Giáo trình Câu hỏi và bài tập Cấu kiện điện tử

a là 9,1V. Dãi điện áp vào trong khoảng từ 12,3V đến 14,6V, và khoảng dòng tải đầu ra từ 0 đến 100mA. 9. Mức công suất tiêu tán của một diode zener 9,1V là bao nhiêu khi mức dòng chảy qua zener theo chiều phân cực thuận là 100mA ?. 10. Mức công suất tiêu tán của một diode zener 9,1V là bao nhiêu khi mức dòng chảy qua zener theo chiều phân cực ngược ?. 11. Một bộ triệt điện áp quá độ [TVS - Transient Voltage Suppressor] hai chiều làm việc với mức điện áp đánh thủng là + / - 28V. Cáp nối RS232 làm việc trong phạm vi hai mức điện áp giới hạn (chuyển mạch từ - 15V đến + 15V). Mức dòng chảy qua TVS là bao nhiêu ?.(hình 2.34) 12. Diode biến dung ở hình 2.35, có điện dung là 200pF khi điện áp phân cực ngược là 4V. Tại tần số nào của V1 để mạch ở hình 2.35 có mức điện áp tín hiệu ra lớn nhất ?. 15 13. Nếu nguồn cung cấp một chiều 4VDC ở mạch hình 2.35 được điều chỉnh lên 8VDC, thì tại tần số nào của V1 mạch có mức tín hiệu ra lớn nhất ? (xem đặc tuyến ở hình 2.12). 14. Tính điện áp tại TP1 và TP2 đối với mạch ở hình 2.36. 15. Một LED được sử dụng để chỉ thị khi mạch được cấp nguồn là 20V. Hãy tính điện trở nối tiếp cần phải có để giới hạn dòng thuận của LED ở mức 15mA. 16. Chữ số nào sẽ được hiển thị trên bộ hiển thị bảy đoạn ở mạch hình 2.37. 16 17. Tính mức dòng chảy qua các đoạn LED dẫn điện trong mạch hình 2.37. 18. Tính tổng công suất tiêu tán bởi mạch hình 2.37. 19. Vẽ mạch, các trị số linh kiện của mạch của một LED được nối với nguồn 12V để LED phát sáng. Dòng chảy qua LED được hạn chế ở mức 25mA. 20. Hãy vẽ sơ đồ các kết nối đến bộ hiển thị bằng LED bảy đoạn chung anode (MAN 72) theo các đầu vào, các điện trở cần thiết, và nguồn cung cấp để hiển thị chữ số 5. 17 BÀI TẬP BỔ SUNG CHƢƠNG DIODE. D1.1 Một diode silicon dẫn ở nhiệt độ 25oC, với mức sụt áp trên hai cực diode là 0,7V. a) Xác định mức sụt áp V trên diode nếu diode làm việc ở nhiệt độ +100oC và –100oC. Đs: a) V = 0,55V; b) V = 0,95V. D1.2 Mạch ở hình 1.31S, dùng để chỉnh lưu sóng sin có 100Vrms và tần số 60Hz. Mức điện áp ra nhỏ nhất không thể giảm dưới 70V và tỷ số biến áp là 1:2. Điện trở tải là 2k . Tính điện dung cần thiết cho tụ lọc mắc song song với RL. Đs: 8,25 F. D1.3 Điện áp ra của bộ chỉnh lưu bán kỳ vào khoảng 50V, tần số 60Hz. Giả sử không có điện trở thuận trong diode, tải thấp nhất có thể mắc vào mạch khi sử dụng tụ khoảng 50 F để duy trì mức điện áp nhỏ nhất trên 40V là bao nhiêu ? Đs: 1,67k . D1.4 Mạch chỉnh lưu toàn kỳ như mạch ở hình 1.31S, có biến áp với tỷ số vòng dây là 5:1. a) Tính trị số điện dung của tụ cần để duy trì mức điện áp nhỏ nhất khoảng 10V trên tải 100 . Đs: 233 F. b) Nếu điện áp tín hiệu vào ở phần a) thay đổi trong khoảng từ 110V đến 120V rms, tần số 60Hz, thì trị số điện dung cần thiết là bao nhiêu ? Đs: 233 F. 18 D1.5 Một mạch ổn định bằng diode zener (hình 1.37S) có điện áp đầu vào thay đổi trong khoảng từ 10V đến 15V và mức dòng tải thay đổi trong khoảng từ 100mA đến 500mA. a) Tính trị số của Ri và