Ngân hàng đề thi môn Cấu kiện điện tử

ược tính theo công i thức  R = VT i I a M với I M là dòng điện của đi ốt ở chế độ động U D Ri = b I 0  với I 0  là dòng điện ngược bão hòa I i R = U D c M I i R = VT d M  với I M với I  là dòng điện tại chế độ làm việc tĩnh là dòng điện của đi ốt ở chế độ tĩnh M 16/ Điot bán dẫn được coi như một điện trở có trị số độ  R = VT I M  khi nó hoạt động ở chế a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp. b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao c Phân cực thuận d Phận cực ngược và với tín hiệu nhỏ 17/ Sơ đồ tương đương của đi ốt bán dẫn có dạng mạch như hình vẽ dưới khi nó làm việc ở chế độ a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp c Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số cao d Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số thấp 18/ Khi đi ốt phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu? a 300 mA b 1 mA c Không phải những giá trị trên d 0 mA 19/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như a Một điện trở thực b Một nguồn điện áp thực c Một nguồn điện áp lý tưởng d Một nguồn dòng lí tưởng. 20/ Tham số quan trọng nhất của điốt xung là a Thời gian xuống t . f b Thời gian lên t r c Điện áp đánh thủng U dt d Thời gian phục hồi chức năng ngắt t . p 21/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như a Một nguồn dòng lí tưởng b Một nguồn điện áp lý tưởng c Một nguồn điện áp thực d Một điện trở thực 22/ Sơ đồ tương đương của một đi ốt phân cực ngược dưới đây được coi như a Một nguồn điện áp lý tưởng b Một điện trở thực c Một nguồn dòng lí tưởng d Một nguồn điện áp thực 23/ Một điốt xung có thời gian phục hồi chức năng ngắt t p a Tốc độ chậm. b Tốc độ quá chậm c Tốc độ nhanh < 10ns thuộc loại d Tốc độ trung bình. 24/ Điốt Sốtky là loại điốt xung có tốc độ chuyển mạch a Tốc độ trung bình. b Tốc độ quá chậm c Tốc độ nhanh d Tốc độ chậm. Câu hỏi loại 3: 25/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E ) của lớp tiếp xúc P-N khi ở trạng thái cân bằng 0 động được xác định theo công thức: N D N A n E0 = KT ln 2 a i với N , N là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng D A N D N A n E0 = VT ln 2 b i với N , N là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V là D A T điện thế nhiệt N D E0 = KT ln c N A với N , N là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng. D A 2 N D N A E0 = VT ln n i d = VT ln 2 ni với N , N là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V là D A T điện thế nhiệt 26/ Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua đi ốt trong sơ đồ mạch dưới đây a 14 mA b 20 mA. c 0 mA d 14 A 27/ Hãy tính công suất tiêu tán của đi ốt zener khi biết điện áp nguồn cung cấp U = S 24V, điện áp trên đi ốt là 10V và dòng điện qua đi ốt là 20mA a 200 W b 200 mW c 280 mW d 480 mW 28/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ dưới đây với điốt silic, hãy tính dòng điện chạy trong mạch khi điot phân cực thuận a 10 mA b 0 A c 9,3 A d 9,3 mA 29/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10 mA? a 430 KΩ b 1 KΩ c 430 Ω d 500 Ω 30/ Một điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu? a 3,5 W. b 50 mW c 35 mW d 35 W 31/ Điện áp ổn định U  ô.đ (V ) của một điốt zener phụ thuộc vào Z a Phương pháp tỏa nhiệt cho điốt b Dòng điện ngược bão hòa c Nồng độ tạp chất của chất bán dẫn d Điện áp ngoài đặt lên nó Câu hỏi loại 4: 32/ Hai điốt mắc nối tiếp. Điốt thứ nhất có điện áp phân cực là 0,75 V và điốt thứ hai có điện áp phân cực là 0,8 V. Nếu dòng điện đi qua điốt thứ nhất là 100mA, hỏi dòng điện đi qua điốt thứ hai là bao nhiêu? a 140 mA b 120 mA c 80 mA d 100 mA 33/ Cho mạch điện như hình vẽ. Điện áp tại điểm nối giữa R 1 và R 2 đo được là 3 V. Điện áp giữa đi ốt và điện trở 5 KΩđo được 0 V. Hỏi điều gì xảy ra trong mạch điện? a Đi ốt bị đứt hỏng b Đi ốt bị nối tắt c Mạch hoạt động bình thường d Điện trở bị nối tắt 34/ Có hai điốt mắc nối tiếp với nhau với nguồn điện cung cấp cả mạch là 1,4V. Điốt thứ nhất có điện áp là 0,75V. Nếu dòng điện chạy qua đi ốt thứ nhất là 500mA, hỏi điốt thứ hai có công suất là bao nhiêu? a 325 mW b Cả 3 đáp án trên đều không đúng c 375 mW d 300 mW CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT) Câu hỏi loại 1. 