Kỹ thuật FM tần số thấp làmột phương thức biến đổi điệnáp sang tần số gọi
tắt làchuyển đổi V TO F. Kỹ thuật này được sử dụng khá phổ biến trong các
mạch xử lý tín hiệu truyền tải hay lưu trữ thông tin. ưu điểm của kỹ thuật này là
nhờ công nghệ chế tạo vi mạchđể có độ tuyến tính cao trong chuyển đổi V sang F.
Độ di tần có thể đạt đến giá trị cực đại. Các ứng dụng phổ biến làtrong các mạch
thu phát hồng ngoại, thông tin quang, thu phát tín hiệu điều khiển từ xa, các loại
tín hiệu số, hoặc lưu trữ dữ kiện, thông tin trên băng cassette. Thông thường bộ
chuyển đổi có thể kết hợp với một PLL để có độ chính xác cao vàluôn luôn có tính
thuận nghịch, nghĩa làcó thể chuyển đổi từ điện áp sang tần số vàngược lại từ F
sang V.
76 trang |
Chia sẻ: maiphuongdc | Lượt xem: 1886 | Lượt tải: 2
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Giáo trình Thiết bị thu phát, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
1
1
1' ωρ=+= KSCCC
CKS = CCE của Transistor ; nếu C1 ≥10 CCE thì C'≈ C1
8. Hệ số phẩm chất riêng của khung cộng h−ởng sơ cấp:
1ρ
K
o
R
Q = trong đó:
BA
td
K
R
R η−= 1
9. Tính điện trở tổn hao của cuộn sơ cấp khi không vμ có tải:
oQ
r 1ρ= vμ
1
1
Q
rr fa
ρ=+ suy ra
hoặc
KR
r
2
1ρ= vμ
td
fa R
rr
2
1ρ=+
10. Tính hỗ cảm :
Lfa RrM .
1
ω=
11. Tính giá trị cuộn cảm bên thứ cấp :
1
2
2
2 Lk
ML =
52
Ch−ơng 5
kỹ thuật chuyển đổi đIện áp sang tần
số vμ tần số sang đIện áp
5.1 Bộ chuyển đổi điện áp sang tần số
5.1.1 Sơ đồ khối
So sánh
điện áp
MonoStabl
RCRin
I2
C
ICC
IC nạp
xãI1
IC =I2 I1 = I2 + Vin/Rin
t1
Vin1 > Vin2 > Vin3
t1 t2
t1: I2 mở
t2: I2 tắt
fout
VC 0V
Hình 5.1
Kỹ thuật FM tần số thấp lμ một ph−ơng thức biến đổi điện áp sang tần số gọi
tắt lμ chuyển đổi V TO F. Kỹ thuật nμy đ−ợc sử dụng khá phổ biến trong các
mạch xử lý tín hiệu truyền tải hay l−u trữ thông tin. −u điểm của kỹ thuật nμy lμ
nhờ công nghệ chế tạo vi mạch để có độ tuyến tính cao trong chuyển đổi V sang F.
Độ di tần có thể đạt đến giá trị cực đại. Các ứng dụng phổ biến lμ trong các mạch
thu phát hồng ngoại, thông tin quang, thu phát tín hiệu điều khiển từ xa, các loại
53
tín hiệu số, hoặc l−u trữ dữ kiện, thông tin trên băng cassette. Thông th−ờng bộ
chuyển đổi có thể kết hợp với một PLL để có độ chính xác cao vμ luôn luôn có tính
thuận nghịch, nghĩa lμ có thể chuyển đổi từ điện áp sang tần số vμ ng−ợc lại từ F
sang V.
5.1.2 Hoạt động của mạch
Bộ chuyển đổi V sang F th−ờng có 3 khối:
- Mạch tích phân kết hợp với nguồn dòng I2.
- Mạch so sánh điện áp để phát hiện mức điện áp đầu ra của bộ tích phân.
- Mạch monostable nhằm tạo xung ở đầu ra mμ mức cao có thời gian t1 không đổi
(quyết định bởi mạch RC của Monostable).
Trong thời gian t1, xung ở đầu ra có mức 1 (mức cao). Nó đ−ợc đ−a trở về mở
nguồn dòng để tạo ra dòng không đổi I2. Dòng I2 chia lμm 2 phần: I2 = IC+I1, trong
đó IC lμ dòng nạp cho tụ C của mạch tích phân lμm cho điện áp trên tụ (tức lμ
điện áp ở đầu ra của bộ tích phân) có độ dốc âm nh− hình vẽ. Còn dòng I1 thì
chạy qua Rin. Bộ so sánh điện áp sẽ so sánh mức điện áp trên đầu ra bộ tích phân
vμ giá trị 0 (masse) để tạo 1 xung kích mở mạch Monostable.