IZmax, biết rằng mạch sử dụng diode zener 6V. Đs: 6,33 ; 1,32A. b) Hãy tính công suất định mức cho diode zener và điện trở vào (Ri). Đs: 7,92W; 12,8W. c) Hãy tính trị số của tụ cần thiết nếu mức nguồn là đầu ra của mạch nắn bán kỳ với tín hiệu vào là 60Hz. Đs: 4731 F. 19 D1.6 a) Nếu không sử dụng điện trở xả RF trong mạch ở hình 1.37S, và biến áp là biến áp điểm giữa 4:1 với tín hiệu vào là 120Vrms, 60Hz. Tính trị số của Ri cần thiết để duy trì 10V trên tải có mức dòng thay đổi từ 50mA đến 200mA. Biết điện áp thấp nhất cho phép tại đầu vào của mạch ổn định là 14V. Đs: 14,8 . b) Tính trị số điện dung cần thiết trong mạch ổn định (cho ở phần a) để duy trì mức điện áp thấp nhất là 14V. Đs: 875 F. D1.7 Dựa theo mạch của bài tập D1.6, cho biết điện áp vào thay đổi từ 110Vrms đến 120Vrms, 60Hz. Hãy tính chọn trị số cho tụ thích hợp cho cả biến thiên dòng tải từ 50mA đến 200mA và thay đổi điện áp vào đã quy định trên. 20 1.1 Xác định dạng sóng ra của mạch ở hình P1.1, khi tín hiệu vào vS là dạng sóng vuông đối xứng biên độ đỉnh – đỉnh là 100V, có chu kỳ là 2s. Giả thiết rằng diode là lý tưởng. 1.2 Xác định dạng sóng ra của mạch ở hình P1.2, (diode lý tưởng) khi vS là: a) Sóng vuông đối xứng 100V đỉnh – đỉnh, có chu kỳ là 2s. b) Sóng sin 100V đỉnh – đỉnh, với chu kỳ là 2s. c) Sóng tam giác đối xứng 40V đỉnh – đỉnh, với chu kỳ là 2s. 1.3 Xác định dạng sóng ra của mạch ở hình P1.3, khi vS là sóng sin 100V đỉnh – đỉnh, có chu kỳ là 2s. Giả sử diode là lý tưởng, và C = 0. 21 1.4 Vẽ đặc tuyến ID theo VD cho một diode silicon nếu dòng bảo hòa ngược IS = 0,1 A, sử dụng n = 1,5 đối với silicon. Xác định mức điện áp chuyển sang dẫn của diode. 1.5 Vẽ đặc tuyến ID theo VD cho một diode germanium nếu dòng bảo hòa ngược IS = 0,01mA. Xác định mức điện áp chuyển sang dẫn cho diode (đặc tuyến có thể vẽ trên cùng trục đồ thị như đặc tuyến của bài tập 1.4). 1.6 Một diode thực tế có dòng bảo hòa ngược là 0,2 A, n = 1,6, và VT = 26mV. Hãy xác định dòng chảy qua diode khi sụt áp trên diode là 0,4V. Tính điện trở thuận của diode tại điểm làm việc này. 1.7 Cho mạch ở hình 1.4, hãy xác định mức dòng chảy qua diode khi sụt áp dc trên diode là 0,6V đối với dãi dòng này và nVT = 40mV. 1.8 Cho mạch ở hình P1.5, tính mức dòng I3 a) Khi các diode được xem là lý tưởng. b) Khi các diode được xem là diode thực tế, có Rf = 10 , và V = 0,7V. Bỏ qua dòng bảo hòa ngược. 22 1.9 Nếu tải ở đầu ra của một mạch nắn bán kỳ là 10k , thì trị số của tụ cần phải có là bao nhiêu để có mức điện áp ra không thay đổi quá 5% ? Điện áp vào là 100Vrms, 60Hz. Dựa vào hình P1.1. Suy ra dạng sóng ra. 1.10 Thiết kế một bộ nguồn cung cấp theo kiểu mạch nắn bán kỳ để nhận tín hiệu vào là 120Vrms, 60Hz và yêu cầu mức điện áp ra lớn nhất là 17V và thấp nhất là 12V. Nguồn cung cấp sẽ cung cấp điện áp nguồn cho mạch điện tử yêu cầu mức dòng không đổi là 1A. Hãy xác định cấu hình mạch, tỷ số vòng dây của biến áp, trị số của tụ. Giả sử các diode và biến áp là lý tưởng. 