1/ Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc là a Cả hai loại hạt dẫn trên. b Các lỗ trống c Các điện tử tự do d Không phải hai loại hạt dẫn trên 2/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được a Không dẫn điện b Phân cực thuận. c Phân cực ngược. d Hoạt động ở vùng đánh thủng 3/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc được a Hoạt động ở vùng đánh thủng b Phân cực thuận c Không dẫn điện d Phân cực ngược. 4/ Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và a Có độ pha tạp thấp b Là kim loại. c Có độ pha tạp cao. d Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị năm. 5/ Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực, các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của a Tất cả các vùng trên. b Lớp tiếp xúc góp-gốc. c Lớp tiếp xúc phát-gốc. d Vùng tái hợp. 6/ Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành a Một điện tử tự do khác. b Một điện tử trong vùng dẫn. c Một điện tử hóa trị. d Một hạt dẫn đa số. 7/ Yếu tố nào quan trọng nhất để nói về dòng điện cực góp (I )? C a Nó rất nhỏ. b Nó bằng dòng điện cực gốc (I B c Nó được đo bằng miliampe. ) chia cho hệ số khuếch đại dòng điện. d Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (I ). E 8/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì: a Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận b Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược 9/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. b Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận d Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. 10/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thì a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận. b Cả ba trường hợp phân cực trên đều đúng c Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược d Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược. 11/ Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-N là hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực? a Sai b Đúng 12/ Trong vùng tích cực của một tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát (U ) là BE a 0,7 V b 0 V c 1 V d 0,3 V 13/ Trong vùng bão hòa của một tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (U CE ) là a 0,3 V b 1 V c 0,7 V d 0 V 14/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là U BE = 0,7V; U = 0,2 V. CE Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào? a Tích cực b Bão hòa c Ngắt d Không phải các chế độ trên 15/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là: U BE = 0 V; UCE » EC . Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào? a Ngắt b Bão hòa. c Tích cực d Không phải các chế độ trên 16/ Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ a Ngắt và tích cực b Không phân cực c Bão hòa và tích cực. d Ngắt và bão hòa 17/ Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện góp? a Các I on b Hạt dẫn lỗ trống c Tất cả các loại hạt dẫn trên d Hạt dẫn điện tử 18/ Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện α và β được mô tả qua công thức: b = 1 + a a a b = 1 - a b a b = a c 1 - a b = a d 1 + a Câu hỏi loại 2: 19/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện gốc trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức a I = (β+1)I C B + βI  CB0 b I = β + (β+1)I C  CB0 c I = βI C B + I CB0 d I = αI C B + (α+1)I  CB0 20/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện phát trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức a I = αI C E + I CB0 b I = αI C E c I = αI C E - I CB0 d I = α(I + I ) C E CB0 21/ Một tranzito có dòng điện phát là 10 mA, dòng điện góp là 9,95 mA. Hỏi dòng điện gốc là bao nhiêu? a » 1mA b 0,5 mA c 19,95 mA d 0,05 mA 22/ Dòng điện cực góp là 5 mA, dòng điện gốc là 0,02 mA. Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện β là bao nhiệu? a 250 b 100 c 50 d 25 23/ Một tranzito có hệ số khuếch đại dòng điện là 125 và dòng điện gốc là 30μA. Hỏi dòng điện cực góp là bao nhiêu? a 37,5 mA b 3,75 A c 375 μA d 3,75 mA 24/ Tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào? a Phát chung (CE) b Gốc chung (CB). c Góp chung (CC). d Dacling tơn 25/ Tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào? a Gốc chung (CB). b Phát chung (CE). c Dacling tơn d Góp chung (CC) 26/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào? a Phát chung (CE). b Góp chung (CC). c Gốc chung (CB) d Dacling tơn 27/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào? a Phát chung (CE) b Gốc chung (CB). c Góp chung (CC). d Dacling tơn 28/ Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là a 2 mA b 2 A c 20A d 0,5 mA 29/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito hoạt động ở chế độ nào? a Ngắt b Không phải 3 chế độ trên c Tích cực d Bão hòa. 30/ Hãy cho biết tranzito trong mạch được mắc theo cách nào? a Cực góp chung b Cực phát chung c Cực gốc chung d Dac ling tơn Câu hỏi loại 3: 31/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R = R //R B 1 2 a 30 KΩ b 170 Ω c 5,866 KΩ d 14 KΩ 32/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R = R //R ? B 1 2 a 10 KΩ b 20 KΩ c 5 KΩ d 7,5 KΩ 33/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hãy xác đinh điện áp U ? B a 10 V b 5 V c 7,5 V d 6 V 34/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito làm việc ở chế độ nào? a Ngắt b Bão hòa c Không phải ba chế độ trên. d Tích cực 35/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào? a Mạch định thiên cố định b Mạch định thiên hồi tiếp điện áp c Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt d Mạch định thiên phân áp 36/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào? a Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt b Mạch định thiên cố định có mạch ổn định nhiệt c Mạch định thiên phân áp d Mạch định thiên hồi tiếp điện áp 37/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào? a Mạch định thiên cố định b Mạch định thiên hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệt c Mạch định thiên hồi tiếp điện áp d Mạch định thiên phân áp 38/ Cho mạch điện như hình vẽ dưới: Tranzito Q 1 có hệ số β 1 = 90, tranzito Q 2 có hệ số β 2 = 70. Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện của cả mạch β là bao nhiêu? a 20 b 6300 c 160 d 320 Câu hỏi loại 4: 39/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy xác định hệ số ổn định nhiệt S của mạch nếu hệ số khuếch đại dòng điện của tranzito β = 100? a S = 34,1 b S = 101 c S = 15,1 d S = 9,5 40/ Cho mạch điện như hình vẽ có tranzito silic và U B = 10V; R B = 100KΩ. Hỏi dòng điện cực gốc I B là bao nhiêu? a 100 μA b 93 μA c 100 mA d 93 mA 41/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp I C 3,6KΩ; = 1 mA; điện trở R = C và điện áp nguồn cung cấp V C nhiêu? = 10V. Hỏi điện áp giữa cực góp- phát U CE bằng bao a U = 0,64 V CE b U = 6,4 V CE c U = 10 V CE d U = 9 V CE 42/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp là 1 mA; nguồn điện cung cấp V = 10 V; C điện áp giữa cực góp-phát U CE = 6,4 V. Hãy xác đinh công suất của tranzito trong mạch là bao nhiêu? a 6,4 mW b 10 W c 6,4 W d 10 mW 43/ Hãy xác định dòng điện I C của tranzito trong sơ đồ mạch điện sau. Tranzito chế tạo từ silic có β =100 và I  CB0 = 0mA a 2,5 mA b 3,1 mA c 25 μA d 3,3 mA 44/ Hãy xác định điện áp U CE của tranzito trong sơ đồ mạch dưới đây khi biết dòng điện I C = 10 mA; nguồn E C =10V; điện trở R C = 470Ω; R B = 100KΩ? a 4,0 V b 6,3 V c 5,3 V d 4,7 V CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET) Câu hỏi loại 1. 