LỜI CAM ĐOAN . i
LỜI CẢM ƠN . ii
MỤC LỤC.iii
DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU . vi
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU . ix
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ. x
MỞ ĐẦU. 1
Chương 1 MEMS VÀ VI CẢM BIẾN VẬN TỐC GÓC . 5
1.1. Tổng quan về MEMS . 5
1.1.1. Lịch sử phát triển và ứng dụng của MEMS . 5
1.1.2. Các hiệu ứng sử dụng trong MEMS. 7
1.1.3. Công nghệ chế tạo các thiết bị MEMS. 8
1.2. Cảm biến vận tốc góc và ứng dụng . 10
1.2.1. Cảm biến vận tốc góc kiểu con quay cổ điển. 10
1.2.2. Cảm biến vận tốc góc kiểu quang học . 12
1.2.3. Cảm biến vận tốc góc vi cơ điện tử. 13
1.3. Vi cảm biến vận tốc góc kiểu dao động . 15
1.3.1. Nguyên lý hoạt động . 15
1.3.2. Các thông số đánh giá chất lượng của MVG . 16
1.3.3. Phân loại cảm biến vận tốc góc kiểu dao động . 17
1.4. Các nghiên cứu về MVG. 18
1.4.1. Vi cảm biến vận tốc góc với dầm xoắn. 19
1.4.2. Vi cảm biến vận tốc góc kiểu vòng dao động . 19
1.4.3. Vi cảm biến vận tốc góc nhiều trục. 20
1.4.4. Vi cảm biến vận tốc góc kiểu dao động thẳng nhiều bậc tự do . 21
Kết luận chương 1 . 30iv
Chương 2 CƠ SỞ VẬT LÝ VÀ CƠ HỌC CỦA VI CẢM BIẾN VẬN TÔC
GÓC. 32
2.1. Nguyên lý chung về hoạt động của cảm biến vận tốc góc. 32
2.2. Hiệu ứng tĩnh điện. 33
2.2.1. Tụ điện phẳng. 33
2.2.2. Lực pháp tuyến. 35
2.2.3. Lực tiếp tuyến. 36
2.2.4. Hiệu ứng viền giữa các bản tụ. 37
2.2.5. Ứng dụng hiệu ứng tĩnh điện trong các bộ vi kích hoạt răng lược . 40
2.3. Ứng dụng hiệu ứng tĩnh điện trong cảm ứng tín hiệu. 43
2.3.1. Ảnh hưởng của khe hở giữa hai bản tụ . 43
2.3.2. Ảnh hưởng của khoảng xếp chồng. 44
2.3.3. Hệ tụ điện cảm ứng vi sai. 45
2.4. Điều chế và giải điều chế . 47
2.4.1. Điều chế tín hiệu biên độ dao động. 47
2.4.2. Giải điều chế. 49
2.5. Cơ sở cơ học của vi cảm biến vận tốc góc . 51
2.5.1. Hệ số độ cứng tương đương của các dầm đàn hồi . 51
2.5.2. Thành phần cản trong mô hình dao động của hệ vi cơ điện tử . 58
Kết luận Chương 2 . 62
Chương 3 ĐỘNG LỰC HỌC VI CẢM BIẾN VẬN TỐC GÓC HAI BẬC TỰ
DO . 63
3.1. Động lực học vi cảm biến vận tốc góc một phần tử hai bậc tự do. 63
3.1.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của MVG cơ bản . 63
3.1.2. Hệ phương trình vi phân dao động của MVG cơ bản . 64
3.1.3. Dao động tự do của MVG cơ bản . 67
3.1.4. Dao động cưỡng bức của MVG cơ bản. 70
3.1.5. Hiện tượng quá điều chế. 72
3.2. Xây dựng mô hình vi cảm biến vận tốc góc hai phần tử khối lượng. 73
3.2.1. Mô hình động lực học của MVG hai phần tử khối lượng. 73
3.2.2. Mô hình 3D của MVG hai phần tử khối lượng. 75
3.2.3. Xác định giá trị các tham số động lực học đặc trưng của MVG. 77
3.3. Động lực học vi cảm biến vận tốc góc hai khối lượng, hai bậc tự do. 81
3.3.1. Hệ phương trình vi phân dao động của MVG hai khối lượng . 81v
3.3.2. Các dạng dao động riêng. 84
3.3.3. Đáp ứng biên độ tần số. 88
3.3.4. Một số dạng dao động của MVG . 91
Kết luận Chương 3 . 96
Chương 4 ĐỘNG LỰC HỌC VI CẢM BIẾN VẬN TỐC GÓC KIỂU ÂM
THOA. 98
4.1. Cảm biến vận tốc góc kiểu âm thoa . 98
4.2. Mô hình hóa vi cảm biến vận tốc góc kiểu TFG. 99
4.2.1. Lựa chọn mô hình nghiên cứu. 99
4.2.2. Phương trình vi phân mô tả dao động của hệ. 103
