Luận văn Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
(Bản scan) Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD Mục lục Chương 1: Tổng quan về điôt phát sáng Chương 2: Kết quả phân tích cấu trúc bán dẫn phát sáng InGaN/GaN dùng trong LED Chương 3: Kết luận
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Các file đính kèm theo tài liệu này:
4_2.PDF- 0_3.PDF
- 1_2.PDF
- 2.PDF
- 3.PDF
- 5.PDF
- 6_2.PDF
- 7.PDF
- 8.PDF