1/ FET: a Là một cấu kiện được điều khiển bằng dòng điện b Có trở kháng và thấp c Có hệ số khuếch đại điện áp rất cao d Là một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp 2/ Để tạo ra dòng điện trong mạch, một tranzito đơn cực sử dụng a Chỉ mỗi hạt dẫn lỗ trống b Chỉ một loại hạt dẫn: hoặc điện tử tự do, hoặc lỗ trống c Chỉ mỗi điện tử tự do d Cả hai loại hạt dẫn là điện tử tự do và lỗ trống 3/ Trở kháng vào của JFET a Không thể đoán trước được b Gần bằng zero c Gần bằng 1 d Lớn vô cùng 4/ Điện áp cực Cửa của FET điều khiển a Độ rộng của kênh b Điện áp “ngắt” tỉ lệ c Tất cả các điều kể ra ở đây d Dòng điện máng 5/ Lớp tiếp xúc P-N giữa cực Nguồn và cực Cửa của JFET cần phải: a Hoặc phân cực thuận, hoặc phân cực ngược b Phân cực ngược c Không phải tất cả các điều này d Phân cực thuận 6/ Các hạt dẫn trong JFET kênh P là a Các điện tử tự do và các lỗ trống b Các lỗ trống c Các điện tử tự do d Có thể là điện tử tự do hoặc có thể là lỗ trống 7/ Để FET hoạt động ta phải phân cực sao cho các tiếp xúc P-N phải phân cực thuận và các hạt dẫn phải chuyển động từ cực nguồn qua kênh về cực máng để tạo nên dòng điện trong FET? a Đúng b Sai 8/ MOSFET kênh sẵn hoạt động gần như a Một nguồn dòng b Một MOSFET kênh cảm ứng c Một JFET d Một điện trở 9/ Điện áp nào có tác dụng bật cho MOSFET kênh cảm ứng hoạt động? a Điện áp khuỷu (U ) B0 b Điện áp ngưỡng (U ) GSth c Điện áp ngắt (U ) GSngắt d Điện áp bão hòa (U ) DSbh 10/ Khi một JFET ở chế độ ngắt thì các lớp tiếp xúc P-N (lớp nghèo hạt dẫn) sẽ: a Chạm vào nhau b Dẫn điện c Cách xa nhau ra d Trùm phủ lên nhau 11/ Trong một JFET kênh N, khi điện áp cực cửa càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa hai lớp tiếp xúc sẽ trở nên: a Rộng hơn b Hẹp hơn c Không dẫn điện d Dẫn điện 12/ Ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật a Đường thẳng b Đường cong parabol c Không thay đổi d Đường cong hypecbol 13/ Ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật a Đường cong hypecbol b Đường cong parabol c Không thay đổi d Đường thẳng 14/ Vật liệu phần Nguồn và phần Máng của MOSFET kênh cảm ứng loại N là: a Kim loại b Bán dẫn thuần c Bán dẫn tạp loại N d Bán dẫn tạp loại P 15/ Trở kháng vào của JFET có giá trị nằm trong khoảng: a (106 ¸ 108 )Ù b (1013 ¸ 1015 )Ù c (1010 ¸ 1013 )KÙ d (1010 ¸ 1013 )Ù 16/ Trở kháng vào của MOSFET có giá trị nằm trong khoảng a (1010 ¸ 1013 )Ù b (1013 ¸ 1015 )Ù c (106 ¸ 108 )Ù d (1014 ¸ 1016 )KÙ 17/ Vật liệu kênh dẫn của JFET kênh N là chất a Bán dẫn loại N b Hợp kim c Bán dẫn thuần d Bán dẫn loại P Câu hỏi loại 2: 18/ Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại P hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực sao cho a U GS b U GS c U GS d U GS ³ U GSth £ U GSth ³ U GSth £ U GSth  và U < 0 DS và U < 0 DS và U > 0 DS và U > 0 DS 19/ Một JFET có I Dbh = 10mA và U DSbh = 2V, thì điện trở một chiều R DS sẽ bằng a 2 KΩ b 400 Ω c 200 Ω d 5 KΩ 20/ Một JFET có dòng điện máng bão hòa I  Dbh = 20mA và điện áp máng bão hòa U DSbh = 5V. Hỏi điện trở một chiều của JFET ở vùng thuần trở là bao nhiêu? a RD S b RD S c RD S d RD S = 100 Ω = 250 Ω = 2,5 KΩ = 250 KΩ 21/ Công thức tính dòng điện máng của tranzito trường là: 2 ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ U I D = I D 0 ⎜1 - a ⎝ ⎟ GSngat ⎠ 2 ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ U I D = KI D 0 ⎜1 - b ⎝ ⎟ GSngat ⎠ ⎛ U ⎞ I = I ⎜1 - GS ⎟ U D D 0 ⎜ c ⎝ ⎟ GSngat ⎠ 2 ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ U I D = I D 0 ⎜1 + d ⎝ ⎟ GSngat ⎠ 22/ Tranzito 2N5902 có dòng điện máng bão hòa là 500µA và điện áp máng-nguồn bão hòa U DSbh là 2V, Hỏi điện trở máng R DS trong vùng thuần trở là bao nhiêu? a RD S b RD S c RD S d RD S = 10 KΩ Ω= 4 K = 100 Ω = 40 Ω 23/ Tranzito 2N5457 có giá trị dòng điện máng bão hòa I  Dbh là 5 mA và điện áp ngắt U GSngắt là -6 V. Hãy tính hệ số K khi điện áp U GS là 0 V? a K = 1 b K = 2. c K = 6. d K = 5. 