4.3. Phân tích động lực học của khung liên kết kiểu quả trám . 106
4.3.1. Đáp ứng động lực học khung quả trám . 107
4.3.2. Lựa chọn kích thước phù hợp cho khung quả trám . 111
4.4. Đặc trưng dao động của TFG. 113
4.4.1. Dao động tự do trên phương dẫn. 113
4.4.2. Đáp ứng biên độ tần số cho dao động dẫn của hai khung ngoài. 114
4.4.3. Dao động ngược pha của hai khung dẫn ngoài . 116
4.4.4. Dao động trên phương cảm của hai phần tử quán tính . 118
4.5. Khả năng bù lệch pha của cấu trúc TFG đề xuất . 119
4.5.1. Khả năng bù lệch pha cho dao động dẫn. 120
4.5.2. Khả năng bù lệch pha cho dao động cảm. 122
4.6. Một số kết quả mô phỏng. 123
4.6.1. Xây dựng mô hình. 123
4.6.2. Phân tích Modal.
153 trang |
Chia sẻ: trungkhoi17 | Lượt xem: 437 | Lượt tải: 1
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận án Động lực học vi cảm biến vận tốc góc kiểu âm thoa, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
C v t t
t
K C v
V K C v t t
t
(2.29)
51
Một bộ khuếch đại vi sai sẽ tạo ra sự sai khác giữa hai tín hiệu điện áp
này. Khi các điện dung danh nghĩa tương thích với nhau, các thành phần
cosc sn c cK C v t trong công thức (2.29) được loại bỏ. Sau khi lọc bỏ tín hiệu,
sự sai khác điện áp giữa các bản tụ là:
( )sin( )
( )sin( )
s s s s c c d c d
c d c d
V V V K C v t
t
(2.30)
Tín hiệu này được giải điều chế tại tần số mang ωc bằng cách nhân nó với
một tín hiệu mang tham chiếu có dạng:
cos( )cr cr cV v t (2.31)
Sau khi nhân, tín hiệu giải điều chế trở thành:
1
( ) cos( ) cos((2 ) )
2
1
( ) cos( ) cos((2 ) )
2
sd s c cr c d d c d
s c cr c d d c d
V K C v v t t
K C v v t t
(2.32)
Biên độ của tín hiệu sau giải điều chế đạt lớn nhất khi θ = 900 với ωc≫ωd.
Khi tín hiệu sau giải điều chế được lọc ở tần số dẫn ωd, các tín hiệu cao tần là
2ωc, (2ωc - ωd) và (2ωc + ωd) suy biến và ta nhận được tín hiệu:
0 sinsd c s c cr dV K C v v t (2.33)
Tín hiệu Vsd là biên độ sau giải điều chế thu được khi sử dụng tín hiệu
chuẩn từ dao động của mạch dẫn động.
2.5. Cơ sở cơ học của vi cảm biến vận tốc góc
Hệ dao động cơ học gồm ba thành phần cơ bản là phần tử quán tính, phần
tử cản và phần tử đàn hồi. Giá trị của phần tử quán tính trong các hệ MVG được
xác định thông qua kích thước và đặc trưng vật liệu của nó. Trong phần này,
luận án chỉ tập trung vào hai phần tử còn lại của hệ.
2.5.1. Hệ số độ cứng tương đương của các dầm đàn hồi
Phần tử đàn hồi trong các MVG có dạng các dầm đàn hồi liên kết các phần
tử với nhau và với nền. Các dầm đàn hồi này được thiết kế sao cho các phần tử
52
khối lượng dễ dàng thực hiện dao động tịnh tiến trên các phương mong muốn
(phương dẫn và phương cảm). Độ dày của các dầm đàn hồi này được xác định
theo độ dày chung của toàn bộ cấu trúc. Độ cứng của dầm được thiết kế sao cho
hệ đạt trạng thái cộng hưởng hoặc gần cộng hưởng trên cả phương cảm và phương
dẫn, đồng thời hạn chế dao động trên các phương khác bằng cách thiết kế sao cho
độ cứng trên các phương này khác xa so với độ cứng trên hai phương chính.
Một số dạng dầm đàn hồi sử dụng trong các cấu trúc vi cơ điện tử như sau:
a) Dầm đơn thẳng (Single beam)
Cấu trúc dầm đơn này có thiết kế đơn giản, mặt cắt ngang có thể là hình
chữ nhật hoặc hình thang với thiết diện không đổi theo chiều dài dầm.