Trong thời gian t2, điện áp trên đầu ra của mạch Monostable bằng 0 lμm
đóng (khóa) nguồn I2. Tụ C sẽ phóng điện qua Rin bằng dòng I1. Năng l−ợng nạp
cho tụ C trong thời gian t1 sẽ đ−ợc phóng hết trong thời gian t2. ở cuối thời điểm
của t2, mạch so sánh tạo ra 1 xung kích mở mạch Monostable để tạo xung đầu ra
mạch Monostable có độ rộng t1
Gọi T =t1 + t2 lμ chu kỳ hoạt động của mạch. T phụ thuộc vμo vin, I2, Rin vμ C.
5.1.3 Thiết lập quan hệ giữa vin vμ fout
Trong thời gian t1: tụ nạp điện bằng dòng IC
in
in
C R
vIIII +=−= 212 với
in
in
R
vI −=1
Điện tích nạp cho tụ:
54
121121 )()(. tR
vItIItIq
in
in
CC +=−==Δ (1)
Trong thời gian t2: dòng I2 = 0, tụ C sẽ xả điện bằng dòng cố định I1= (-vin/Rin).
Điện tích do tụ xả:
221. tR
vtIq
in
in
C −==Δ (2)
Điện tích nạp vμ xả trên tụ bằng nhau nên từ (1) vμ (2) ta suy ra:
1
2
21
212
t.
v
RIttT
t
R
vt)
R
vI(
in
in
in
in
in
in
−=+=→
−=+
Vậy:
12
1
tRI
v
T
f
in
in
out −== (3)
Từ (3) suy ra: fout tỷ lệ với vin với điều kiện I1<< I2
C: không xuất hiện trong biểu thức do đó C không câng phải lμ loại có độ
chính xác cao lắm.
12 tRI
v
f
in
in
out =
5.2 Một số vi mạch chuyển đổi V sang F
5.2.1 Khảo sát IC RC 4151
1
2
3
4
5
6
7
8
RC4151
R0
6.8K
R0
RL
47K
Vlogic
f0
C0
.01
R4 12K
R5
5K
RS
R3
100K
R2 47K
CB 1μF
R1
100K
.1
C2 .1
Vin
55
Loại IC nμy đ−ợc sử dụng rất rộng rãi trong các mạch tiêu biểu vμ tần số ngõ
ra đạt đến 10KHz.
Hoạt động của mạch vμ các tham số:
Nguồn dòng I2 đ−ợc mở trong thời gian t1. Dòng nμy sẽ nạp qua tụ C0. CB
tham gia vμo mạch tích phân. Độ phi tuyến của quá trình chuyển đổi V sang F lμ
1%.
I2 có giá trị danh định lμ 135 μA.
Rs để điều chỉnh tầm hoạt động cực đại. Hình 5.2
R0: nối tiếp với một điện trở nhằm điều chỉnh thời gian t1, R0 phải nằm trong dãy
điện trở sau đây: (R0 + R0): 0,8KΩ ữ680KΩ
C0: 1000pF ữ 1μF
t1= 1,1R0C0 (thời gian tồn tại xung Monostable)
I2 = 1,9/RS , (RS = R4+R5) VCC = 8 ữ 22V
Pttmax= 500 mW Vin = 0,2Vữ +VCC
112 tRI
vf inout =
Các điện trở phải dùng loại chính xác cao có sai số: (0,5 ữ 1)% . Các tụ đ−ợc
dùng lμ loại Mylar hay mica. Nguồn cung cấp phải lấy từ nguồn ổn áp chất l−ợng
cao. IC nμy có ngõ ra cực thu hở. Muốn biên độ tín hiệu ra bằng bao nhiêu ta thiết
kế chọn Vlogic thích hợp bằng cách thay đổi RL.
5.2.2 Khảo sát IC VF-9400
12
3
4
5
6 8
9
12
VF-9400
11 14
10
+5V
.1
4.7K
4.7K
Cin
7
CBREF
9.09K
250K
R1500K R210K
fBout B/2
fout
VBin
56
Đặc điểm:
- Hoạt động với nguồn cung cấp ±5V
- Ngõ vμo lμ một OPAMP dùng kỹ thuật MOSFET hoạt động nh− một bộ tích
phân.
- VF 9400 đ−ợc thiết kế sao cho dòng điện vμo Iin: (0 ữ 10)μA
- Điện trở bên ngoμi 250K, 9.09K ấn định tầm hoạt động với dòng điện vμo định
mức thích hợp với vin nμo đó. Ta có thể thực hiện các tầm điện áp khác nhau bằng
cách chỉnh biến trở đẻ mỗi tầm thay đổi một Rin.
- Tụ CREF (Reference) ảnh h−ởng trực tiếp đến đặc tính chuyển mạch do đó phải
có độ ổn định cao, hệ số nhiệt độ thấp vμ độ hấp thu môi tr−ờng thấp.
- Tụ Cin đ−ợc chọn từ (3 ữ 10)CREF.
- Chân 7 nối trực tiếp đến nguồn 5V để tạo nên điện áp chuẩn vì vậy điện áp
cung cấp phải có độ chính xác vμ ổn định cao.
- Ngõ ra lμ dạng cực thu hở với BJT bên trong lμ loại NPN với hai ngõ ra lμ fout vμ
fout/2.
- Điện áp cung cấp giữa chân 14 vμ 4 không đ−ợc v−ợt quá 18V.
