MỤC LỤC
MỞ ĐẦU . - 1 -
CHƯƠNG 1 . TỔNG QUAN. - 4 -
1.1. Tổng quan về ăn mòn kim loại.- 4 -
1.1.1. Khái niệm ăn mòn kim loại . - 4 -
1.1.2. Các dạng ăn mòn cục bộ kim loại. - 9 -
1.2. Các phương pháp điện hóa trong nghiên cứu ăn mòn kim loại . - 11 -
1.2.1. Giới thiệu chung. - 11 -
1.2.2. Nhiễu điện hóa trong nghiên cứu ăn mòn kim loại. - 13 -
1.3. Các phương pháp phân tích dữ liệu nhiễu điện hóa. - 27 -
1.3.1. Các tìm kiếm cơ bản trên tín hiệu nhiễu điện hóa . - 29 -
1.3.2. Phát hiện đáng chú ý về xác định tốc độ ăn mòn bằng ENA. - 30 -
1.3.3. Phát hiện đáng chú ý về xác định ăn mòn cục bộ bằng ENA . - 32 -
1.3.4. Các bước xử lý tín hiệu nhiễu điện hóa . - 33 -
1.3.5. Các phát triển mới trong lý thuyết và kĩ thuật ENA. - 44 -
1.4. Phép biến đổi sóng nhỏ (WT). - 46 -
1.4.1. Phép biến đổi sóng nhỏ liên tục (CWT) . - 46 -
1.4.2. Phép biến đổi sóng nhỏ rời rạc (DWT) và phân tích đa phân giải .-
50 -
1.4.3. Ứng dụng của phép biến đổi sóng nhỏ trong nghiên cứu đột biến.-
52 -
1.4.4. Ứng dụng biến đổi sóng nhỏ trong nghiên cứu ăn mòn. - 53 -
CHƯƠNG 2 . ĐIỀU KIỆN VÀ PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM . - 56 -
2.1. Điều kiện thiết lập hệ đo nhiễu dòng và thế điện hóa. - 56 -
2.2. Vật liệu và Môi trường thử nghiệm. - 57 -
2.2.1. Vật liệu thử nghiệm. . - 57 -
2.2.2. Môi trường thử nghiệm . - 59 -
2.2.3 Chế độ thử nghiệm và thiết bị đo đạc . - 60 -
2.3. Phương pháp phân tích kết quả dữ liệu nhiễu điện hóa . - 62
157 trang |
Chia sẻ: mimhthuy20 | Lượt xem: 853 | Lượt tải: 2
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận án Nghiên cứu ăn mòn cục bộ kim loại bằng phương pháp nhiễu điện hóa, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
ko và cộng sự [115-116] sử
dụng trong nghiên cứu nhiễu điện hóa phân tích tín hiệu EN để mô tả cường
độ ăn mòn lỗ. Trong hình 1-16, một tập dữ liệu ghi EN đã được phân tích
bằng cách sử dụng cả phương pháp phổ và phổ sóng nhỏ [116]. Có thể thấy từ
các bản ghi thời gian có hai khoảng thời gian tồn tại ngắn (giữa 500 và 600
giây). Tuy nhiên, nó không phải dễ dàng trích xuất bất kỳ thông tin hữu ích từ
các phổ PSD của bộ dữ liệu này. Phổ phân bố năng lượng cho thấy những đặc
điểm rõ ràng của các bộ dữ liệu thời gian, hai đỉnh cực đại tại d1 và S8 (hình
1-16) được cho là hai quá trình với quy mô khác nhau đang diễn ra trong đó
d1 thể hiện quá trình hoạt hóa đều trên bề mặt còn S8 (và d8) thể hiện quá
trình hòa tan cục bộ. Do đó, giá trị cao ở quy mô nhỏ có liên quan đến sự biến
động nhanh chóng trong hồ sơ thời gian, trong khi các giá trị cao ở quy mô
lớn có liên quan đến quá độ. Hơn nữa, các phân tích có thể được tự động hóa
bằng cách sử dụng biến đổi sóng nhỏ và có thể có một tiện ích trực tiếp trong
các ứng dụng giám sát.
Về cơ bản, các phương pháp sóng nhỏ mô phỏng một chuỗi thời gian
phức tạp của “làn sóng các phần dữ liệu”. Các tính chất toán học của phương
pháp này tương tự như lý thuyết Fourier và được dựa trên các hàm trực giao.
Trong công trình nhiên cứu [116] (hình 1-16), hình (B) cho thấy rất khó khăn
khi tách mọi thông tin từ PSD tương ứng với các tín hiệu trong hình (A) từ
trực quan không đưa ra một định lượng về tầm quan trọng tương đối của mỗi
tiến trình độc lập, như có thể thu được bằng cách sử dụng Ed từ phương pháp
sóng nhỏ. Phương pháp sóng nhỏ đã được giới thiệu để giải quyết những hạn
chế của phương pháp FFT và MEM cho việc giải thích dữ liệu nhiễu điện hóa.