Hình 2.19 giới thiệu một cấu trúc dầm đơn chiều dài L với hai dạng mặt
cắt ngang cơ bản là hình chữ nhật (b×h) và hình thang (đáy h và h'). Dầm có
thể có cấu trúc ở dạng một đầu ngàm (Fixed) - hay còn được gọi là điểm neo
(Anchor), trong khi đầu còn lại có thể ở dạng tự do (Free), hoặc được dẫn hướng
(Guided) theo một phương hoặc cũng được ngàm. Khi ứng xử đàn hồi của dầm
được xem là tuyến tính, độ cứng tương đương của chúng được xác định theo
công thức:
P
k
(2.34)
trong đó, k là hệ số độ cứng tương đương theo phương của chuyển vị, δ là
chuyển vị của dầm tại vị trí đặt lực tác dụng, P là lực tác dụng đặt lên dầm.
Cố định
L
y
zO
y
xO
b
h
A
B
b
h
h'
Mặt cắt ngang
Hình 2.19. Cấu trúc dầm đơn và các dạng mặt cắt ngang
53
Áp dụng các công thức tính trong các tài liệu [7], [20] và [37], ta có công
thức xác định độ cứng tương đương của cấu trúc dầm đơn trong từng trường
hợp cụ thể như sau:
- Dầm đơn có liên kết kiểu Fixed-Free:
Độ cứng tương đương của dầm trên phương x:
x
EF
k
L
(2.35)
Độ cứng tương đương của dầm trên phương y:
3
3 y
y
EJ
k
L
(2.36)
Độ cứng tương đương trên phương z:
3
3 z
z
EJ
k
L
(2.37)
- Dầm đơn có liên kết kiểu Fixed-Guided:
Độ cứng tương đương trên phương x vẫn được tính theo công thức (2.35).
Độ cứng tương đương trên phương y:
3
12 y
y
EJ
k
L
(2.38)
Độ cứng tương đương trên phương z:
3
12 z
z
EJ
k
L
(2.39)
- Dầm đơn có liên kết kiểu Fixed-Fixed:
Độ cứng tương đương của dầm trên phương x theo công thức (2.35).
Độ cứng tương đương của dầm trên phương y khi điểm đặt lực ở giữa dầm:
3
192 y
y
EJ
k
L
(2.40)
Độ cứng tương đương trên phương z:
3
192 z
z
EJ
k
L
(2.41)
Trong các công thức trên, E là mô đun đàn hồi của vật liệu; F là diện tích
mặt cắt ngang; Jy và Jz là mô men quán tính của mặt cắt ngang với các trục
54
tương ứng đi qua trọng tâm mặt cắt. Với các dạng mặt cắt khác nhau, các thành
phần Jy và Jz được xác định như sau:
+ Với mặt cắt ngang là hình chữ nhật
3
3
12
12
y
z
hb
J
bh
J
(2.42)
+ Với mặt cắt ngang là hình thang
3 2 2
3 4 4 3 3 2 2
2
( 4 )
36( )
( )(33 3 48 12 8 )
12 144( )
y
z
b h hh h
J
h h
bh b h h h h h h h h h h
J
h h
(2.43)
b) Dầm đơn vuông góc
Trong mô hình của các thiết bị vi cơ điện tử còn xuất hiện một số cấu trúc
với dầm kiểu vuông góc (Crab leg) hoặc kiểu chữ H (H-type beam) [20].
Ưu điểm của cấu trúc dầm kiểu này là có thể tạo ra hai dao động trên hai
phương (Ox và Oy) vuông góc nhau cho cùng một phần tử khối lượng ở đầu
dầm. Đặc điểm này cho phép sử dụng dầm trên trong thiết kế các MVG dạng
một phần tử khối lượng tham gia hai bậc tự do trên hai phương vuông góc nhau.
L1, h1
L2, h2
F
y
x
O
Hình 2.20. Cấu trúc dầm đơn vuông góc
Cấu tạo của kiểu dầm này (Hình 2.20) gồm hai đoạn dầm vuông góc nhau.
Các đoạn dầm có chiều dài là L1, L2; chiều rộng là h1, h2 và độ dày cấu trúc là b.