24/ Tranzito 2N5902 có các tham số I G phòng. là 5 pA tại điện áp U GS bằng 20 V ở nhiệt độ Hỏi trở kháng vào của nó là bao nhiêu ở nhiệt độ phòng? 9 a ZV = 4.10 Ù b ZV = 4.1015 Ù c ZV = 5.1010 Ù 12 d ZV = 4.10 Ù 25/ Trong công thức tính dòng điện cực máng I D 2 = KI D0 của JFET, hệ số K là: ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ U K = ⎜1 + a ⎝ ⎟ GSngat ⎠ 2 ⎛ U ⎞ K = ⎜ GS ⎟ U ⎜ ⎟ b ⎝ GSngat ⎠ 2 ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ U K = ⎜1 - c ⎝ ⎟ GSngat ⎠ ⎛ U ⎞ K = ⎜1 + GS ⎟ U ⎜ ⎟ d ⎝ GSngat ⎠ 26/ Trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một FET có thể đạt được là: a m = 10 ¸ 30 b m = 150 ¸ 300 c m < 1 d m = 5 ¸10 27/ Trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một FET có thể đạt được là a m = 150 ¸ 300 b m = 10 ¸ 30 c m = 5 ¸10 d m < 1 28/ Đặc tuyến điều khiển của FET : I D a Đường thẳng. b Đường cong parabol. c Đường cong hypecbol. d Đường không xác định trước. Câu hỏi loại 3: = f(U GS ) khi U DS không đổi là một: 29/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U DS là bao nhiêu? a UD S b UD S c UD S d UD S = 11 V = 17 V = 5 V = 9 V 30/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết dòng điện máng I D là bao nhiêu? a ID = 17 mA b ID = 20 mA c ID = 7,5 mA d ID = 7,5 A 31/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào? a Cửa chung. b Phát chung. c Nguồn chung d Máng chung. 32/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào? a Phát chung. b Cửa chung. c Máng chung. d Nguồn chung 33/ Tranzito trong sơ đồ được phân cực cách nào? a Tự phân cực. b Phân cực hồi tiếp. c Phân cực cố định. d Phân cực phân áp. 34/ Hãy cho biết tranztito trong sơ đồ được phân cực theo cách nào? a Phân cực tự cấp. b Phân cực hồi tiếp. c Phân cực phân áp d Phân cực cố định. Câu hỏi loại 4: 35/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U DS là bao nhiêu? a UD S b UD S c UD S d UD S = 1,2 V. = 11V. = 4 V. = 13,8 V 36/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U DS là bao nhiêu? a UD S b UD S c UD S d UD S = 11 V. = 0 V. = 9 V. = 7,5 V. 37/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hỏi điện áp trên cực cửa là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I D  = 15 mA? a UG = 10 V b UG = 0 V c UG = 15 V d UG = 5 V 38/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hỏi điện áp trên cực máng là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I D  = 12 mA? a UD = 25 V b UD = 0 V c UD = 15 V d UD = 13 V 39/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi điện áp U DS là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng I D = 10 mA? a UD S b UD S c UD S d UD S = 5 V = 20 V = 15 V = 10 V 40/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi dòng điện máng là bao nhiêu? a ID = 5,55 mA b ID = 0,25 mA. c ID = 0,5 mA. d ID = 4,72 mA CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR Câu hỏi loại 1. 1/ Thyristo có thể sử dụng như: a Một điện trở. b Một bộ khuếch đại. c Một công tắc chuyển mạch d Một nguồn dòng. 2/ Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng a Hồi tiếp dương. b Hồi tiếp. c Tranzito lưỡng cực. d Sử dụng một dòng điện. 3/ Dòng điện vào nhỏ nhất mà nó có thể bật thyristo dẫn điện được gọi là a Dòng điện đánh thủng. b Dòng điện duy trì I . H c Dòng điện kích thích I . G d Dòng điện ngược bão hòa. 4/ Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là: a Dòng điện ngược bão hòa. b Dòng điện kích thích. c Dòng điện đánh thủng. d Dòng điện duy trì. 5/ Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn. b Ba lớp tiếp xúc P-N. c Hai lớp tiếp xúc P-N. d Bốn lớp tiếp xúc P-N. 6/ Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường: a Dùng dòng điện duy trì. b Dùng cái ngắt điện. c Dùng hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N. d Kích thích cực điều khiển G. 7/ Triac tương đương với: a Hai SCR đấu song