điện áp tại A thông qua phân áp cho R7, R8D3 thông dẫn đến T2 thong tạo ra dòng xúc phát kích thích cho Triac thông trong thời gian ngắn 1 á 2s và sụt áp trên Triac rất nhỏ cỡ 0,2 á 0,5V. Điện áp sụt trên R9 chính là điện áp kích thích cho SCR. Vì sụt áp không đáng kể của SCR nên điểm B coi như chập D hay được nối tắt với nguồn AC. Mạch điện lúc đó như một bộ nắn bội áp, (hình 4.6). Người ta còn có thể dùng tiristo để điều khiển phương thức chuyển đổi điện, nguyên lý tương tự với SCR.
ở chu kỳ dương của Vi, Vi qua L1 qua R1 qua D2 của cầu nắn D qua C1 nạp cho C1: 1 áp = UC1, qua điểm B đ D, qua R2 đ L2 về âm của nguồn Vi.
ở nửa chu kỳ âm Vi qua L2 đ R2 đ D đ B qua C2 qua D1 qua R1 về nguồn điện áp trên C2 thông UC2. Điện áp từ V0 = UC1 = UC2 = 2U1 = 2U2 đưa sang bộ ngắt mở.
Hình 4.6: Bộ nắn lọc bội áp khi điện áp vào thấp
Trong việc nắn bội áp thì việc đảm bảo an toàn cho mạch là vấn đề quan trọng chẳng hạn khi Vi vào quá cao mà mạch vẫn chỉnh lưu bội áp thì V0 ra rất cao, rất dễ gây ra hỏng mạch sau nắn lọc.
Trong mạch bảo vệ được thiết kế D4, T3 cầu chì F1; Bộ phân áp R10, R11. Điện áp trên C2 được phân áp qua R10, R11 đến cấp cho D4. Nếu Vi vào > 160V mà mạch vẫn làm việc theo phương thức bội áp thì D4 dẫn dòng qua R12, D4 là điện áp xúc phát cho T4 mở dòng rất lớn trong thời gian ngắn nhất làm cháy cầu chì F2 bảo vệ toàn bộ máy.
4.4. Xung và các mạch tạo xung.
4.4.1. Các tham số của xung.
a. Định nghĩa về xung.
Xung điện là những điện áp hoặc dòng điện tồn tại trong những khoảng thời gian rất ngắn có thể so sánh với quá trình quá độ trong mạch điện mà chúng tác dụng.
b. Các tham số về một dãy xung.
Một dãy xung thường có các tham số sau.
- Chu kỳ lặp lại TX.
- Tần số lặp lại FX.
- Độ rộng QX.
- Hệ số đầy n.
Các tham số này được định nghĩa như sau.
- Độ rộng của một dãy xung là tỉ số giữa chu kỳ lặp lại TX với độ rộng của một xung tX.
QX = TX/tiếp xúc.
- Trị số nghịch đảo Qx được coi là hệ số đầy của xung n = tx/Tx.
- Tần số lặp lại của xung liên hệ với độ rỗng QX.
Fx = 1/Qxtx = 1/Fx
Hình 4.7: Minh hoạ cho định nghĩa trên.
U,i
t
tx
Tx
Hình 4.7: Đồ thị dãy xung
c. Các tham số của một xung.
Để đặc trưng cho một xung người ta dùng các tham số sau (hình 4.8).
Hình 4.8: Đồ thị của một xung.
- Độ rộng của sườn trước tS1 là khoảng thời gian gia tăng của biên độ xung
- Độ rộng của sườn sau tS2 là khoảng thời gian giảm của biên độ xung. Đôi khi độ dốc của sườn xung trước được coi là tỉ số giữa biên độ cực đại so với độ rộng của sườn trước: SS1 = Um/tS1; SS2 = Um/tS2.
Độ sụt đỉnh xung Du của xung điện áp là độ giảm biên độ xung ở phần đỉnh. Độ sụt đỉnh tương đối du = Du/Dm.