55
Độ cứng tương đương của dầm kiểu này được xác định như sau [37]:
3
2 2 1
2 2 1
3
1 1 2
1 1 2
4
4
4
4
h
x
h
h
y
h
Eb h L r L
k
L L r L
Eb h L r L
k
L L r L
(2.44)
với
3
1 2hr h h
c) Dầm gập (Folded beam)
Cấu trúc dầm gập được chỉ ra trên Hình 2.21a với hai đoạn dầm giống hệt
nhau (L1, h1) được liên kết bởi đoạn dầm có kích thước khác (L2, h2). Một đầu
dầm được ngàm cố định, trong khi đầu còn lại có thể ở dạng tự do hoặc có dẫn
hướng. Một hình ảnh chế tạo cho cấu trúc này được thể hiện trên Hình 2.21b.
a)
L1, h1
L
2
,
h
2
F
L1, h1
y
x
O
b)
Hình 2.21. Cấu trúc dầm gập
Trong trường hợp đầu còn lại là tự do, hệ dầm treo được đưa về hệ hai
dầm đơn cùng kiểu mắc nối tiếp nhau và do đó, các hệ số độ cứng tương đương
trên các phương y và z được xác định theo các công thức sau [20]:
56
1 1 1
folded single singlek k k
Theo đó, ta có được công thức xác định hệ số độ cứng tương đương:
2
single
folded
k
k (2.45)
trong đó ksingle được xác định theo các công thức (2.36) và (2.37).
Trong trường hợp đầu còn lại của dầm gập được dẫn động theo một
phương thì độ cứng tương đương của dầm gập được xác định gần đúng theo
công thức (2.45) nhưng các giá trị của ksingle được xác định theo các công thức
(2.38) và (2.39) tương ứng. Ngoài ra theo [37], các hệ số độ cứng tương đương
cũng có thể được xác định theo công thức chính xác hơn:
3
1
2
2 1 2
3
1 1 2
1 1 2
6
2
4 2
x
h
h
y
h
Ebh
k
r L L L
Eb h L r L
k
L L r L
với
3
1
2
h
h
r
h
(2.46)
Các dầm gập kiểu này cho phép tạo ra các cấu trúc có độ cứng thấp hơn,
dễ tạo các dao động theo phương mong muốn mà vẫn đảm bảo được độ cứng
vững cho kết cấu.
Hình 2.21b giới thiệu một hình ảnh thực tế sau chế tạo của mô hình dầm
gập kép [20]. Trong cấu trúc này, các dầm gập kép được sử dụng để liên kết
động các phần tử khối lượng m1, m2 với khung liên kết ở giữa.
d) Dầm gập kép (Douple folded beam)
Cấu trúc dầm gập kép gồm hai hay nhiều dầm gập liên kết với nhau theo
kiểu song song. Theo đó, độ cứng tương đương của hệ tăng lên.
Cấu trúc dầm gập kép như trên Hình 2.22, gồm hai hoặc nhiều dầm gập
liên kết song song nhau với nhau. Trong trường hợp không kể đến chiều dài
của phần dầm liên kết (L2) và độ rộng của dầm liên kết lớn hơn nhiều so với
57
dầm chính, độ cứng tương đương của dầm gập kép có thể được xác định gần
đúng theo công thức:
2double folded folded singlek k k (2.47)
trong đó ksingle được xác định theo các công thức (2.36) và (2.37).
L
1
,
J 1
L2, J2
y
x
O
Hình 2.22. Cấu trúc dầm gập kép
Nếu kể đến chiều dài dầm liên kết và tính tương đồng giữa độ rộng của
các đoạn dầm, công thức xác định độ cứng tương đương của hệ như sau [37]:
2 2
1
2 2 2
1
2 2
2
2 2 2
2
12 14 36
4 41 36
12 8 8
4 10 5
L L J J
x
L L J J
L L J J
y
L L J J
EJ r r r r
k
L r r r r
EJ r r r r
k
L r r r r
với 2 2
1 1
; L J
L J
r r
L J
(2.48)
trong đó J1 và J2 là các mô men quán tính của mặt cắt ngang các đoạn dầm
chiều dài L1 và L2.
Theo công thức (2.48), khi J2 >> J1, các công thức xác định độ cứng tương
đương của dầm gập theo phương x và y lần lượt là:
1 2
2 2
1 2
12 2,4
; x y
EJ EJ
k k
L L
(2.49)
Tùy vào yêu cầu thiết kế của từng thiết bị, các cấu trúc dầm đàn hồi được
sử dụng để có được độ cứng mong muốn.
58
2.5.2. Thành phần cản trong mô hình dao động của hệ vi cơ điện tử
Các thiết bị MEMS hoạt động như một hệ dao động cơ học, do đó yếu tố
cản luôn được quan tâm nghiên cứu nhằm tạo cho thiết bị hoạt động trong điều
kiện tốt nhất có thể. Nhiều cảm biến, trong quá trình đóng gói thường được hút
chân không, tức là môi trường làm việc của chúng là chân không, khi đó yếu tố
cản do ma sát của lớp không khí gây ra với các thành phần chuyển động được
hạn chế đến mức tối đa. Tuy nhiên, trong thực tế, vẫn có những thiết bị hoạt
động trong môi trường không khí hoặc chất lỏng, khi đó tính chất cản nhớt của
môi trường có ảnh hưởng đáng kể tới chất lượng hoạt động của thiết bị.