Ngoài ứng dụng cho phân tích nhiễu điện hóa ăn mòn, biến đổi sóng nhỏ còn
- 55 -
được dùng để phân tích nhiễu điện thế cho sự phát triển bong bóng khí tại bề
mặt giao diện điện cực/dung dịch điện li [117]. Các phân tích nhiễu điện thế
được áp dụng riêng cho điều kiện điện phân bán công nghiệp. Các sự kiện bọt
khí và ảnh hưởng của nó trên hệ thống điện phân được giải quyết từ phổ sóng
nhỏ.
Hình 1-16. (a) Tín hiệu dòng EN của mẫu thép 304 SS sau 10h nhúng ngập
trong dung dịch FeCl3 10
-3 M, (b) PSD của EN và (c) EDP của EN.
- 56 -
CHƯƠNG 2. ĐIỀU KIỆN VÀ PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
2.1. Điều kiện thiết lập hệ đo nhiễu dòng và thế điện hóa
Các quá trình oxi hóa khử ban đầu của ăn mòn tương ứng với các quá
trình hòa tan kim loại. Vì vậy một phần cơ sở của nghiên cứu ăn mòn chính là
dòng điện hóa dựa trên phương pháp nghiên cứu các hệ điển hình bao gồm
các vật liệu kim loại nằm trong một môi trường điện li gây ăn mòn. Khi chúng
ta xác định được giá trị điện trở phân cực RP thì có thể xác định tốc độ ăn
mòn. Các phương pháp điện hóa thông thường phân tích đường cong phân
cực ổn định chỉ yêu cầu các thiết bị thông dụng ít tốn kém nhưng tốn thời gian
hơn. Phương pháp thứ hai là phương pháp tổng trở, tốn ít hơn thời gian,
nhưng thiết bị yêu cầu đầy đủ và phức tạp. Mặc dù cả hai phương pháp - đặc
biệt là trong trường hợp tích hợp cả hai mang lại kết quả đáng kể thì một
phương pháp mới là các phép đo nhiễu điện hóa ngày càng được phổ biến
trong những năm gần đây.
Các điều kiện thiết lập hệ đo EN (ASTM G199 09 [16] và ASTM STP
1277 [44]) dựa trên những thay đổi bất thường của dòng hoặc thế nhận được
trong quá trình ăn mòn điện hóa. Chúng đặc trưng ở tần số thấp (10-3 10
Hz) và biên độ nhỏ. Sự khởi nguồn của nhiễu điện hóa là một phần từ các
dạng tự nhiên khác nhau của tốc độ động học điện hóa trong một quá trình ăn
mòn. Nhiễu điện hóa thường liên quan đến cặp ngẫu nhiên thông thường có
tính quyết định động học của phản ứng điện hóa.
Phương pháp A: Đo nhiễu dòng điện hóa trên hệ tại thế mạch hở.
Phương pháp B: Đo nhiễu thế điện hóa trên hệ tại thế mạch hở.
Phương pháp C: Đo nhiễu thế tĩnh (đo nhiễu dòng sinh ra trên một hệ
tại đó dưới điều kiện áp thế).
- 57 -
2.2. Vật liệu và Môi trường thử nghiệm
Tổ hợp của các điện cực làm việc và dung dịch điện li gây ăn mòn sinh
ra dòng và thế điện hóa được tiến hành trong một chương trình thử nghiệm để
thu thập và đánh giá các dữ liệu điện hóa và nhiễu điện hóa.
2.2.1. Vật liệu thử nghiệm.
A- Thép các bon thấp thử nghiệm ăn mòn đều và ăn mòn cục bộ.
B- Thép hợp kim 304 với quy trình thử nghiệm ăn mòn khe và ăn mòn
lỗ trong dung dịch FeCl3 theo ASTM G-78 [118].
C- Thử nghiệm điện hóa theo ASTM G5 – 94 (R 99) [119].
Thông thường, diện tích bề mặt điện cực làm việc đã được khuyến cáo
tối thiểu 10 cm2 trong dung dịch chất điện li. Tỉ lệ diện tích bề mặt và thể tích
dung dịch thử là 13,9 cm2/ lít [16].
Các mẫu kim loại được phân tích thành phần nguyên tố theo ASTM
E415-08; ASTM E1251-11trên thiết bị ARL 3460 OSE của Trung tâm đánh
giá hư hỏng vật liệu – Viện Khoa học vật liệu – Viện Hàn lâm Khoa học và
Công nghệ Việt Nam được trình bày chi tiết trong bảng 2-1 dưới đây.