1.11 Nếu tải đầu ra của mạch nắn toàn kỳ là 10k , trị số của tụ là bao nhiêu cần thiết để duy trì mức điện áp ra không thay đổi thấp nhiều so với 10% ? Tín hiệu vào là 110Vrms, 60Hz. Dựa vào hình 1.3. Suy ra dạng sóng ra. 1.12 Lặp lại bài tập 1.11, với kiểu nguồn cung cấp là mạch chỉnh lưu toàn kỳ. 23 1.13 Hãy xác định thông số của tụ trong mạch ở hình 1.31S, khi a = 6 và RL = 50 . Mức điện áp nhỏ nhất đến tải cần phải có không suy giảm quá 20%. 1.14 Nếu một diode zener được mắc trong mạch như ở hình P1.6, trị số điện trở Ri là bao nhiêu để duy trì điện áp trên tải ở mức 10V (VZ) khi dòng tải thay đổi từ 50mA đến 500mA và điện áp vào thay đổi từ 15V đến 20V ? Hãy xác định mức công suất định mức cần thiết cho điện trở và diode zener 24 1.15 Mạch ổn định bằng zener như ở hình P1.6, sử dụng diode zener 20V để duy trì điện áp không đổi 20V trên điện trở tải RL. Nếu điện áp vào thay đổi từ 32V đến 43V và dòng tải biến thiên từ 200mA đến 400mA, hãy tính chọn trị số của Ri để giữ điện áp không đổi trên tải. Xác định công suất định mức cần thiết cho điện trở và diode zener. 1.16 Mạch ổn định zener như ở hình P1.7, sử dụng diode zener 9V để giữ mức điện áp hằng 9V trên tải, với điện áp vào thay đổi từ 18V đến 25V và dòng ra thay đổi từ 400mA đến 800mA. Giả sử RZ = 0. a) Chọn trị số cần thiết cho Ri và xác định mức công suất yêu cầu nhỏ nhất của điện trở vào. b) Xác định mức công suất định mức của diode zener. c) Tính độ biến thiên của điện áp ra đỉnh – đỉnh nếu RZ = 1 . 25 1.17 Giả sử không có tổn hao trong các diode nắn của mạch nắn toàn kỳ (hình P.18) với n = 2, trị số của Ri cần thiết là bao nhiêu để duy trì VL ở mức 16V với dòng tải là 500mA, sử dụng zener 16V? VS thay đổi trong khoảng từ 110Vrms đến 120Vrms, 60Hz. Giả sử RZ = 0. Mức điện áp để mạch ổn định cần phải không được giảm nhiều hơn 8V trên mức VZ. 1.18 Giả sử không có sụt áp ở các diode chỉnh lưu trong mạch ở hình P1.8, và n = 2, trị số của Ri cần thiết là bao nhiêu để duy trì VL = 16V với mức dòng tải khoảng 500mA ? Điện áp vào của biến áp là 110Vrms đến 120Vrms, 60Hz. Điện áp ra của mạch nắn đã được lọc không thể thay đổi nhiều hơn ± 5V. Hãy xác định công suất định mức cần thiết cho điện trở và diode zener. 26 1.19 Thiết kế bộ nguồn ổn áp toàn kỳ sử dụng biến áp điểm giữa 4:1 và diode zener 8V, 1W để cung cấp 8V không đổi cho tải thay đổi từ 200 đến 500 . Điện áp vào của biến áp là 120Vrms, 60Hz. Bỏ qua tổn hao trong biến áp và các diode. Xác định: a) IZmax và IZmin. b) Ri và VSmin. c) trị số tụ cần thiết. d) Độ ổn định theo % khi RZ = 2 . 1.20 Thiết kế bộ nguồn ổn áp toàn kỳ sử dụng biến áp điểm giữa 5:1 và diode zener 8V, 2W để cung cấp 8V không đổi cho tải thay đổi từ 100 đến 500 . Điện áp vào của biến áp là 120Vrms, 60Hz. Bỏ qua tổn hao trong biến áp và các diode. Xác định: a) IZmax và IZmin. b) Ri và VSmin. c) trị số tụ cần thiết. d) Độ ổn định theo % khi RZ = 2 . e) Công suất định mức của Ri. 27 1.21 Sử dụng các giá trị của điện áp vào đối với Ri của bài tập 1.20, nhưng dùng zener 12V, trị số của Ri cần phải có là bao nhiêu để duy trì 12V ở đầu ra nếu tải thay đổi từ 20mA đến 600mA ? Thông số của tụ cần phải có là bao nhiêu ? 