Trong phạm vi nghiên cứu của luận án, tác giả chỉ quan tâm tới môi trường
hoạt động là chân không hoặc không khí. Vì vậy, nghiên cứu về cản nhớt của
không khí sẽ được đề cập trong mục này.
Có 2 loại lực cản của không khí lên các thành phần chuyển động:
- Lực cản do ma sát trượt hình thành khi các lớp không khí nằm giữa các
khe hẹp có chuyển động tương đối (Slide damping),
- Lực cản ma sát hình thành do sự nén của các lớp không khí nằm giữa các
khe hẹp (Squeeze damping).
a) Cản do ma sát trượt của lớp không khí trong khe hẹp
Khi hai tấm phẳng có diện tích A đặt cách nhau khoảng d0 và chuyển động
tương đối với nhau theo phương song song với mặt phẳng của tấm (Hình 2.4b),
do tồn tại lớp không khí giữa hai tấm phẳng nên xuất hiện lực cản do ma sát
trượt giữa các lớp không khí với nhau và với tấm phẳng chuyển động.
Hệ số cản do ma sát trượt của hệ được xác định từ phương trình Navier-
Stokes cho chất khí lý tưởng, và có thể viết theo công thức sau [33], [61]:
0
sl SL
A
c
d
(2.50)
trong đó, SL là độ nhớt hiệu dụng của môi trường khí giữa hai tấm phẳng khi
59
trượt và được xác định gần đúng theo công thức:
100,7881 2 0,2 n
SL K
n nK K e
(2.51)
với μ là độ nhớt động học của không khí (μ = 1,86×10-5 N.s/m); Kn là hệ số
Knudsen, được xác định theo tỷ số giữa mức di chuyển của phân tử khí giữa
hai tấm phẳng λ (mean-free-path) với khoảng cách giữa hai tấm đó:
0nK d (2.52)
Mức di chuyển của phân tử khí λ được xác định theo công thức:
22
BK T
D p
(2.53)
trong đó KB là hằng số Boltzmann KB = 1,38×10-23 J/K; T là nhiệt độ môi trường
(Kenvil); D là đường kính phân tử khí; p là áp suất môi trường. Trong các tính
toán gần đúng, người ta thường xác định mức di chuyển của phân tử khí dựa
vào hệ thức sau [20]:
pλ = 6,777×10-3
Trong các thiết kế về MVG, các phần tử khối lượng có chuyển động phẳng
và song song với lớp nền sẽ xuất hiện yếu tố cản do ma sát trượt được xem như
cản nhớt. Ngoài ra, các cấu trúc dẫn động răng lược kiểu tụ cũng có dạng
chuyển động song song giữa hai bề mặt của bản tụ (khoảng cách giữa các bề
mặt thường từ 2 μm) nên yếu tố cản do ma sát trượt cũng xuất hiện ở cấu trúc
này. Theo đó, đây sẽ là yếu tố chính gây ra lực cản trong các cấu trúc MVG.
b) Cản ma sát do sự nén lớp không khí trong khe hẹp
Lực cản do sự nén lớp không khí trong khe hẹp xuất hiện khi hai tấm phẳng
song song có dịch chuyển tương đối theo phương pháp tuyến làm thay đổi khoảng
cách giữa chúng (Hình 2.4a). Lực cản này xuất hiện phổ biến trong các thiết bị
MEMS và được xác định dựa trên phương trình viết cho lớp chất khí Reynolds
[42], với giả thiết rằng khoảng cách y giữa bề mặt hai tấm phẳng lớn hơn nhiều
so với mức dịch chuyển λ của phân tử khí trong lớp chất giữa hai tấm phẳng.