Bảng 2-1: Thành phần nguyên tố các mẫu thử nghiệm (% khối lượng).
Mẫu thép cacbon thấp
Fe C Si S P Mn Ni Cr
Giá trị trung
bình
99,6818 0,0078 0,0112 0,0061 0,0167 0,1233 0,0156 0,0425
Mo V Cu W Ti Sn Co Al
Giá trị trung
bình
0,0035 0,0013 0,0128 0,0010 0,0477 0,0055 0,0028 0,0468
- 58 -
Mẫu thép hợp kim 304
Fe C Si S P Mn Ni Cr
Giá trị trung
bình
71,0153 0,0565 0,4463 0,0053 0,0331 1,3594 8,0860 18,2010
Mo V Cu W Ti Sn Co Al
Giá trị trung
bình
0,2904 0,0575 0,2779 0,0425 0,0073 0,0097 0,1061 0,0058
Toàn bộ mẫu thí nghiệm được cắt dây với đường kính 40 mm, dày
3mm (diện tích bề mặt làm việc ≈ 12,566 cm2, hình 2-1). Đối với mẫu đo điện
hóa và nhiễu điện hóa được hàn gắn dây. Bề mặt mẫu được tẩy sạch dầu mỡ
và tẩy gỉ theo quy trình chuẩn bị mẫu kim loại cho thử nghiệm ăn mòn khí
quyển. Toàn bộ các mẫu được đúc epôxy cách điện bao kín, một mặt thử
nghiệm hở. Xử lý các lỗi vi lỗ, các khe hở giữa kim loại và nhựa epôxy bằng
hệ nhựa PU 2K trong và sấy ở 120 C trong 2 giờ.
Hình 2-1. Hình ảnh mẫu kim loại và các phụ kiện sử dụng trong nghiên cứu.
Chuẩn bị bề mặt thử nghiệm trên máy mài BUEHLER Alpha của Đức
với các cấp giấy mài có độ nhám từ 100 đến 600; sau đó các mẫu được làm
- 59 -
sạch dầu mỡ bằng methanol (hoặc axetol ) và rửa bằng nước cất có cồn, sấy
khô trước khi thử nghiệm.
2.2.2. Môi trường thử nghiệm
Môi trường thử nghiệm ăn mòn là dung dịch nước chứa các ion xâm
thực. Các môi trường này được trình bày chi tiết trong bảng 2-2 dưới đây.
Bảng 2-2: Môi trường thử nghiệm ăn mòn.
Hệ thử
ăn mòn
Mẫu kim loại Dung dịch Chế độ Ghi chú
A
Thép các bon
thấp
axít xitric
C6H8O7 0,1M
ASTM G199-09
25°C
ăn mòn đều
B
Thép các bon
thấp
H2SO4 1N
ASTM G5-99
ở 25°C
ăn mòn đều
C
Thép các bon
thấp
NaCl 3,5% ở 25°C
ăn mòn hỗn
hợp
D
Thép các bon
thấp
Ca(OH)2+NaCl
0,1M (1:1)
ở 25°C
ăn mòn cục
bộ
E
Thép hợp
kim 304
6% FeCl3
1% HCl
ASTM G48-03
ở 25°C
ăn mòn cục
bộ
Hệ A và B sẽ cho một chế độ ăn mòn đều; hệ C sẽ cho dạng ăn mòn
hỗn hợp; hệ D sẽ có hiện tượng thụ động và ăn mòn lỗ trong điều kiện thụ
động; hệ còn lại sẽ cho dạng ăn mòn cục bộ đặc trưng (ăn mòn lỗ và ăn mòn
khe). Ứng với hệ A và B có thể được xác nhận bằng cách sử dụng các kĩ thuật
điện hóa khác (ví dụ như điện trở phân cực, Tafel). Kết quả của ba hệ còn
lại rất khó kiểm chứng bởi tổn hao trọng lượng mà chủ yếu quan sát ảnh bề
mặt các mẫu sau khi thử nghiệm (vẫn chưa có tiêu chuẩn cụ thể để so sánh).
- 60 -
2.2.3 Chế độ thử nghiệm và thiết bị đo đạc
2.2.3.1. Chế độ thử nghiệm (chuẩn bị mẫu thí nghiệm)
Quy trình chuẩn bị mẫu và xử lý mẫu sau các chu kỳ thử nghiệm được
tiến hành theo ISO và ASTM [120]. Mẫu được tẩy dầu mỡ bằng các dung môi
hữu cơ hoặc dung dịch kiềm theo ISO 847 – 91 hoặc ASTM G1 – 81. Dung
dịch và chế độ làm việc được ghi trong bảng 2-3:
Bảng 2-3: Quy trình chuẩn bị và xử lý bề mặt mẫu.