1.22 Sử dụng mạch ở hình P1.8, và giả sử không có tổn hao ở các diode nắn, trị số của Ri là bao nhiêu để duy trì 12V trên tải bằng cách sử dụng diode zener 12V, khi VS từ 105Vrms đến 120Vrms, 60Hz ? Điện áp ra của mạch nắn giảm 20% do thông số của tụ C1, và tải thay đổi từ 50mA đến 500mA. Thông số của tụ là bao nhiêu ? cho n = 2. 28 1.23 Với sóng vào là 10sin t, dạng sóng ra là như thế nào đối với các mạch xén ở hình P1.9 ? Giả sử rằng tất cả các diode là lý tưởng với V = 0 và Rf = 0. 1.24 a) Điện áp vào vi của mạch xén ở hình P1.11a, thay đổi tuyến tính từ 0 đến 150V. Vẽ dạng điện áp ra trên cùng một đồ thị theo thời gian với điện áp vào. Giả sử các diode lý tưởng. b) Lặp lại như phần a) cho mạch ở hình P1.11b. 29 1.25 a) Vẽ dạng sóng ra của mạch ở hình P1.12a, khi vi = 9sin1000t V. Thể hiện các giá trị lớn nhất và nhỏ nhất trên dạng sóng và phương trình của đường cong tại các thời điểm khác nhau. Giả sử các diode là lý tưởng. b) Lặp lại phần a) cho mạch ở hình P1.12b. 1.26 Thiết kế một mạch xén để nhận được dạng sóng ra như ở hình P1.13, từ dạng sóng vuông đối xứng ở đầu vào là ± 10V. Giả sử V = 0,7V. 30 1.27 Kiểu mạch xén như thế nào cần phải có để nhận được các dạng sóng cho ở hình P1.14 ? Giả sử tín hiệu vào là 10sin t V. Vẽ mạch và ghi tên cho mạch. 1.28 Thiết kế mạch ghim để có mức ghim + 2V đối với dạng sóng vuông đầu vào của mạch như ở hình P1.15. Biên độ đỉnh – đỉnh của sóng vào vuông đối xứng là 4V, chu kỳ là 100 s. 31 1.29 Một nguồn điện áp sin 10kHz lý tưởng có các mức đỉnh 10V so với đất được áp đặt đến mạch ghim bằng diode ở hình P1.16. Giả sử R , RS = 0, C = 1 F, diode có Rr = , Rf = 0, và V = 0. Vẽ dạng sóng ra. 1.30 Tín hiệu thể hiện ở hình P1.16, có tần số là 1kHz được đặt vào mạch, với các giá trị RS = 0, R = 10k , Rf = 0, Rr = , và V = 0. a) Vẽ dạng sóng ra vo. b) Lặp lại phần a) nếu R = 1k , và C = 0,001 F. 32 1.31 Thiết kế một mạch ghim để cho dạng sóng ra như ở hình P1.17. Giả sử tụ cho sẳn là 0,1 F và tín hiệu vào vi = 5sin25000t V. Cho V = 0,7V. Đáp số các bài tập có gạch dưới dòng. 33 E. Câu hỏi phần Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp. 6.1. Giới thiệu về các JFET. 1. Ba điện cực của FET được gọi là . . . a. Nguồn, cổng và máng; b. Emitter, base và collector; c. Emitter, máng, và base; d. Nguồn, base, và máng. 2. Ký hiệu mạch nào sau đây là của JFET kênh N ?. 3. Dòng điện chảy qua kênh dẫn của một JFET được điều khiển bằng . . . . . . a. Điện áp phân cực thuận giữa cổng và nguồn; b. Điện áp phân cực thuận giữa cổng và máng; c. Điện áp phân cực ngược giữa cổng và nguồn; d. Dòng cổng chảy qua tiếp giáp cổng / nguồn. 4. Dòng máng của một JFET kênh N sẽ giảm xuống khi . . . . . . . a. Điện áp cổng thay đổi theo chiều âm; b. Điện áp cổng thay đổi theo chiều dương; c. Dòng cổng tăng lên; d. Dòng cổng giảm xuống. 