60
Theo [42], hệ số cản của không khí cho hai tấm phẳng song song có dịch
chuyển theo phương pháp tuyến được xác định bởi:
22
6 2
22 2 2 4,0
64
( )
sq
m n
m npA
c
y
mn m n
(2.54)
trong đó, m và n là các số lẻ; A là diện tích trùng nhau của hai tấm (A = L.b, với
L và b là độ dài khoảng xếp chồng và chiều rộng của hai tấm phẳng); p là áp
suất môi trường làm việc; β là tỷ số hình dạng β = b/L (β = 1 khi tấm có dạng
hình vuông, β = 0 khi tấm có chiều dài lớn hơn nhiều so với chiều rộng); σ là
hệ số nén khí (squeeze number) được xác định theo công thức:
2
2
0
12 SQL
pd
(2.55)
Trong công thức (2.55), ω là tần số vòng kích thích; μSQ là hệ số độ nhớt
hiệu dụng khi kể đến sự nén của lớp không khí được xác định theo công thức:
1,1591 9,638
SQ
nK
(2.56)
Do m và n là các số lẻ nên nếu chỉ chọn giá trị m = n = 1, công thức (2.54)
có thể viết lại như sau [37]:
22
26 22 2 4
0
1 164
1 1
sq
pA
c
y
(2.57)
Trong nhiều trường hợp các tấm phẳng dịch chuyển với tần số hoặc tốc độ
thấp, lớp không khí gần như không bị nén, hệ số cản của không khí lên tấm
phẳng hình chữ nhật chuyển động được xác định theo công thức:
3
3
( )
SQ
sq rec
Lb
c
y
(2.58)
với η(β) là hệ số phụ thuộc hình dạng của tấm phẳng, với tấm phẳng dài η(0) = 1,
với tấm hình vuông η(1) = 0,42. Hình 2.23 là đường cong biểu diễn mối quan
hệ phụ thuộc của η vào tỷ số hình dạng β theo công thức sau [42]:
61
5 5
1,3,5
192 1
( ) 1 tanh
2n
n
n
(2.59)
Hình 2.23. Sự phụ thuộc của hệ số η vào tỷ số hình dạng β
Trong cấu trúc MVG, lực cản ma sát do sự nén lớp không khí giữa hai bản
tụ xuất hiện trên phương cảm, khi các răng lược của cấu trúc có sự dịch chuyển
trên phương pháp tuyến của các bản tụ. Trong quá trình tính toán và xác định
các giá trị động lực học đặc trưng của một cấu trúc MVG bất kỳ với kích thước
thiết kế đã có, các hệ số cản của cả hệ được xác định trên từng phương dựa vào
cấu trúc thực, trong đó các thành phần cản cần được xác định dưới dạng hệ
giảm chấn mắc song song hoặc nối tiếp. Khi đó, hệ số cản tương đương của
toàn hệ được xác định theo các công thức sau [2]:
; (1,2,3,...)ic c i (2.60)
1 1
; (1,2,3,...)
i
i
c c
(2.61)
Công thức (2.60) được sử dụng cho trường hợp các thành phần cản được
bố trí song song nhau, trong khi công thức (2.61) được sử dụng cho trường hợp
các thành phần cản được bố trí nối tiếp.
Các công thức xác định hệ số cản và hệ số độ cứng tương đương cũng có
thể được sử dụng trong quá trình thiết kế và tối ưu hóa các thông số kích thước
của các MVG.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
η
(β
)
β
62
Kết luận Chương 2
Trong chương này, luận án đã trình bày khái quát cơ sở vật lý của lực tĩnh
điện và cơ sở cơ học của các vi cảm biến vận tốc góc kiểu dao động với phần
kích thích và phần cảm ứng đều được thực hiện theo hiệu ứng tĩnh điện (dẫn
động tĩnh điện, cảm ứng điện dung). Phần cơ sở cơ học cho phép xác định hệ
số độ cứng của các thanh đàn hồi và hệ số cản nhớt của môi trường trong hệ
dao động cơ học MEMS, phục vụ cho việc tính toán các giá trị động lực học
đặc trưng cho một hệ vi cảm biến đã có hoặc có thể tính toán lựa chọn kích
thước hợp lý cho hệ cơ học theo định hướng thiết kế nhất định.
63
Chương 3
ĐỘNG LỰC HỌC VI CẢM BIẾN VẬN TỐC GÓC HAI BẬC TỰ DO
Chương 3 tiến hành thiết lập và giải hệ phương trình vi phân chuyển động
bằng phương pháp số, phân tích đáp ứng động lực học của hệ MVG cơ bản, lý
tưởng một phần tử khối lượng hai bậc tự do để giải thích rõ nguyên lý hoạt
động của các MVG theo hiệu ứng Coriolis, thông qua đó luận án cũng chỉ ra
những nhược điểm của mô hình MVG kiểu này. Cấu trúc MVG được phát triển
tiếp với mô hình gồm 2 phần tử khối lượng liên kết với nhau để khắc phục
những nhược điểm của mô hình trước đó. Các đáp ứng động lực học của mô
hình MVG kiểu này sẽ chứng minh cho ưu điểm mà nó mang lại.
3.1. Động lực học vi cảm biến vận tốc góc một phần tử hai bậc tự do
Trên cơ sở phân tích cấu trúc cơ học của hệ MVG, trong mục này, luận án
tiến hành phân tích cấu tạo của một hệ MVG cơ bản nhất gồm một phần tử khối
lượng, đồng thời thiết lập hệ phương trình vi phân dao động cho hệ này làm cơ
sở cho những phân tích dao động của hệ trong các mục tiếp theo.
3.1.1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của MVG cơ bản
Một MVG cơ bản có cấu trúc gồm một phần tử quán tính m được treo trên
nền (substrate) nhờ các thanh đàn hồi có khối lượng không đáng kể so với m.