Kim loại Dung dịch tẩy sản phẩm ăn mòn
Nhiệt độ,
C
Thời gian, phút
Thép các
bon thấp
HCl (=1,19g/ml) – 100 ml
Hexametylentetramin – 3,5g
Nước cất 1 lít
20 - 30 10
Thép
hợp kim
304
NaOH – 200 g
Zn bột – 50 g
Nước cất 1 lít
sôi 20
Các nghiên cứu ăn mòn khe đã được thực hiện trên các mẫu thép 304
bằng cách sử dụng hai điện cực tấm cùng loại hình vành khuyên (d1= 30 mm,
d2 = 6mm, dày 3 mm). Diện tích bề mặt làm việc của điện cực trong dung
dịch được duy trì cùng một vùng điện cực làm việc và điện cực đối như nhau.
Các mẫu đã có một lỗ trung tâm, thông qua đó một vít nhựa giữ khe nhân tạo
(ASTM G-48, năm 2005). Khe nhân tạo được làm bằng Teflon (PTFE). Cố
định khe bằng đai ốc và bu lông nhựa kèm một đệm cao su đàn hồi chịu hóa
chất. Đai ốc, bu lông và vòng đệm cao su là cô lập về điện với mẫu và dung
dịch (hình 2-1). Bề mặt điện cực sau khi đánh bóng đến cỡ hạt mài 600, được
- 61 -
làm sạch bằng xà phòng và axeton, để khô tự nhiên một giờ trước khi thử
nghiệm. Các phép đo EN được lặp lại 3 lần cho một chế độ thử nghiệm.
2.2.3.2. Thiết bị đo điện hóa và nhiễu điện hóa
Bảng 2-4: Thiết bị đo điện hóa sử dụng trong nghiên cứu.
Tên thiết bị
Nước sản
suất
Đơn vị quản lý và sử dụng
AUTOLAB G30 Hà Lan
Viện Kỹ thuật nhiệt đới
Đại học Giao thông vận tải
HIOKI-3801-50 Nhật Bản Viện Kỹ thuật nhiệt đới
Ocilloscope LeCroy
424
Nhật Bản Viện Kỹ thuật nhiệt đới
hp 34401A Multimeter Mỹ
Viện Vật lý ứng dụng và thiết bị
khoa học
Một bình điện hóa phù hợp được mô tả trong tiêu chuẩn ASTM G5 với
một ngoại lệ quan trọng là vị trí đặt điện cực. Trong toàn bộ quá trình thực
nghiệm, các điện cực được thiết lập cùng cách cố định khoảng cách giữa hai
bề mặt điện cực làm việc và điện cực đối là như nhau (1 cm) cho toàn bộ các
thí nghiệm. Bình điện hóa điều nhiệt có nắp đậy cũng có thể được sử dụng
miễn là thiết lập được một cặp điện cực làm việc, một điện cực so sánh, ống
dẫn khí vào - ra và có một nhiệt kế được nhúng ngập trong dung dịch chất
điện li (khi nghiên cứu liên quan đến nhiệt độ).
Đo nhiễu dòng (CN) được thực hiện trên thiết bị hp 34401A
Multimeter, nhiễu thế (PN) được đo giữa cặp điện cực làm việc với điện cực
so sánh trên thiết bị HIOKI 3801 - 50 Digital Hitester. Hệ đo nhiễu điện hóa
được thiết lập với hai điện cực giống hệt nhau làm điện cực đối và điện cực
làm việc. Thế được đo giữa cặp điện cực làm việc với điện cực so sánh (điện
cực Calomel bão hòa). Mạch đo được thiết lập đo dòng theo mạch điện trở
bằng không (ZRA) [15] (hình 2-2) cho phép đo đồng thời nhiễu điện thế và
- 62 -
dòng. Hệ đo điện hóa được đặt trong một lồng Faraday lưới thép (nối đất) để
cách điện từ các nguồn gây nhiễu bên ngoài. Những nguồn nhiễu tạo ra bởi
các thiết bị đo không thể loại bỏ. Các thiết bị đo này được đánh giá bằng một
tế bào điện tử giả chuẩn của AUTOLAB G30.
Dữ liệu nhiễu điện hóa được thu thập ở tần số lấy mẫu 20 Hz đối với
dòng và 1Hz đối với thế. Toàn bộ dữ liệu được loại nhiễu trắng trước khi
phân tích tín hiệu. Các dòng điện chạy giữa hai điện cực làm việc được đo
theo phương pháp ZRA. Điện thế được đo giữa các điện cực làm việc với điện
cực so sánh (kể từ khi được ngắn mạch với nhau, cả hai điện cực “làm việc”
có cùng điện thế). Các tín hiệu dòng và thế có thể được phân tích bằng các
phương pháp được liệt kê trong phần phân tích kết quả.