5.2.3 Khảo sát IC AD537
13
1
14
11
12
9
AD 537
10
+15
Vlogic
fBout
5K
.01
1000p
C
57
- IC chuyển đổi AD 537 lμ một dạng xuất hiện khá phổ biến trong điện tử công
nghiệp, nó đ−ợc thiết kế từ một mạch dao động đa hμi ghép cực phát, đ−ợc điều
chỉnh bằng nguồn dòng.
- Thuận lợi của nó lμ fout có dạng xung vuông rất lý t−ởng độ phi tuyến lμ 0,05%
trên toμn bộ tầm hoạt động.
- foutmax = 100KHz.
- Rin vμ C7 quyết định tầm điện áp nhập cần chuyển đổi.
- AD 537 tiêu thụ dòng tối đa 200 mA.
- Hai chân 6, 7 (không dùng trong mạch) đ−ợc sử dụng với mục đích đo nhiệt độ
trong đó chân 7 phải đ−ợc nối đến nguồn điện áp chuẩn 1V.
- Chân 6 lμ nguồn điện áp đ−ợc lấy từ bộ cảm biến nhiệt độ. Lúc đó ngõ ra sẽ có
điện áp tuyến tính theo nhiệt độ với chân 6 nhận điện áp có đặc tính 1mV/10K
- 2K lμ biến trở loại POT-LIN.
5.3 Bộ chuyển đổi F → V
1. Hầu hết các IC chuyển đổi V→ F đều có tính thuận nghịch, tùy theo mỗi IC,
dạng biến đổi nμy khác nhau.
RC
Mạch sửa
dạng
MonoStabl
in
I2
Rf
f
t1
C
Vout
Hình 5.5
58
*Mạch sửa dạng: nhằm tạo ra dạng sóng thích hợp để điều khiển mạch đơn ổn.
Điện áp đầu ra sẽ tỷ lệ với tần số đầu vμo fin, điện trở Rf nguồn dòng I2 vμ thòi
gian t1.
*Mạch đơn ổn (Monostable): Nhằm tạo ra xung có độ rộng t1, trong thời gian nμy
nguồn dòng I2 mở.
vout = fin.Rf.I2.t1
5.4 Một số vi mạch chuyển đổi f sang v
5.4.1 Khảo sát IC chuyển đổi F → V RC4151
1
3
2
45
6
7
8
RC4151
R0
6.8K
C0
.01
10K
10K 5K
+15
RS
14K
CB RB
V0
.022
fin
Hình 5.6
10K
Mạch biến đổi F → V RC4151 có các đặc tính sau đây:
vo = fin.RB.I2.t1
Trong đó: I2 = 1,9/Rs, I2 ≤ 140 μA, t1 = 1,1R0C0 . Khi fin = 10 KHz → vout= 10V, độ
phi tuyến 1% vout tỷ lệ với fin.
5.5 ứng dụng các bộ chuyển đổi trong DTTT
59
5.5.1 Bộ nhân vμ chia tần số
F/V V/F
K R K
V1 V2
f2 f1
K
Hình 5.7
Tần số f2 ở đầu ra (f2= K1f1) vμ K1 có thể (K1>1 hay K1<1) tùy thuộc vμo biến trở
R.
Một đặc điểm của mạch nhân vμ chia tần số nμy so với các nguyên tắc tr−ớc đây
lμ K có thể lμ 1 số lẻ (thập phân) vμ tùy thuộc vμo biến trở R.
5.5.2 Bộ tách sóng pha
VO
F/V
F/V
f1
f2
K
K
V1
V2
R
R
VO = (V2-V1) = K(f2-f1)
Hình 5.8
R R
Điện áp ra của bộ tách sóng pha:
v0= (v2-v1)=K(f2-f1)
5.5.3 Mạch điều chế FM
R1
R2 K
V/F Mạch lọc
VREF
Vout Vi
60
Trong đó
VREF : nguồn điện áp chuẩn
Vi : nguồn tín hiệu vμo
R2: chỉnh tần số trung tâm
Dùng mạch đệm Opamp để loại bỏ dòng vμo V/F, từ đó mới tính đ−ợc fIF vμ Δf.
ffV
RR
KRV
RR
KRf IFiREFout Δ±=+++= 21
2
21
1
5.5.4 Điều chế FSK (Frequency Shift Key)
V/F Mạch lọc
VREF
Vi
R1
Mạch đệm K
fout
R2
R1
R2 C
Vi Vout
FSK
1
0
1 1
Điều chế FSK đ−ợc sử dụng rộng rãi trong truyền thông tin số. Về cơ bản
nó đ−ợc mã hoá 2 trạng thái cơ bản 0-1. Các tần số f1, f2 nμy không cần có độ
phân cách cao. Hình vẽ trên trình bμy mạch điều chế FSK với ngõ vμo có 2 trạng
thái 0, 1, t−ơng ứng ở đầu ra 2 tần số f1, f2. Hai điện trở R1 vμ R2 dùng để ấn định
f1 vμ f2. Đầu ra của bộ chuyển đổi tín hiệu đ−ợc biến thμnh hình sine nhờ 1 bộ lọc,
61
để có chất l−ợng cao thì có thể sử dụng bộ lọc dạng vi mạch. Từ đó tín hiệu đ−ợc
truyền trên dây điện thoại hoặc có thể l−u dữ trên băng cassette nhờ biến thμnh
tín hiệu sine đó. Trong tr−ờng hợp nμy thì ta nên dùng bộ chuyển đổi có độ chính
xác cao ví dụ VF 9400 hay AD 537.