Các thanh này có một đầu được cố định trên nền, đầu còn lại liên kết với khối
lượng m, đảm bảo cho phần tử quán tính có thể dao động tự do theo hai phương
vuông góc nhau, trong khi các chuyển động khác của nó sẽ được hạn chế tối
đa. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MVG được chỉ ra trên Hình 3.1.
Một trong hai dao động của khối lượng m được tạo bởi các lực tĩnh điện
Fd nhờ cấu trúc kiểu răng lược, dao động này được gọi là dao động dẫn. Phương
chứa dao động dẫn gọi là phương dẫn. Dao động còn lại trên phương vuông
góc sẽ xuất hiện khi cho cả hệ một chuyển động quay với vận tốc góc Ω. Lúc
64
này, do hiệu ứng Coriolis, lực Coriolis Fc được tạo ra trên phương vuông góc
với dao động dẫn, làm cho khối lượng m có thêm dao động thứ hai trên phương
vuông góc với dao động dẫn. Dao động thứ cấp này được gọi là dao động cảm.
Phương chứa dao động cảm gọi là phương cảm. MVG cơ bản này là một hệ
dao động một phần tử khối lượng với hai bậc tự do.
m
C=O
Ω
Hệ quy chiếu
quán tính A
Hệ quy chiếu
động B
Fd
Fc
y
x
X
Y
a) b)
Hình 3.1. Cấu tạo (a) và nguyên lý hoạt động (b) của một MVG cơ bản
3.1.2. Hệ phương trình vi phân dao động của MVG cơ bản
Phương trình vi phân chuyển động của hệ có thể nhận được nhờ sử dụng
phương trình Đa-lăm-be khi chọn hệ trục tọa độ như Hình 3.1b. Hệ quy chiếu
quán tính A (OXY) gắn với trái đất và hệ quy chiếu động B (Oxy) gắn với cảm
biến. Gốc tọa độ của cả hai hệ quy chiếu được chọn trùng nhau (O).
Phần tử quán tính (m) trên Hình 3.1b, có tọa độ khối tâm C trùng với gốc
tọa độ O, được xem như thực hiện một chuyển động phức hợp trong mặt phẳng
chuyển động, trong đó:
- Chuyển động theo là chuyển động quay quanh trục Oz cùng với cảm biến
với vận tốc góc .
- Chuyển động tương đối là chuyển động tịnh tiến của phần tử quán tính
theo các phương Ox, Oy trong hệ tọa độ Oxy.
Điểm neo
65
Giả thiết rằng chuyển động tịnh tiến trên phương x và y không gây ra
chuyển động quay cho phần tử quán tính so với nền; đồng thời bỏ qua khối
lượng của các thanh đàn hồi.
Vị trí của khối tâm C của phần tử quán tính trong hệ quy chiếu động Oxy
được xác định là:
C
T
r x y (3.1)
Vận tốc của khối tâm C trong hệ quy chiếu quán tính được xác định theo
công thức sau:
C C CV r r
hay
T
CV x y y x (3.2)
Trong công thức (3.2), các đại lượng , x y do thành phần chuyển động tịnh
tiến tương đối gây ra, còn các đại lượng x và y do thành phần chuyển động
quay theo gây ra.
Theo [1] và [3], vectơ gia tốc của khối tâm C trong hệ quy chiếu quán tính
được xác định là:
( ) 2e r cC C C C C C C Ca a a a r r r r (3.3)
trong đó: eCa là thành phần gia tốc trong chuyển động quay theo của khối tâm C.
2 2( )
T
e
C C Ca r r y x x y (3.4)
Tr
Ca x y là thành phần gia tốc trong chuyển động tịnh tiến tương đối; và
c
Ca
là thành phần gia tốc Coriolis của khối tâm C.
2 2 2
Tc
C Ca r y x (3.5)
Thay các công thức xác định các thành phần gia tốc vào công thức (3.3),
ta nhận được công thức xác định gia tốc của khối tâm C trong hệ quy chiếu
quán tính là:
2 22 2
T
Ca x y x y y x y x (3.6)
66
Ngoại lực tác dụng là lực dẫn tĩnh điện trên phương x theo công thức.
0
T
dF F (3.7)
Theo nguyên lý Đa-lăm-be, khi phần tử quán tính chuyển động trong hệ
tọa độ quán tính, ta có phương trình:
0
qt iF F (3.8)
Viết dưới dạng triển khai:
0
0
qt k c
x x x x
qt k c
y y y y
F F F F
F F F F
(3.9)
trong đó:
qtF - thành phần lực quán tính tác dụng lên khối lượng m khi chuyển động
với vectơ gia tốc Ca
2
2
( 2 )
( 2 )
qt
x Cx
qt
y Cy
F ma m x y x y
F ma m y x y x
(3.10)
c
xF ,
c
yF - thành phần lực cản của các giảm chấn với hệ số cản cx và cy trên
các phương tương ứng trong hệ tọa độ quán tính.