4.4.2. Mạch chọn xung.
Chọn xung đồng bộ dòng hay đồng bộ mành dựa trên độ rộng xung và tần số lặp lại của xung theo phương pháp vi phân hoặc tích phân.
a. Mạch vi phân (hình 4.9).
Hình 4.9: Mạch vi phân
- Với mạch vi phân khi mà cho xung chữ nhật vào khi ra xung nhọn nếu RC>t
Với mạch vi phân khi mà cho xung chữ nhật vào thì khi ra xung vuông nếu RC < t.
- Nếu xung vào có độ rộng khác nhau thì xung ra có biên độ khác nhau (hình 4.10). Ta lợi dụng điều đó để chọn xung.
Hình 4.10: Đồ thị của một xung vuông khi đi qua mạch vi phân
b. Mạch tích phân (hình 4.11).
Khi xung vào mạch tích phân cho ra xung răng cưa hoặc xung vuông cũng tuỳ thuộc vào hằng số thời gian RC. Nếu như RC << t thì độ rộng xung lớn sẽ biến thành biên độ lớn. (hình 4.12).
Như vậy lợi dụng từ việc độ rộng xung biến thành biên độ xung để tách xung. Vì xung đồng bộ dòng có độ rộng 0,04 Td, độ rộng của xung quét mành là 0,043Td.
4.4.3. Họ đặc tuyến Von-Ampe của dụng cụ bán dẫn trong chế độ xung.
a. Đặc tuyến.
Đặc tuyến ra IC = f(Uce) (hình 4.13).
……………
Ibn
Ib2
Ib1
Uce
2
3
Ic
Ib
Ib
1
Hình 4.13: Đặc tuyến Von-Ampe của Tranzisto
Để tiện tính toán thì họ đặc tuyến Von - Ampe được tuyến tính hoá (hình 4.14).
Hình 4.14: Đặc tuyến Von - Ampe đã tuyến tính hoá
Vùng 1: Vùng Tranzisto nằm trong chế độ khuếch đại.
Vùng 2: Tranzisto trong chế độ cắt dòng.
Vùng 3: Tranzisto bão hoà
b. Các tham số tính toán ở chế độ khoá.
Tiếp giáp CE có thể coi là khoá điện tử, sụt áp trên CE cỡ 0,1 á 0,2V. Dòng tắt từ 1 á 10mA, còn dòng thông rất lớn tới hàng trăm mA đối với tranzisto công suất nhỏ và hàng nghìn mA đối với các Tranzisto công suất lớn. Có thể xác định trên đặc tuyến tính 4.14.
Dòng điện Ich bão hoà có thể xác định được vì nguồn điện cấp cho mạch làm việc trước và điện trở Rg nên thực tế thì:
Ich = Ecc/Rg
Ich Ê Ichp (dòng bão hoà cho phép).
Vì Ich lớn sụt áp trên EC nhỏ nên tranzisto có thể coi là một điểm trong chế độ khoá (hình 4.15).
Hình 4.15: Tranzisto ở chế độ khoá
Hệ số khuếch đại trong mạch khoá biểu thị dòng colectơ ý lớn hơn dòng bazơ bao nhiêu.
B =
Hệ số bão hoà: để tranzisto có các tham số không thay đổi vẫn đảm bảo chắc chắn cho tranzisto bão hoà ở trạng thái thông trong mạch khoá luôn chọn dòng bazơ Ib lớn hơn dòng bazơ bão hoà Ibh. Tử số giữa dòng gốc làm việc của Tranzisto ở trạng thái thông với dòng bazơ bão hoà gọi là hệ số bão hoà.
Kbh =
Kbh thường được chọn bằng từ 2 á 3 lần.
Điện trở bão hoà cực colectơ:
Rch =
Đối với tranzisto Silic Rch hàng trăm ôm.
Điện áp của cực bazơ bão hoà so với cực emitơ bão hoà Ubh được xác định khi Ib = Ibh. ở tranzisto silic 0,7V; vì Ubh; Uch rất nhỏ nên tranzisto ở trạng thái thông có thể coi là một điểm.