5. Một số JFET có cấu trúc đối xứng, tức là có thể đổi lẫn nhau giữa . . . . . a. Hai cực cổng và máng; b. hai cực cổng và nguồn; c. hai cực nguồn và máng; d. hai cực bất kỳ. 6.2. So sánh JFET và BJT. 6. JFET khác với BJT bởi vì JFET . . . . . . a. chỉ có thể khuyếch đại điện áp; b. chỉ có thể khuyếch đại dòng điện; c. là dụng cụ điều khiển bằng điện áp; d. có trở kháng vào thấp. 7. Hệ số khuyếch đại của BJT là . . . . . . .và hệ số khuyếch đại của JFET là . . . . . . a. beta, hệ số truyền đạt; b. hệ số truyền đạt, beta; c. beta, beta; d. hệ số truyền đạt, hệ số truyền đạt. 34 6.3. Các thông số của JFET. 8. Dòng máng khi điện áp cổng bằng 0V là . . . . . . a. id; b. ID; c. IDSS; d. không phải các thông số trên. 9. Điện áp cổng - nguồn làm ngưng dòng máng của JFET là. . . . . . a. VGS; b. VGS(off); c. VGS(stop); d.VP. 10. Công thức id / vgs là biểu thức tính cho thông số . . . . . a. IDSS; b. VGS(off); c. VGS(stop); d. gm. 11. Điện áp máng - nguồn khi dòng máng trở nên gần bằng hằng số được gọi là điện áp . . . . . . a. Thắt [Pinch-off]; b. ngắt [cutoff]; c. bão hoà; d. không đổi. 12. Độ hổ dẫn khi điện áp cổng - nguồn bằng 0 là . . . . . a. gm0; b. .gm; c. gm(cổng); d. gm. 6.4. Phân cực cho mạch khuyếch đại JFET nguồn chung. 13. Kiểu phân cực nào không được dùng cho mạch JFET ?. a. Phân cực kiểu phân áp; b. Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp; c. Phân cực nguồn; d. tự phân cực. 14.Các mạch tự phân cực cần số lượng linh kiện ít nhất và cũng có ưu điểm là . . . . . a. Duy trì dòng máng không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET; b. Duy trì dòng cổng không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET; c. Duy trì VGS không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET; d. Duy trì gm không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET. 15. Kiểu mạch phân cực nào của JFET giữ dòng máng không đổi tốt nhất khi có thay đổi về các thông số của JFET ? a. Phân cực kiểu phân áp; b. Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp; c. Phân cực nguồn; d. Tự phân cực. 35 6.5. Các thông số tín hiệu của JFET. 16. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của một mạch khuyếch đại JFET là . . . . . . a. x rd; b. rd / rs; c. rs / rd; d. gm x rd. 17. Giảm điện trở tải (RL) sẽ làm . . . . . . . . về hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại JFET. a. giảm; b. không thay đổi; c. tăng một ít; d. tăng lớn. 18. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại nguồn chung bằng JFET là . . . . . . . . a. Thường cao hơn so với trở kháng vào của mạch khuyếch đại bằng BJT; b. Bằng với trở kháng tín hiệu nối đất đối với cực cổng; c. Dễ được điều chỉnh bởi sự thay đổi các điện trở nối với cực cổng; d. Tất cả các trường hợp trên. 19. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại JFET nguồn chung là bằng với . . . . . . . a. RL; b. Rd; c. RL//Rd; d. Rd / Rs. 6.6. Phân tích các mạch khuyếch đại bằng JFET. 20. Bài toán phân tích mạch khuyếch đại JFET dễ dàng hơn nếu biết cặp thông số nào sau đây ?. a. IDSS, VGS(off); b. gm, IDSS ; c. gm, VGS; d. VGS, VGS(off). 