Vi = 0 ⇒ fout = KR1VREF /(R1+R2) = f1
Vi = 1 ⇒ fout = KR1VREF /(R1+R2) + KR1Vi /(R1+R2)
Suy ra f2 > f1
Chuỗi xung từ đầu ra của bộ V- F qua mạch lọc nh− hình vẽ với độ rộng
xung thay đổi, suy ra V0ut có dạng sine
Điều kiện thời hằng τ = RC >>.
. Nếu thay bộ lọc thông thấp ở trên bằng L, C thì dạng sine chuẩn hơn.
. Khi cho Vi = 0 ⇒ V0 sẽ có tần số f1
. Khi cho Vi = 1 ⇒ V0 sẽ có tần số f2 > f1
10 0
5.5.5 Giải điều chế FSK
Tr−ớc tiên để giảm nhiễu, đầu vμo ta dùng bộ lọc dải thông từ f1 đến f2. Bộ
giải mã FSK nhận tín hiệu có 2 tần số f1, f2, qua mạch tách điểm 0 để sửa dạng tín
hiệu, sau đó đi qua mạch chuyển đổi F-V vμ nhờ bộ so sánh với mức điện áp
chuẩn để tìm lại đ−ợc tín hiệu có 2 mức 0-1.
Lọc Tách điểm 0 F/V So
sánh
f1 f2
VBch
62
5.5.6 L−u trữ dữ kiện trên băng cassette
Dữ kiện số có thể l−u trữ trên băng cassette bằng cách sử dụng các bộ biến đổi
V-F. ở các bộ điều chế: các ngõ vμo từ 0 đến 5V. Dữ liệu nμy đ−ợc đ−a vμo bộ V-F
với tần số lμm việc từ 5KHz đến 10KHz, qua bộ chia vμ bộ lọc thông thấp vμ ghi
vμo băng từ. ở quá trình chuyển đổi ng−ợc lại ta lấy đ−ợc dữ liệu nguyên thủy,
qua bộ giải mã vμ lấy lại tín hiệu. Trong tr−ờng hợp muốn l−u trữ dữ liệu số ta
dùng các bộ biến đổi V-F nh− bộ điều chế FSK.
Ghi
Lên
Băng
Trong tr−ờng hợp chúng ta ghi nhiều dữ liệu trên băng từ thì sẽ có nhiều bộ
chuyển FSK t−ơng ứng.
GHI
FSK 1
FSK 2
Demod
FSK 1
Vi1
VBi2B
V/F : 2 Lọc thông thấp
R2
R1
Vi
So
sánh F/VTách điểm 0
A
A
VREF
63
Trong tr−ờng hợp truyền dẫn tínhiệu trên nhiều kênh điện thoại, khi sử
dụng các bộ chuyển đổi F-V vμ V-F cần phải sử dụng thêm các bộ lọc để loại bỏ
các loại nhiễu trên đ−ờng dây vμ thông th−ờng ph−ơng pháp nμy rất thích hợp
cho dải tần số từ 300Hz đến 3kHz.
Ph−ơng pháp xử lý tín hiệu qua bộ điều chế vμ giải điều chế FSK cũng t−ơng
tự nh− l−u trữ trên băng cassette.
1
Ch−ơng 6
Vòng khoá pha PLL
trong đIện tử thông tin
6.1 tổng quan về Vòng khoá pha (Phase Locked Loop - PLL)
Vòng khoá pha PLL lμ hệ thống vòng kín hồi tiếp, trong đó tín hiệu hồi tiếp
dùng để khoá tần số vμ pha của tín hiệu ra theo tần số vμ pha tín hiệu vμo. Tín
hiệu vμo có thể có dạng t−ơng tự hình sine hoặc dạng số. ứng dụng đầu tiên của
PLL vμo năm 1932 trong việc tách sóng đồng bộ. Ngμy nay, nhờ công nghệ tích
hợp cao lμm cho PLL có kích th−ớc nhỏ, độ tin cậy cao, giá thμnh rẻ, dễ sử dụng.
kỹ thuật PLL đ−ợc ứng dụng rộng rãi trong các mạch lọc, tổng hợp tần số, điều
chế vμ giải điều chế, điều khiển tự động v.v... Có hμng chục kiểu vi mạch PLL
khác nhau, một số đ−ợc chế tạo phổ thông đa dạng, một số đ−ợc ứng dụng đặc
biệt nh− tách âm (Tone), giải mã Stereo, tổng hợp tần số. Tr−ớc đây đa phần PLL
bao gồm cả mạch số lẫn t−ơng tự. Hiện nay PLL số trở nên phổ biến.