Hình 2-2. Sơ đồ mạch tương đương (a); Hệ đo thực nghiệm (b).
2.3. Phương pháp phân tích kết quả dữ liệu nhiễu điện hóa
2.3.1. Phân tích mật độ phổ công suất dữ liệu nhiễu điện hóa bằng FFT
Một trong những phương pháp phân tích tín hiệu EN là ước tính công
suất các tín hiệu có mặt ở các tần số khác nhau. Các phổ mật độ được minh
họa bằng các đường mật độ phổ công suất (PSD) đặc trưng cho phân bố công
suất tín hiệu trong miền tần số. Trong kĩ thuật này, dữ liệu EN trong miền thời
gian (hàm ) được chuyển vào miền tần số (hàm
) sử dụng biến đổi
nhanh Fourier (FFT) và xác định được là PSD. Đường này có thể cho nhiều
RE
V
A
WE 1
In1 Z1
WE 2
In2 Z2
Em
Im (a)
- 63 -
thông tin về loại hình, cơ chế và tốc độ ăn mòn. Các mối quan hệ sau đây cho
thấy mối liên hệ giữa mật độ phổ công suất của điện áp hay dòng (PSD) và
tần số [121]: (2.1)
Trong đó S là độ dốc (tính đến phần cuộn lại) thể hiện dưới dạng log (V2
hoặc A2 Hz-1) / log(Hz) và A là cường độ nhiễu điện thế hoặc dòng của đường
PSD thể hiện dưới dạng log(V2 hoặc A2 Hz-1). Độ lớn của đoạn bằng phẳng
phía trên (A) có thể được coi là dấu hiệu cho thấy tốc độ và mức độ nghiêm
trọng của quá trình ăn mòn cho nhiễu thế. Trong khi đó, độ dốc (S) có thể liên
quan đến loại ăn mòn sinh ra nhiễu [122]. Các phân tích tần số được thực hiện
trong mỗi khối chứa 1024 (hoặc 2n) điểm dữ liệu trong dữ liệu EN sau khi loại
bỏ các giá trị trung bình. Khoảng tần số phân tích liên quan đến các dạng ăn
mòn tập trung trong dải 10-3 Hz đến 2Hz [123].
Tuy nhiên, phép biến đổi Fourier có những điểm hạn chế của nó như:
phép biến đổi Fourier chỉ cung cấp thông tin có tính toàn cục và chỉ thích hợp
cho những tín hiệu tuần hoàn, không chứa các đột biến hoặc các thay đổi
không dự báo được. nên người ta tìm những phép biến đổi khác có nhiều
ưu điểm hơn. Ngày nay, người ta sử dụng phép biến đổi sóng nhỏ vì nó khắc
phục được các nhược điểm của phép biến đổi Fourier.
2.3.2. Phân tích mật độ phổ năng lượng dữ liệu nhiễu điện hóa bằng biến
đổi sóng nhỏ
Phân tích một tín hiệu bằng biến đổi sóng nhỏ (WT) dựa trên cơ sở của
một họ các hàm được hình thành thông qua chuyển đổi và mở rộng quy mô
của một phù hợp được lựa chọn làm hàm mẹ cục bộ. Mục đích chính là cung
cấp thông tin về quá trình vật lý cơ học – hóa lý: vị trí của các năng lượng
tương đối tối đa trong chủ ý phân bố năng lượng cho quá trình quyết định
trong các sự kiện ăn mòn nhất định và sự thay đổi của nó có thể phản ánh các
hành vi của quá trình chi phối ăn mòn.
- 64 -
Trong thực tế, trực giao biến đổi sóng nhỏ được tính bằng thuật toán
của các biến đổi nhanh sóng nhỏ (FWT) , sơ đồ triển khai được mô tả trong sơ
đồ hình 1-14 (chương 1). Vì nó có thể đánh giá tối đa FWT bao gồm: bộ lọc
thông thấp, cao, bộ lọc băng thông và giảm mẫu lấy tương ứng như L, H
và2. Bằng cách này, các tín hiệu có thể bị phân tách liên tục thành hai phần
có độ phân giải cao và độ phân giải thấp và mỗi lần các tín hiệu được phân
tích ở một nửa độ phân giải trước. WT sử dụng các cửa sổ bội theo những
mục đích thích hợp: dùng cửa sổ hẹp ở tần số cao, cửa sổ rộng ở tần số thấp,
nhằm đảm bảo là độ rộng tương đối của bǎng không đổi. Các thiết lập của hệ
số làm trơn “S” hoặc xấp xỉ “A” cung cấp thông tin về xu hướng chung của
các tín hiệu. Tập hợp các hệ số chi tiết “d” cung cấp thông tin về các biến
động cục bộ và các đặc điểm nhỏ nhất trong các tín hiệu. Mỗi hệ số chi tiết
của các hệ số được gọi là đơn vị cơ bản [121, 124].