21. Mức xấp xỉ VGS hợp lý dùng để phân tích các mạch JFET là . . . . . a. 0V; b. 0,3V; c. 0,7V; d. 2V. 22. Giá trị gần đúng hợp lý của gm dùng để thiết kế các mạch JFET là . . . . a. 100mS; b. 10mS; c. 3mS; d. 0,2mS. 6.7. Mạch khuyếch đại máng chung. 23. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại JFET kiểu máng chung xấp xỉ bằng . . . . . . a. 100; b. 10; c. 3; d. 1. 24. Mạch khuyếch đại máng chung có đặc điểm . . . . . a. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra cao; c. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra thấp; d. Trở kháng vào cao và trở kháng ra cao. 36 6.8. JFET kênh N và kênh P. 25. Ký hiệu mạch nào sau đây là dùng cho JFET kênh P ? 6.9. Các mạch chuyển mạch bằng JFET. 26. Khi JFET chuyển sang dẫn, thì điện trở giữa máng và nguồn nhỏ hơn so với . . . . . . a. 1 ; b. RDS(on); c. Rd; d. 10 . 27. Chuyển mạch bằng JFET kiểu nối tiếp không hoàn hảo, nhưng với điều kiện điện trở tải phải lớn hơn nhiều so với điện trở . . . . . . . . . . thì chuyển mạch sẽ cho chức năng đúng. a. Rg; b. RDS(on); c. Rd; d. RDS(off). 28. Trong mạch chuyển mạch JFET kiểu song song, JFET được mắc . . . . . . . . a. Nối tiếp với tải và song song với Rs; b. Nối tiếp với Rs và song song với tải; c. Nối tiếp với tải và nối tiếp với Rs; d. Song song với tải và song song với Rs. 6.10. Sai hỏng trong các mạch JFET. 29. Trong mạch hình 6.37, điện áp DC trên cực cổng đo được là 0V, thì sai hỏng có trong mạch là do: a. Điện trở Rg hở mạch; b. Điện trở Rg bị ngắn mạch; c. JFET bị ngắn mạch giữa cổng và nguồn; d. mạch hoạt động bình thường. 37 30. Đối với mạch hình 6.37, các điện áp DC đều phù hợp, nhưng hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu thấp, nguyên nhân nào gây sai hỏng có trong mạch ? a. Tụ C3 bị ngắn mạch; b. C3 bị hở mạch; c. C2 bị ngắn mạch; d. C2 bị hở mạch. 31. Đối với mạch hình 6.37, điện áp DC đo được trên cực máng là 12V, thì sai hỏng có trong mạch là do: a. Điện trở C3 bị ngắn mạch; b. C3 bị hở mạch; c. JFET bị ngắn mạch; d. JFET bị hở mạch. 32. Ở mạch hình 6.38, nếu điện áp trên cực cổng là 2,8V và điện áp trên cực nguồn và cực máng là 6V, có sai hỏng nào với mạch không? a. JFET bị ngắn mạch cực máng với cực nguồn; b. JFET hở mạch cực máng với cực nguồn; c. điện trở Rg2 hở mạch; d. mạch có chức năng phù hợp. 33. Ở mạch hình 6.38, nếu điện áp trên cực máng là 6V và điện áp trên cực nguồn là 5,9V, có sai hỏng nào đối với mạch không ? a. JFET bị hở mạch giữa cực máng và cực nguồn; b. điện trở Rg1 hở mạch; c. điện trở Rg2 hở mạch; d. mạch có chức năng phù hợp. 38 34. Nếu nguồn tín hiệu có trở kháng nội là 5k và khi nối nguồn tín hiệu vào mạch hình 6.38, sẽ làm cho máy phát quá tải, có sai hỏng nào trong mạch không ? a. JFET bị hở mạch giữa cực máng và cực nguồn; b. JFET bị ngắn mạch cổng và nguồn; c. điện trở Rg2 hở mạch; d. mạch có chức năng phù hợp. 35. Trong mạch hình 6.39, nếu mức điện áp điều khiển bằng 0V và mức điện áp tín hiệu trên tải bằng 80mVđỉnh-đỉnh, có sai hỏng nào với mạch ? a. JFET