6.2 Sơ đồ khối
Tách sóng
pha
Lọc thông
thấp
khuếch đại
một chiều
VCO
vi(t), fi
Vd(t)
vdk(t)
fo
Hình 6.1 Sơ đồ khối của vòng giữ pha PLL
vdc(t)
vo(t), fo
2
+ Tách sóng pha: so sánh pha giữa tín hiệu vμo vμ tín hiệu ra của VCO để tạo ra
tín hiệu sai lệch Vd(t)
+ Lọc thông thấp: lọc gợn của điện áp Vd(t) để trở thμnh điện áp biến đổi chậm vμ
đ−a vμo mạch khuếch đại một chiều
+ Khuếch đại một chiều: khuếch đại điện áp một chiều Vdk(t) để đ−a vμo điều
khiển tần số của mạch VCO
+ VCO (Voltage Controled Oscillator): bộ dao động mμ tần số ra đ−ợc điều khiển
bằng điện áp đ−a vμo.
6.3 Hoạt động của mạch
6.3.1 Nguyên lý hoạt động
Vòng khoá pha hoạt động theo nguyên tắc vòng điều khiển mμ đại l−ợng vμo
vμ ra
lμ tần số vμ chúng đ−ợc so sánh với nhau về pha. Vòng điều khiển pha có nhiệm
vụ phát hiện vμ điều chỉnh những sai số nhỏ về tần số giữa tín hiệu vμo vμ ra.
Nghĩa lμ PLL lμm cho tần số của tín hiệu VCO bám theo tần số của tín hiệu
vμo.
of if
Khi không có tín hiệu vi ở ngõ vμo, điện áp ngõ ra bộ khuếch đại Vdc(t) =0, bộ
dao động VCO hoạt động ở tần số tự nhiên fN đ−ợc cμi đặt bởi điện trở, tụ điện
ngoμi. Khi có tín hiệu vμo vi , bộ tách sóng pha so sánh pha vμ tần số của tín hiệu
vμo với tín hiệu ra của VCO. Ngõ ra bộ tách sóng pha lμ điện áp sai lệch Vd(t) , chỉ
sự sai biệt về pha vμ tần số của hai tín hiệu. Điện áp sai lệch Vd(t) đ−ợc lọc lấy
thμnh phần biến đổi chậm Vdc(t) nhờ bộ lọc thông thấp LPF, khuếch đại để thμnh
tín hiệu Vdk(t) đ−a đến ngõ vμo VCO, để điều khiển tần số VCO bám theo tần số
tín hiệu vμo. Đến khi tần số f0 của VCO bằng tần số fi của tín hiệu vμo, ta nói bộ
VCO đã bắt kịp tín hiệu vμo. Lúc bấy giờ sự sai lệch giữa 2 tín hiệu nμy chỉ còn lμ
sự sai lệch về pha mμ thôi. Bộ tách sóng pha sẽ tiếp tục so sánh pha giữa 2 tín hiệu
3
để điều khiển cho VCO hoạt động sao cho sự sai lệch pha giữa chúng giảm đến giá
trị bé nhất.
BL = fmax fmin
fN
fmin fmax
BC = f2 f1
f1 f2
fN
BC = f2 f1
f1 f2
a/ Dải bắt b/ Dải khóa
Dải bắt BC (Capture range): ký hiệu BC=f2- f1, lμ dải tần số mμ tín hiệu vμo
thay đổi nh−ng PLL vẫn đạt đ−ợc sự khoá pha, nghĩa lμ bộ VCO vẫn bắt kịp tần
số tín hiệu vμo. Nói cách khác, lμ dải tần số mμ tín hiệu vμo ban đầu phải lọt vμo
để PLL có thể thiết lập chế độ đồng bộ (chế độ khóa).
H ình 6.2 Dải bắt vμ dải khoa của PLL
BC phụ thuộc vμo băng thông LPF. Để PLL đạt đ−ợc sự khóa pha thì độ sai
lệch tần số (fi fN) phải nằm trong băng thông LPF. Nếu nó nằm ngoμi băng
thông thì PLL sẽ không đạt đ−ợc khóa pha vì biên độ điện áp sau LPF giảm
nhanh.
(fi fN) trong băng
thông LPF đồng bộ đ−ợc
(fi fN) ngoμi băng
thông LPF, không đồng bộ đ−ợc
Điện áp sau LPF
f
Hình 6.3 Điện áp sau bộ lọc thông thấp
Giả sử mạch PLL đã đạt đ−ợc chế độ khoá, VCO đã đồng bộ với tín hiệu vμo.