Các tính toán cần thiết cho phân tách của các tín hiệu phân tích có thể
được thực hiện bằng phần mềm Origin 8.0 [105] hay Matlab. Các hàm trực
giao φ(t), được áp dụng gọi là Daubechies theo bậc (2 hoặc 4) để thực hiện
biến đổi sóng nhỏ trên các tín hiệu ECN. Những sóng nhỏ đã được lựa chọn ở
một mức phân giải thích hợp sao cho cực đại của các hệ số sóng nhỏ chi tiết
có vị trí trùng khớp với vị trí với các nguồn đột biến, và sóng nhỏ cơ sở đã lựa
chọn là hàm khả vi và suy giảm nhanh. Thuộc tính chính của hàm trực giao
được chọn φ(t) là năng lượng của tín hiệu phân tích x(n) tương đương với
tổng năng lượng của tất cả các thành phần thu được bằng cách biến đổi sóng
nhỏ. Tuy nhiên, kết quả tương tự có thể được thu được bằng các họ sóng nhỏ
khác với đủ số khoảng phân giải.
Bằng việc sử dụng kĩ thuật biến đổi sóng nhỏ rời rạc dựa trên trực giao
db2 hoặc db4 [103, 125-126] các dữ liệu sóng nhỏ EN thu thập được phân
- 65 -
tách bảy cấp (d1 - d7, và s7 – bảng 2-5). Sau đó, các phần nhỏ của năng lượng
liên kết với mỗi đơn vị cơ bản chi tiết (
) được tính như sau:
(j = 1,2.,7) (2.2)
trong đó d là đơn vị cơ bản chi tiết và N là tổng số điểm dữ liệu cho
mỗi lần ghi. E là năng lượng tổng tương đương với tổng số bảy đơn vị cơ bản
chi tiết (d1-d7), chiết khấu sự đóng góp của các sj.
(2.3)
Bảng 2-5: Khoảng tần số và thời gian cho j = 7 và fs = 2 Hz.
Tên bậc phân tách Khoảng tần số, Hz Khoảng thời gian, s
d1 2 – 1 0,5 – 1
d2 1 – 0,5 1 – 2
d3 0,5 – 0,25 2 – 4
d4 0,25 – 0,125 4 – 8
d5 0,125 – 0,0625 8 – 16
d6 0,0625 – 0,0312 16 – 32
d7 0,0312 – 0,0156 32 – 64
Các phương pháp biến đổi trực giao dựa trên sóng nhỏ thời gian gần
đây đã được đề xuất cho việc ước lượng độ dốc và kích thước phân đoạn D
[103, 125, 127-128]. Ở đây chúng ta sử dụng khái niệm này để phân tích các
tín hiệu EN. Đối với phân tách sóng nhỏ trực chuẩn rời rạc, các mối quan hệ
có thể được thay thế bằng quan hệ sau:
(2.4)
- 66 -
Trong đó
là phương sai của đơn vị cơ bản chi tiết dj, và có thể được
tính bằng phương trình sau đây:
với j = 1,2.,7. (2.5)
Độ dốc β thu được từ đường
so với mức j:
(2.6)
Việc xác định các kích thước phân đoạn có thể được tính như sau [103] :
(2.7)
Cuối cùng, kích thước phân đoạn (D) đã thu được bằng:
D = 2,5-0,5β (2.8)
Ý nghĩa của D là: khi tín hiệu chứa các cấu trúc quan trọng, các cấu
trúc này thuộc về các thang khác nhau, thì thông tin tín hiệu phải được tổ
chức lại thành các tập thành phần chi tiết của kích cỡ thay đổi. Do vậy, kích
thước phân đoạn cũng có thể cũng được sử dụng để mô tả đặc tính phức tạp
của các tín hiệu.
Khái niệm thang được đưa vào như là phép luân phiên tần số dẫn đến
việc biểu diễn thang thời gian. Điều này có nghĩa là tín hiệu đã được biểu diễn
trong mặt phẳng thời gian - thang (t - s).
Sơ đồ chung của thuật toán sử dụng để có được những đường phổ mật
độ dạng mật độ công suất hay năng lượng là hình 2-3c. Các bậc tách được sử
dụng là phân tách bằng công cụ của Matlab hoặc Originlab cho biến đổi sóng
nhỏ sau đó được tính mật độ công suất của dòng hoặc thế nhiễu từ miền thời
gian sang miền tần số. Toàn bộ các bước xử lý phân tích trên chủ yếu nhằm
đưa ra được kết luận hay nhận xét cho từng dạng ăn mòn và phần trăm đóng
góp của chúng.
- 67 -
Hình 2-3. Sơ đồ chung các bước thu thập và phân tích dữ liệu nhiễu điện hóa.