hở mạch giữa cực máng và cực nguồn; b. JFET bị ngắn mạch giữa cực máng và cực nguồn; c. điện trở Rg hở mạch; d. mạch có chức năng phù hợp. 36. Trong mạch hình 6.39, nếu điện áp điều khiển bằng - 8V và điện áp tín hiệu trên tải bằng 100Vđỉnh-đỉnh, có sai hỏng nào với mạch ? a. JFET hở mạch giữa cực máng và cực nguồn; b. JFET bị ngắn mạch giữa cực máng và cực nguồn; c. điện trở Rg hở mạch; d. mạch có chức năng phù hợp. 39 F. Bài tập phần JFET. [ Lưu ý: Tất cả các bài tập dưới đây đều sử dụng JFET có cùng các thông số như đặc tuyến truyền đạt hình 6.40. Đối với các bài tập nếu có BJT trong mạch thì sử dụng thông số F(min) = 100 và có thể thực hiện sau khi đã học BJT ]. 1. Tính độ hổ dẫn của JFET có đặc tuyến ở hình 6.40 tại điện áp phân cực VGS = - 2V (sử dụng độ thay đổi về điện áp VGS là 0,5V cho phép tính). 2. Tính các mức điện áp DC ở mạch hình 6.41. VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . 40 3. Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av), và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 6.41. zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 4. Nếu điện áp đo được tại cực nguồn của mạch hình 6.41, là 1V, tính điện áp tại cực cổng và tại cực máng. VG = . . . . . . . VD = . . . . . . . 41 5. Hình 6.42, là mạch khuyếch đại JFET tự phân cực. Hãy tính các giá trị sau: VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout = . . . . . . . . 6. Hình 6.43, là mạch khuyếch đại JFET phân cực kiểu phân áp. Tính các giá trị tĩnh: VG; VS; VD; và VDS. VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . 42 7. Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av), và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 6.43. zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 8. Tính ID; VG; VS; VD; và VDS cho mạch hình 6.44. ID = . . . . . . VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . 43 9. Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av), và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 6.44. zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 10. Tính các giá trị tĩnh cho mạch hình 6.45. VD = . . . . . . . VS = . . . . . . . VG = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . 44 11. Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av), và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 6.45. zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 12. Tính các giá trị sau đây cho mạch hình 6.46. VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 45 13. Hình 6.47, là một mạch khuyếch đại JFET tự phân cực. Tính các giá trị sau: VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . VDS = . . . . . . . . zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . 14. Hình 6.48, là một mạch khuyếch đại JFET máng chung. Tính các giá trị sau: VG = . . . . . . . VS = . . . . . . . VD = . . . . . . . . zin = . . . . . . . zout = . . . . . . . Av = . . . . . . . . Vout= . . . . . . . . Ai = . . . . . . . . Ap = . . . . . . . . 46 15. Hãy vẽ dạng sóng ra của mạch ở hình 6.49. 