Bây giờ ta thay đổi tần số tín hiệu vμo theo h−ớng lớn hơn tần số VCO thì VCO sẽ
bám theo. Tuy nhiên khi tăng đến một giá trị nμo đó thì VCO sẽ không bám theo
đ−ợc nữa vμ quay về tần số tự nhiên ban đầu của nó. Ta lμm t−ơng tự nh− trên
nh−ng thay đổi tần số tín hiệu vμo theo h−ớng nhỏ hơn tần số VCO. Đến một giá
trị nμo đó của tần số tín hiệu vμo thì VCO sẽ không bám theo đ−ợc nữa vμ cũng
4
trở về tần số tự nhiên của nó. Dải giá trị tần số từ thấp nhất đến cao nhất đó của
tín hiệu vμo đ−ợc gọi lμ dải khoá. Từ đó ta định nghĩa:
Dải khóa BL (Lock range): ký hiệu BL=fmax- fmin, lμ dải tần số mμ PLL đồng
nhất đ−ợc tần số f0 với fi. Dải nμy còn gọi lμ đồng chỉnh (Tracking range). Các tần
số fmax, fmin tần số cực đại vμ cực tiểu mμ PLL thực hiện đ−ợc khóa pha (đồng bộ).
Dải khóa phụ thuộc hμm truyền đạt (độ lợi) của bộ tách sóng pha, khuếch đại,
VCO. Nó không phụ thuộc vμo đáp tuyến bộ lọc LPF vì khi PLL khóa pha thì fi-
f0 = 0.
Khi PLL ch−a khóa pha: fi ≠ f0. Khi PLL khóa pha: fi = f0. ở chế độ khóa
pha, dao động f0 của VCO bám đồng bộ theo fi trong dải tần khóa BL rộng hơn dải
tần bắt BC.
Ví dụ:
VCO của một vòng khoá pha PLL có tần số tự nhiên bằng 12MHz. Khi tần số
tín hiệu vμo tăng lên từ giá trị 0Hz thì vòng PLL khoá tại giá trị 10MHz. Sau đó
tiếp tục tăng thì nó sẽ bị mất khoá pha tại 16MHz.
1. Hãy tìm dải bắt vμ dải khoá.
2. Ta lặp lại các b−ớc trên nh−ng bắt đầu với tần số tín hiệu vμo có giá trị rất
cao, sau đó giảm dần. Hãy tính các tần số mμ PLL thực hiện khoá pha vμ
mất khoá pha.
BL = fmax fmin
fN
fmin fmax
BC = f2 f1
f1 f2
8 10 1412 16
MHz
Hình 6.4 Dải bắt vμ dải khoá của PLL
1. Dải bắt: BBC = f2 f1=2(12-10)=4MHz
5
Dải khoá: BBL = fmax fmin=2(16-12)=8MHz
2. Đáp ứng của vòng PLL có tính đối xứng, nghĩa lμ tần số tự nhiên tại trung
tâm của dải khoá vμ dải bắt. Do đó, khi giảm tần số tín hiệu vμo đến 14MHz thì
PLL sẽ bắt đầu thực hiện khoá pha (VCO bám đuổi tín hiệu vμo). Tiếp tục giảm
tần số tín hiệu vμo thì đến giá trị 8MHz PLL bắt đầu mất khoá pha (VCO không
bám còn bám đuổi tín hiệu vμo đ−ợc nữa).
6.3.2 Các thμnh phần của PLL
6.3.2.1 Bộ tách sóng pha (Phase Detector):
còn gọi lμ bộ so sánh pha. Có ba loại tách sóng pha:
1. Loại t−ơng tự ở dạng mạch nhân có tín hiệu ra tỷ lệ với biên độ tín hiệu
vμo.
2. Loại số thực hiện bởi mạch số EX-OR, RS Flip Flop v.v... có tín hiệu ra
biến đổi chậm phụ thuộc độ rộng xung ngõ ra tức lμ phụ thuộc sai lệch về pha
giữa hai tín hiệu vμo.
3. Loại tách sóng pha lấy mẫu.
1/ Bộ tách sóng pha t−ơng tự:
X LPF
vi = Asin(ωit + θi) Vd(t) Vdc(t)
vi = 2cos(ω0t + θ0)
Hình 6.5 Nguyên lý hoạt động của bộ tách sóng pha t−ơng tự
Bộ đổi tần hay mạch nhân thực hiện nhân hai tín hiệu. Ngõ ra của nó có điện áp:
)](t)sin[(A)](t)sin[(A)t(V iiiid 0000 θθωωθθωω ++++−+−=
Qua bộ lọc thông thấp LPF, chỉ còn thμnh phần tần số thấp. Khi khóa pha
(ωi=ω0) có Vd = Asin (θi-θ0). Điện áp nμy tỷ lệ với biên độ điện áp vμo A vμ độ sai
pha θe=θI-θ0. Nếu θe nhỏ, hμm truyền đạt của bộ tách sóng pha coi nh− tuyến tính.