Bộ lọc
nhiễu trắng
Bộ lọc
nhiễu trắng
Bộ lọc
băng thông
Bộ lọc
băng thông
Bộ lọc
thông thấp
Bộ lọc
thông thấp
Xác suất
thống kê
Xác suất
thống kê
Dự đoán
tuyến tính
EPN
ECN
EPN
ECN
Hệ số bộ lọc
(≥ 95%)
Phân tích
Điều kiện tín hiệu Đánh giá sự sai khác
L
o
ạ
i đ
ư
ờ
n
g
t
ru
n
g
b
ìn
h
F
F
T
; S
T
F
T
; W
T
H
a
n
n
in
g
C
h
u
ẩ
n
h
ó
a
X
n
X
nm
X
nH
X
nF
P
S
D
(X
n
) k
E
S
D
(X
n
) k(c)
(b)
+
ZRA
-
+
-
Đo thế
Đo dòng
V = IR
WE2
WE1
RE
(a)R
- 68 -
CHƯƠNG 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
3.1. Khảo sát nhiễu của hệ thiết bị sử dụng trong nghiên cứu
3.1.1. Phân tích đánh giá các điều kiện đo đạc thu thập dữ liệu
Kết quả phân tích, đánh giá tín hiệu nhiễu trắng hệ thiết bị đo dòng theo
sơ đồ hình 2-3. Phép đo mẫu trắng được thực hiện thông qua tế bào điện hóa
giả chuẩn của AUTOLAB G 30 thay cho hệ điện hóa trong điều kiện phòng
thí nghiệm. Kết quả phân tích được trình bày trên hình 3-1 dưới đây.
Hình 3-1. Phổ dữ liệu tín hiệu nhiễu trắng của thiết bị hp 34401A.
(a)
200 400 600 800
-2,0
-1,0
0.0
1,0
2,0
B
iê
n
đ
ộ
n
h
iễ
u
d
ò
n
g
, A
1
0
-7
Thời gian, giây
Đã loại nhiễu trắng
Chưa loại nhiễu trắng
(b)
LogF (Hz)
-2 -1 0 1-3
L
o
g
P
S
D
i
, A
2
/H
z
(W
T
-F
F
T
)
-18
-20
-22
-24
-16
- 69 -
Hình 3-1a là kết quả dao động dòng trước và sau loại nhiễu trắng qua
bằng bộ lọc FFT với dải tần từ 10-3 Hz 2 Hz. Kết quả mật độ phổ công suất
(hình 3-1b) cho thấy có giá trị LogPSDi là hằng số theo thời gian cũng như
tần số thấp trong khoảng giá trị -19 A2 /Hz ứng với F < 10-2 Hz. Mật độ phổ
công suất tín hiệu nhiễu trắng cuộn lại ở tần số 0,1 Hz tại giá trị khoảng -18
A
2
/Hz sau đó giảm về giá trị đầu và ổn định ở vùng tần số cao hơn. Điều
khác biệt này tương quan với các dao động nội tại của chính hệ thiết bị và
được tách theo bậc trình bày trên hình 3-2.
Kết quả phân tách 7 bậc tín hiệu bằng sóng nhỏ 1D với db4 với dữ liệu
dòng nhiễu mẫu trắng ở trên cho thấy: i) Tín hiệu dạng sóng dải đều trên toàn
bộ các bậc tách. ii) Biên độ nhiễu của tín hiệu nhỏ (10-8 10-9 A - phù hợp
ngưỡng đo). iii) Có thể loại được tín hiệu này bằng bộ lọc số hoặc tương tự.
Hình 3-2. Bảy bậc tách (Dj – db4) tín hiệu nhiễu trắng của thiết bị hp34401A.
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10-9
D
7
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10-9
D
6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-2
0
2
x 10-8
D
5
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10-8
D
4
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10-8
D
3
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10 -8
D
2
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10 -8
D
1
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
-5
0
5
x 10-8
S
ig
n
a
l
Thời gian, giây
- 70 -
3.1.2. Phân tích thống kê dữ liệu
Phân tích thống kê được thực hiện bằng cách lấy khoảng thời gian ổn
định (1024 điểm). Số liệu thống kê được tiến hành cho dữ liệu dòng nhiễu
trắng của thiết bị và dữ liệu đo trên mẫu thử. Mẫu thử là mẫu ăn mòn khe với
điều kiện thử nghiệm trình bày trong chương 2. Hình 3-3,4 cho thấy kết quả
phân bố tín hiệu nhiễu trắng và kết quả độ lệch chuẩn của dòng và thế cho các
mẫu thép 304. Kết quả cho hệ điện hóa giả là 2,454310-8 A. Kết quả phân
tích thống kê cho thấy các tín hiệu nhiễu điện hóa do ăn mòn bề mặt kim loại
so với tín hiệu nhiễu của thiết bị là cao hơn từ 35 100 lần. Các kết quả tính
toán cho độ nghiêng và độ nhọn không tiết lộ mối tương quan nào. Thông qua
tín hiệu của tế bào điện tử giả chuẩn của AUTOLAB G30 ta có thể loại tín
hiệu nhiễu hệ thiết bị bằng các bộ lọc kĩ thuật số.