16. Hãy vẽ dạng sóng ra của mạch hình 6.50. 47 G. Câu hỏi về MOSFET. 7.1. Giới thiệu về các MOSFET. 1. Từ MOS trong cấu trúc MOSFET là viết tắt của (các ký tự gạch chân) . . . a. Material Of Semiconductor [vật liệu bán dẫn] ; b. Metal - Oxide - Semiconductor [kim loại - oxide - bán dẫn]; c. Most standard Semiconductor [chất bán dẫn tinh khiết nhất] ; d. Không phải các trường hợp trên. 2. Để cách ly cổng kênh JFET phụ thuộc vào tiếp giáp PN phân cực ngược, nhưng MOSFET sử dụng các lóp mỏng bằng . . . . . . . như một lớp cách điện giữa cổng và kênh dẫn. a. dioxide silicon; b. thuỷ tinh; c. Cao su; d. thuỷ tinh cao cấp. 7.2. MOSFET kiểu nghèo De - MOSFET. 3. Ký hiệu mạch của D - MOSFET kênh N là . . . . . . 4. Khi điện áp trên cổng của một De - MOSFET kênh N âm và làm giảm các hạt tải điện, thì MOSFET được xem là đang làm việc ở chế độ . . . . . . . a. Nghèo; b. Tăng cường; c. dẫn điện; d. cục bộ. 5. Dòng máng có thể chảy qua một De - MOSFET khi đang hoạt động ở . . . . . . . a. chỉ ở chế độ nghèo; b. chỉ ở chế độ tăng cường; c. hoặc ở chế độ tăng cường hoặc ở chế độ nghèo; d. chỉ ở chế độ cục bộ. 6. Nếu một mạch khuyếch đại bằng De - MOSFET được thiết kế có mức điện áp phân cực bằng 0 giữa cổng và nguồn, thì dòng máng tại điểm làm việc tĩnh sẽ bằng . . . . . . a. 0mA; b. 10mA; c. IDSS; d. Rd / gm. 7. Ký hiệu mạch của De - MOSFET kênh P là . . . . . . . 48 7.3. En - MOSFET. 8. Ký hiệu mạch của En - MOSFET kênh N là . . . . . . . 9. Dòng máng có thể chảy qua một En - MOSFET khi đang hoạt động ở . . . . . . a. chỉ ở chế độ nghèo; b. chỉ ở chế độ tăng cường; c. hoặc ở chế độ tăng cường hoặc ở chế độ nghèo; d. chỉ ở chế độ cục bộ. 10. Mức điện áp cổng - nguồn cần thiết để làm cho dòng máng của En - MOSFET bắt đầu chảy được gọi là . . a. ngắt [cutoff]; b. chuẩn bị dẫn [cut-on]; c. bão hoà [saturation]; d. ngưỡng [threshold]. 11. Với điện áp cổng - nguồn bằng 0, thì mạch chuyển mạch En - MOSFET hoạt động như một mạch . . . . . . a. đường dây dẫn điện; b. ngắn mạch; c. hở mạch; d. điện trở thấp. 12. Khi mạch chuyển mạch En - MOSFET chuyển sang dẫn, thì điện trở giữa máng và nguồn sẽ thấp hơn so với . . . . . a. 1 ; b. RDS(on); c. Rg / gm; d. Rd / gm. 13. Khi hoạt động ở chế độ A (chế độ khuyếch đại), En - MOSFET kênh N cần phải có . . . . . a. Điện áp tại cực nguồn dương hơn so với điện áp tại cực cổng. b. Điện áp tại cực nguồn dương hơn so với điện áp tại cực máng. c. Điện áp tại cực cổng dương hơn so với điện áp tại cực nguồn. d. Điện áp tại cực cổng âm hơn so với điện áp tại cực nguồn. 14. Kiểu mạch phân cực thường được sử dụng trong các mạch khuyếch đại En - MOSFET là . . . a. Phân cực hồi tiếp máng; b. Phân cực nguồn; c. Tự phân cực; d. Phân cực nguồn dòng hằng. 15. Ký hiệu mạch của En - MOSFET kênh P là . . . . . 49 7.4. Sử dụng MOSFETs. 16. Khi làm việc với các MOSFET, cần phải biết các lưu ý sử dụng đặc biệt, mà một trong số các điểm đề phòng sau là không đúng. a. Tất cả các thiết bị và các dụng cụ cần phải được tiếp đất. b. Các cực của