Dải khóa giới hạn trong |θe|<π/2. Ta có độ lợi tách sóng pha kφ tính đ−ợc theo
công thức:
6
kφ = A (V/radian)
Vd
θe (Radian)
A
-A
π/2
-π/2
Asin(θe)
Hình 6.6 Hμm truyền đạt của bộ tách sóng pha t−ơng
tự
2/ Bộ tách sóng pha số:
Dùng mạch số EX-OR, R-S Flip Flop v.v... có đáp tuyến so sánh pha dạng:
Vd
θe (radian)
A
-A
π/2
-π/2
Hình 6.7 Hμm truyền đạt của bộ tách sóng pha số
Đáp tuyến tuyến tính trong khoảng |θe|≤π/2. Độ lợi tách sóng pha:
kφ = A/(π/2) = 2A/π
Tách sóng pha số EX-OR vμ đáp tuyến:
Vd
π/2 π 2
Vd
θπ0 Be
7
θe
Tách sóng pha số dùng R-S Flip Flop vμ đáp tuyến:
Vd
Điện áp sai lệch biến đổi chậm Vd tại ngõ ra bộ tách sóng pha số tỷ lệ với độ
rộng xung ngõ ra tức lμ tỷ lệ độ sai lệch về pha θe (hay tần số tức thời) của hai tín
hiệu vμo.
6.3.2.2 Lọc thông thấp LPF
LPF th−ờng lμ mạch lọc bậc 1, tuy nhiên cũng dùng bậc cao hơn để triệt
thμnh phần AC theo yêu cầu. LPF có thể ở dạng mạch thụ động hay tích cực.
Ngõ ra bộ tách sóng pha gồm nhiều thμnh phần f0, fi, fi-f0, fi+f0, v.v...
Sau LPF chỉ còn thμnh phần tần số rất thấp (fi-f0) đến bộ khuếch đại để điều
khiển tần số VCO bám theo fi. Sau vμi vòng điều khiển hồi tiếp PLL đ−ợc đồng bộ
(khóa pha) fi=f0, tần số phách (fi-f0)=0. Vòng khóa pha hoạt động chính xác khi
tần số vμo fi, f0 thấp khoảng vμi trăm KHz trở lại.
6.3.2.3 Khuếch đại một chiều
Khuếch đại tín hiệu biến đổi chậm (DC) sau bộ lọc thông thấp LPF. Độ lợi
khuếch đại kA.
S
R
Q
Vd
θe
Vce
θe
2π 0
Rf
C
R1R
C
Rf
R1
VBd VB0
R1
RBf
Vd
Re
Rc
8
6.3.2.4 VCO (Voltage controlled oscillator)
Lμ mạch dao động có tần số đ−ợc kiểm soát bằng điện áp .
Yêu cầu chung của mạch VCO lμ quan hệ giữa đIện áp điều khiển Vdk(t) vμ
tần số ra fo(t) phải tuyến tính. Ngoμi ra mạch còn có độ ổn định tần số cao, dải
biến đổi của tần sô theo điện áp vμo rộng, đơn giản, dễ điều chỉnh vμ thuận lợi cho
việc tổ hợp thμnh vi mạch (không có điện cảm).
Về nguyên tắc có thể dùng mọi mạch dao động lμ tần số dao động có thể biến
thiên đ−ợc trong phạm vi %% 5010 ±ữ± xung quanh tần số dao động tự do. Tuy
nhiên các bộ dao động tạo xung chữ nhật đ−ợc sử dụng rộng rãi vì loại nμy có thể
lμm việc trong phạm vi tần số khá rộng (từ 1MHz đến khoảng 100MHz). Trong
phạm vi từ 1MHz đến 50MHz th−ờng dùng các mạch dao động đa hμi.
+Vcc
-Vcc
Vo,
fo
Rc Rc C C
R R
Vdk
Hình 6.9 Mạch VCO tiêu biểu
9
Hình 6.9 biểu diễn một mạch VCO dao động đa hμi tiểu biểu. Khi nối đầu
đIều khiển Vdk với Vcc thì đây lμ một mạch dao động đa hμi thông th−ờng, khi
tách ra vμ đặt điện áp đIều khiển Vdk vμo đầu đó thì tần số dãy xung ra biến thiên
theo điện áp Vdk. Cụ thể nếu Vdk tăng thì thời gian phóng nạp của tụ giảm do đó
tần số ra tăng vμ ng−ợc lại. Ta có đặc tuyến truyền đạt fo(Vdk) đ−ợc biểu diễn nh−
hình 6.10
Miền lμm việc
fo [KHz]
Vdk [v]
1,1
1,0
0,9
-5 0 5
Hình 6.10 Đặc tuyến truyền đạt fo(Vdk) tiêu biểu của
VCO
Ví dụ:
V0
f0 (KHz)
-2 -1 0 1 2
140
fN 100
60
Đặc tuyến truyền đạt của 1 VCO có dạng nh− hình vẽ. Khi điện áp vμo VCO
bằng 0, tần số dao động tự do lμ fN. Khi điện áp điều khiển thay đổi một l−ợng
ΔV0, tần số ra thay đổi một l−ợng Δf0.