4.4.4. Mạch dao động đa hài.
Hình 4.16. là mô hình của mạch này.
Hình 4.16: Dao động đa hài
a. Nguyên lý hoạt động của mạch dao động.
Khi mới đóng nguồn cả hai đèn đều được cấp áp UB > 0 qua Rb1 và Rb2 nên cả hai đèn đều thông. Vì một lý do gì đó một trong hai đèn có biến đổi (do không cân, tụt áp từng đèn…). Chẳng hạn dòng IC1 tăng một lượng là DiC1 thì cực C giảm đi một lượng là DUC1 đưa biến đổi này qua tụ C1 làm cho cực bazơ T2 giảm đi một lượng là DUB2, dòng IC2 tăng lên DUC2 đưa biến đổi này tới BT1 càng làm tăng IC1. Sự biến đổi này trong thời gian rất ngắn.
+ DIC1 đ -DUC1 đ -DUB2 đ+ DIC2 đ -DUC2 đ -DUB1 đ +DIC1
Quá trình này tiếp tục cho đến khi T1 thông, T2 tắt hẳn: Khi T1 tắt tụ C2 được nạp điện: +B1 đ C2 đ RBET1 ị -B.
Điện áp C2 làm cho UB1 giảm dần, C2 nạp cũng là qúa trình thiết lập trên C2, mức điện áp bằng nguồn B+.
Đồng thời với quá trình C2 nạp thì tụ C1 phóng:
-C đ Rb2 đ +B đ -B đ RCE1 đ +C.
U
b1
+
C1 phóng
U
b1
U
b1
C1 nạp
T2
T1
t
U
C
t
+
E
C
U
b2
t
C
2
phóng
t
Uc
2
+E
Ec - IcRc
C
2
nạp
C1 phóng gây ra trên B2 một điện áp âm nhỏ hơn UB02 (điện áp cắt T2), T2 tắt trong khoảng thời gian ngắn. C1 giảm dần làm cho UB2 bớt âm dần. Khi bazơ T2 đạt đến điện áp cắt T2 thông, quá trình trên lại xuất hiện:
+DIC2 đ -DUC2 đ -DUB1 đ -DIC1 đ +DUB2 đ +DUB2 đ +DIC2
Cho tới khi T2 thông và T1 tắt, C2 lại bắt đầu phóng điện. Tại thời điểm cực gốc có điện áp gốc bằng 0, chúng sẽ chuyển quá độ từ trạng thái này sang trạng thái khác. Hình 4.17. là sơ đồ điện áp gốc - phát của bộ dao động.
b. Điều khiển để mạch dao dao động
Mạch dao động khi có hồi tiếp dương, tức là Kb>1, với: K hệ số khuếch đại tầng, b là hệ số khuếch đại dòng điện.
Khi có hai đèn thì đèn nọ là hồi tiếp của đèn kia nên K1K2>1
Vì 2 đèn chọn có trị số giống nhau nên K1K2=K2>1 hay K >1
Nói chung là mạch dễ dao động. Khi mà T1 hoặc T2 thông bão hoà thì điều kiện cần: Rb1 Ê b.RC1 và Rb2 Ê b.RC2
c. Các tham số
Khi coi IC0 = 0; q = 0 thì:
T1 = 0,7Rb1.C1
T2 = 0,7Rb2.C1
Nếu mạch hoàn toàn đối xứng:
TX = 1,4Rb.C1
QX = 1+0,23b
Như vậy tần số dao động chỉ phụ thuộc vào C và Rb mà không phụ thuộc vào tải RC nên dễ dàng điều khiển được tần số này bằng cách thay đổi UB (hình 4.18)
Hình 4.18. Mạch dao động đa hài có điều chỉnh tần số
d. Đồng bộ tín hiệu dao động
Trong thiết bị điện tử vấn đề đồng bộ có tầm quan trọng đặc biệt vì khi sai đồng bộ từng bộ phận sẽ tích luỹ năng lượng rất lớn dẫn tới nguy hiểm. Để đồng bộ cùng dao động, là các bộ thạch anh chuẩn tạo tín hiệu chuẩn được lấy từ bộ chuẩn qua mạch tích phân hoặc vi phân…để tạo ra các xung đồng bộ, thống nhất trong toàn máy.