Hình 3-3. Phân bố tín hiệu nhiễu dòng trắng.
-2
-1
2
1
0
0 200 400 600 800 1000
1024 điểm dữ liệu
B
iê
n
đ
ộ
, A
1
0
-
8
0,02
0,04
0,12
0,14
0,10
0,06
0,08
Cường độ tín hiệu, 10 -8
-2 -1 210
- 71 -
Hình 3-4. Độ lệch chuẩn nhiễu dòng.
Nhận xét:
Tín hiệu nhiễu trắng thiết bị được đặt chế độ giảm nhiễu -3dB cho tín
hiệu nền là dạng phân bố Gaussian. Biên độ dao động tập trung chủ yếu ở tần
số cao với cường độ thấp. Tín hiệu nhiễu trắng của thiết bị dạng này dễ dàng
được tách loại bằng các bộ lọc tương tự hoặc số. Nếu tín hiệu đo thực nghiệm
có cường độ lớn hơn rất nhiều và tần số thấp hơn thì có thể được tự động loại
bỏ bằng giảm nhiễu của biến đổi sóng nhỏ bởi chúng sẽ nằm trong phần trôi
DC. Ngoài ra, có nhiều kĩ thuật lọc nhiễu khác thông qua các bộ lọc số.
Vùng tần số thấp ( 0,2 Hz) không gây ảnh
hưởng nhiễu đến tín hiệu đo bởi các dạng ăn mòn cục bộ, thụ động và ăn mòn
đều nằm trong hai khoảng tần số này.
Nếu tín hiệu có mật độ công suất hay năng lượng >> -19 A2 /Hz đều có
thể sử dụng hệ thiết bị này để đo đạc và phân tích tín hiệu nhiễu điện hóa.
Việc phân tích độ lệch chuẩn chỉ ra rằng tham số này cho phép đánh giá
độ tin cậy của các kết quả nghiên cứu sau này đồng thời có thể thể hiện mức
độ xâm thực của dung dịch cũng như sự hiện diện của ăn mòn kim loại trong
các môi trường.
10-5
10-7
10-8
10-6
hp 34401A Khe + mặt ngoài Khe
Đ
ộ
l
ệ
c
h
c
h
u
ẩ
n
d
ò
n
g 2,8210-6A
7,43210-7A
2,45410-8A
- 72 -
3.2. Sử dụng kĩ thuật và phân tích dữ liệu nhiễu điện hóa nghiên cứu ăn
mòn cho thép cacbon thấp
3.2.1. Đặc tính nhiễu điện hóa ăn mòn đều của thép cacbon thấp
Trong hầu hết các công trình công bố về ăn mòn của thép cacbon thấp
trong môi trường dung dịch axít xitric (C6H8O7); H2SO4, các tác giả đều thống
nhất là dạng ăn mòn đều và đã có tiêu chuẩn để đánh giá ăn mòn cho chúng
[17, 129-131]. Trong các tiêu chuẩn đánh giá này thì kĩ thuật nhiễu điện hóa
[15, 45] chỉ ra rằng có mối tương quan điện trở nhiễu và điện trở phân cực (Rp
Rn) để tính toán tốc độ ăn mòn kim loại.
Trong nghiên cứu này tập trung phân tích chi tiết hơn về nhiễu dòng
điện hóa theo thời gian bằng cách phân tích phổ mật độ để bổ sung làm rõ đặc
tính ăn mòn đều khi sử dụng kĩ thuật nhiễu điện hóa. Dữ liệu gốc nhiễu điện
hóa dòng và thế của thép cacbon thấp được ghi và biểu diễn trên hình 3-5.
Đặc tính dữ liệu nhiễu điện thế (hình 3-5a) theo thời gian cho thấy sau
khoảng 0,5 giờ ngâm thì điện thế của thép tương đối ổn định đối với môi
trường axít xitric 0,1M và sau khoảng 2 giờ cho môi trường H2SO4 1N. Ổn
định thế tương ứng biểu hiện ổn định của dòng nhiễu (hình 3-5b). Đặc tính dữ
liệu nhiễu điện hóa theo thời gian vẫn chưa cho thấy định lượng được gì nhiều
nhưng đã thể hiện được hành vi biến thiên của chúng. Trong cách thức
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- 2_2016_luan_an_toan_van_5283_1854544.pdf