10
Độ lợi chuyển đổi V to f của VCO: k0= Δf0/ΔV0 (Hz/V)
Tần số fN ở giữa vùng tuyến tính đáp tuyến. Ví dụ khi điện áp vμo thay đổi từ
1V đến 1V, tần số tăng từ 60KHz đến 140KHz. Độ lợi chuyển đổi (hay độ nhạy
k0):
VKHz
V
KHz
V
fk /40
)]1(1[
)14060(
0
0
0 −=−−
−=Δ
Δ=
6.4 ứng dụng của vòng khoá pha PLL
6.4.1 Bộ tổng hợp tần số đơn
Nh− đã đề cập trong các ch−ơng tr−ớc, trong các máy phát hoặc các máy
thu đổi tần cần có các mạch dao động có thể thay đổi tần số để phát hoặc thu các
kênh khác nhau. Tr−ớc đây, ng−ời ta thực hiện thay đổi tần số mạch dao động LC
bằng cách thay đổi giá trị của L hoặc C. Lúc đó chúng đ−ợc gọi lμ các mạch dao
động có thể thay đổi tần số VFO (Variable-frequency Oscillators). Tuy nhiên,
mạch dao động th−ờng không có độ ổn định cao trong một dải tần số rộng do giá
trị của L vμ C th−ờng thay đổi theo nhiệt độ, độ ẩm vμ các tác nhân khác. Đồng
thời chúng th−ờng cồng kềnh vμ giá thμnh cao.
Việc sử dụng thạch anh trong mạch dao động có thể tăng độ ổn định tần số
dao động lên rất cao, độ di tần t−ơng đối có thể giảm đến vμi phần triệu trong
khoảng thời gian dμi. Tuy nhiên, tần số của chúng chỉ có thể thay đổi rất nhỏ
bằng cách thay đổi các tụ nối tiếp hoặc song song. Nghĩa lμ nó không tạo ra đ−ợc
các tần số khác biệt nhau.
Nhiều năm gần đây ng−ời ta kết hợp các mạch dao động thạch anh có tần số
ổn định với các chuyển mạch để tạo ra các tần số khác nhau cho các kênh. Tuy
nhiên, giải pháp nμy cũng tốn nhiều linh kiện vμ giá thμnh cao.
Gần đây, ng−ời ta thiết kế vμ đ−a vμo sử dụng các bộ tổng hợp tần số dựa
trên nguyên lý vòng khoá pha PLL. Nó cμng ngμy cμng phổ biến vμ đ−ợc dùng
trong hầu hết các máy thu phát hiện đại do tính gọn nhẹ, không yêu cầu độ chính
xác cơ khí cao, ứng dụng các thμnh quả của công nghệ sản xuất vi mạch để nâng
11
cao tốc độ vμ tính chính xác của các IC chế tạo nên PLL. Đồng thời khi kết hợp
với thạch anh, nó có khả năng tạo ra dải tần rộng, độ chính xác cao, giá thμnh
thấp
Bộ tách sóng
pha LPF VCO
fref f0 = Nfref
ữ N
f0/N
Bộ chia lập trình đ−ợc
Hình 6.11 Bộ tổng hợp tần số đơn
Bộ tổng hợp tần số đơn đ−ợc thiết kế bằng cách đ−a tín hiệu chuẩn từ dao
động thạch anh vμo so pha một mạch PLL có bộ chia lập trình đ−ợc nh− hình
6.11. Khi PLL thực hiện khoá pha, thì ta có
N
ff VCOref = Suy ra orefVCO fNff == . Ví
dụ bộ đếm lập trình 74192.
Điều nμy có nghĩa lμ khi ta thay đổi N từ bộ chia sẽ nhận đ−ợc các tần số ra
khác nhau. Hệ số N có thể đ−ợc chọn giá trị khác nhau bằng cách thay đổi điện
áp một vμi chân của IC chia. Do đó bộ tổng hợp tần số nμy có thể đ−ợc điều khiển
dễ dμng nhờ máy tính hoặc điều khiển từ xa. Đồng thời, giảm đ−ợc giá thμnh vμ
độ phức tạp so với các bộ tổng hợp tần số sử dụng L,C tr−ớc đây.
Khuyết điểm duy nhất của mạch nμy lμ nó chỉ tạo ra các tần số bằng bội số
của tần số chuẩn . Chẳng hạn, khi frefo Nff = ref=100KHz thì mạch sẽ tạo ra đ−ợc
các tần số bằng bội số của 100KHz. Điều nμy phù hợp với ch−ơng trình phát
quảng bá FM trong đó khoảng cách giữa các kênh bằng 200KHz. Trong khi đó,
nó không phù hợp với ch−ơng trình phát quảng bá AM trong đó khoảng cách
kênh lμ 10KHz (thạch anh không thể dao động d−ới tần số 100 KHz)
B−ớc thay đổi tần số tối thiểu gọi lμ độ phân giải của bộ tổng hợp tần số.
12
Để khắc phục, ng−ời ta sử dụng một bộ chia cố định để chia nhỏ tần số chuẩn
tr−ớc khi đ−a vμo bộ tách sóng pha nh− hình vẽ.
ì LPF
VCO
ữ N
ữ Q
fref f0
Bộ chia lập trình
Hình 6.13 Bộ tổng hợp tần số có tần số ra thấp
TA
Dao động thạch
anh
Bộ chia
cố định
Ví dụ: Hãy thiết kế bộ tổng hợp tần số PLL sử dụng thạch anh 10MHz sao cho nó
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- thiet_bi_thu_phat_147.pdf