( )
( )
c
x x
c
y y
F c x y
F c y x
(3.11)
k
xF ,
k
yF - thành phần lực đàn hồi của các dầm có hệ số độ cứng kx, ky trong
hệ tọa độ quán tính.
k
x x
k
y y
F k x
F k y
(3.12)
Thay (3.10), (3.11) và (3.12) vào (3.9), sau đó sắp xếp lại, ta nhận được
hệ phương trình:
2
x x
2
y y
( ) ( ) ( 2 )
( ) ( ) ( 2 ) 0
dmx c x y k m x m y y F
my c y x k m y m x x
(3.13)
67
Đối với phần tử quán tính trong hệ cảm biến con quay, tần số dao động
riêng của hệ lớn hơn nhiều so với vận tốc quay Ω ( /k m ) nên có thể
coi 2k m . Đồng thời, nếu giả thiết rằng biến thiên của vận tốc góc Ω là không
đáng kể ( = 0) và thành phần vận tốc dài trong chuyển động tịnh tiến tương
đối lớn hơn nhiều so với vận tốc dài do chuyển động quay gây ra cho khối tâm
C ( x y và y x ), khi đó hệ phương trình (3.13) trở thành:
x x
y y
2
2
dmx c x k x F my
my c y k y mx
(3.14)
Hệ (3.14) là hệ phương trình vi phân chuyển động của phần tử quán tính
trong hệ tọa độ Oxy gắn cứng với khung cảm biến. Các đại lượng 2mx và
2my lần lượt là thành phần lực Coriolis tác dụng lên phần tử quán tính trên
hai phương tương ứng. Theo đó, lực Coriolis đóng vai trò là lực kích thích gây
ra chuyển động cho phần tử quán tính trên phương cảm.
3.1.3. Dao động tự do của MVG cơ bản
Trong các mục tiếp theo, luận án sẽ giới thiệu một số dạng dao động của
phần tử quán tính trong mô hình MVG cơ bản với từng điều kiện đầu cụ thể.
Hệ phương trình vi phân dao động trong trường hợp dao động tự do không
cản, khi chưa đặt vận tốc góc Ω, có dạng:
0
0
x
y
x x
y y
(3.15)
với x xk m , y yk m . Nghiệm của (3.15) trường hợp tổng quát khi
các thông số động lực học đặc trưng của hệ được thiết kế sao cho ωx ≈ ωy = ωn
có dạng:
0 0
0 0
cos( )cos sin( )sin
sin( )sin cos( )cos
n n
n n
x A t B t
y A t B t
(3.16)
Theo đó, quỹ đạo của phần tử quán tính là một Ellip. Các hằng số A, B, ϕ
và θ0 được xác định từ các điều kiện đầu, trong đó A, B là các bán trục của Ellip,
68
θ0 là góc xác định vị trí ban đầu của phần tử quán tính trên quỹ đạo, trong khi
ϕ là góc định hướng của Ellip theo công thức:
2
2 2 2 2 2
2( )
tan
( ) ( )
n
n
xy xy
x y x y
(3.17)
Khi đưa vào hệ một vận tốc góc Ω ≠ 0 (Ω2 << ωn), hệ phương trình vi
phân dao động có dạng:
x
y
2
2
mx k x my
my k y mx
(3.18)
Các thành phần lực Coriolis ( 2 , 2my mx ) đóng vai trò là nguồn kích
thích cho phần tử quán tính trên cả hai phương. Trong trường hợp chọn điều
kiện đầu cụ thể, các dao động thành phần và quỹ đạo của phần tử này được thể
hiện trên Hình 3.2. Theo đó, mặc dù hệ dao động không cản nhưng thành phần
lực Coriolis trong phương trình thứ nhất của hệ (3.18) đóng vai trò như thành
phần lực cản chống lại chuyển vị của phần tử quán tính trên phương dẫn, trong
khi đó thành phần lực Coriolis trong phương trình thứ hai giữ vai trò là lực gây
dao động trên phương cảm cho phần tử quán tính, chính thành phần dao động
này có biên độ tỷ lệ với vận tốc góc Ω đưa vào hệ. Biên độ dao động cảm này
là cơ sở để xác định vận tốc góc Ω.
Hình 3.2. Các dao động thành phần khi hệ tự do không cản
Quỹ đạo của pt quán tính
69
Trong trường hợp này, chuyển động của phần tử quán tính có dạng "tuế
sai" (như của con quay cơ cổ điển), quỹ
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- luan_an_dong_luc_hoc_vi_cam_bien_van_toc_goc_kieu_am_thoa.pdf