Hình 4.19 là sơ đồ nguyên lý của một mạch dao động đa hài đợi với các xung đồng bộ dương.
T1
Rc1
Rb1
R
Rb2
Rc2
T2
U hồi tiếp
Ra
T=0,7RbC
Xung đồng bộ
+E
R3
Rb
Hình 4.19. Mạch dao động đa hài có đồng bộ
Tranzisto T1 tắt ở trạng thái ổn định, tranzisto T2 thông. Khi có xung kích thích vuông thông qua điốt trở thành xung dương nhọn. Bộ dao động chuyển ngay trạng thái trạng thái từ T1 tắt sang T1 thông; T2 thông sang T2 tắt. Sau đó mạch sẽ chuyển sang trạng thái ban đầu và chờ xung tiếp theo.
Trên RR2 có xung có độ rộng T=0,7RbC; R là điện trở phân áp thuận điốt; điện áp hồi tiếp dương lấy trên R3 đưa về E của T1.
4.4.5. Mạch tạo xung bằng dao động nghẹt
Mạch tạo xung bằng dao động nghẹt là mạch giao động ghép biến áp. Mạch tạo ra xung nhỏ đến khoảng 1ms. Chu kỳ của xung có thể biến đổi trong giới hạn hàng trăm KHz (hình 4.20)
Hình 4.20. Mạch tạo dao động nghẹt
a. Nguyên lý
Biến áp trong mạch tạo xung bằng dao động nghẹt được chế tạo đạt tiêu chuẩn cao, ghép chặt chẽ, đúng chiều.
Dòng Ib xuất hiện khi ở thời điểm bắt đầu có xung dương tại cuộn II, của biến áp Tp sẽ nạp cho tụ C1. Nhờ có phần âm của xung nạp cho tụ với hằng số thời gian rất lớn nên tranzisto ngắt. Đèn bắt đầu thông khi tụ C1 phóng qua cuộn II, điện áp phóng được giảm tới mức UC0 khi đó IC bắt đầu xuất hiện tạo ra xung điện áp ở cuộn I, xung xuất hiện cuộn II mở thông hoàn toàn tranzisto, và tại cuộn II lại có xung dương nạp cho tụ C1…
Quá trình này lặp đi lặp lại tạo ra xung rất hẹp. Tần số xung biến đổi nhờ VR1, độ rộng xung biến đổi bằng tụ C1.
Hình 4.2.1. là đồ thị của dạng sóng mạch dao động nghẹt.
Nhờ cuộn cảm III có thể lấy xung tới các phần khác. Dòng IC chỉ qua tranzisto khi thời gian phát xung do vậy với hệ số đầy của xung lớn, công suất tiêu thụ không lớn ta vẫn có thể lấy xung có công suất lớn.
Hình 4.21. Đồ thị dạng sóng của mạch dao động nghẹt
b. Điều kiện để mạch dao động - phương pháp tính toán mạch dao động nghẹt
Xét mạch dao động (hình 4.22)
Hình 4.22. Mạch dao động ghép biến áp
- Điều kiện pha ta không xét đến bởi vì bằng cách quấn biến áp ta có thể tạo được sự đồng pha giữa điện áp và điện áp vào (M<0).
- Điều kiện biên độ: K = -SZc
Trong đó:
S là độ hỗ dẫn của tranzisto; Zc trở kháng giữa C và đất
Rtd là độ trở kháng khung tại tần số dao động
n là hệ số phản ảnh
L là điện cảm khung cộng hưởng
M là hệ số hỗ cảm của các cuộn dây.
Lập tích KKht³1 và giải bất phương trình này ta có
(Z tính bằng Rtd//Zt)
Mạch dao động khi n1 Ê n Ê n2
Tại n=n1; n
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- 1450nguononapdairongkieuxungngatma2011_09_28_11_12_59.DOC