song và cùng chiều nhau. b Điốt có bốn lớp bán dẫn. c Hai diac mắc song song. d Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau. 8/ Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là: a Điện áp đỉnh U . P b Điện áp trũng U . V c Điện áp kích khởi U . K d Điện áp đỉnh khuỷu U . B0 Câu hỏi loại 2: 9/ Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyến a Điện trở âm và điện trở dương b Ở vùng ngắt. c Điện trở dương. d Điện trở âm. 10/ Điện áp đỉnh của UJT được tính theo công thức a UP = η U BB b UP = η U BB + 0,7 V c UP = U BB d UP = η U + 0,7 V - 0,7 V BB 11/ Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt là a Dòng điện I > I V và tụ điện 1m F > CT ³ 0, 01m F b Dòng điện I V > I > I P và tụ điện c Dòng điện I < I P và tụ điện 1m F > CT ³ 0, 01m F d Dòng điện I < I P và I > I . V 12/ Khi SCR đã dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển thì SCR sẽ ngừng dẫn? a Đúng. b Sai. 13/ Tác dụng của dòng điện kích thích đưa vào cực G của SCR là a Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P . 1 b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N 1 c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P 2 d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P 2 CHƯƠNG 7: VI MẠCH TÍCH HỢP (IC) Câu hỏi loại 1. 1/ Vi mạch tích hợp là cấu kiện có ưu điểm cơ bản: a Tiêu thụ ít năng lượng. b Tất cả các điều kể ở đây. c Kích thước nhỏ. d Độ tin cậy cao. 2/ Loại vi mạch tích hợp được sản xuất và sử dụng nhiều nhất là a Vi mạch lai. b Vi mạch màng mỏng. c Vi mạch bán dẫn. d Vi mạch màng dày. 3/ Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là: a Công nghệ bốc hơi và lắng đọng trong chân không. b Kết hợp tất cả các công nghệ này. c Công nghệ plana và plana-epitaxi. d Công nghệ quang khắc. 4/ Điốt trong vi mạch được tích hợp dưới dạng a Điốt nguyên thể. b Một lớp tiếp xúc P=N. c Một tụ điện. d Tranzito được nối tắt chân cực. 5/ Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại: a Vi mạch lai. b Vi mạch số. c Vi mạch tuyến tính. d Tổ hợp vi mạch tranzito-điốt. 6/ Tầng vào của IC khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại vi sai để có: a Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại lớn. b Đảm bảo an toàn cho các tranzito trong IC. c Trở kháng ra nhỏ. d Dải tần số làm việc rộng. 7/ IC khuếch đại thuật toán có a Hai lối vào và hai lối ra. b Một lối vào và một lối ra. c Ba lối vào và một lối ra. d Hai lối vào và một lối ra. 8/ Một bộ khuếch đại thuật toán tốt cần có a Hệ số khuếch đại vi sai nhỏ và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. b Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ. c Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. d Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn. 9/ Vi mạch số hiện nay được chế tạo trên cơ sở: a Chỉ các tranzito trường. b Các tranzito, các tụ điện, các điện trở và cuộn dây. c Chỉ các tranzito lưỡng cực. d Các tranzito lưỡng cực và tranzito trường. 10/ Vi mạch số được sử dụng rộng rãi hiện nay là loại a Họ TTL và họ CMOS. b Họ DTL. c Họ RTL. d Họ TL. 11/ Vi mạch nhớ là một cấu kiện điện tử có khả năng: a Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số thập phân. b Lưu trữ các chữ cái và các chữ số. c Lưu trữ các dữ liệu dưới dạng số nhị phân. d Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số nhị phân. 12/ ROM là bộ nhớ có khả năng đọc và viết? a Đúng. b Sai. 13/ RAM là bộ nhớ tạm thời, khi mất điện cung cấp thì tin tức trong nó bị xóa ngay? a Sai. b Đúng. 14/ EPROM là bộ nhớ: a Chỉ được viết một lần do người sản xuất. b Chỉ được viết một lần do người sử dụng. c Có thể xóa đi và viết lại. d Có khả năng đọc/viết. 15/ LSI là vi mạch tích hợp có chứa a Từ 10 đến 100 phần tử. b Lớn hơn 100 phần tử. c Lớn hơn 1000 phần tử. d Đến 10 phần tử. Câu hỏi loại 2: 16/ Bộ khuếch đại thuật toán có thể khuếch đại: a Chỉ tín hiệu xoay chiều (ac). b Cả tín hiệu xoay chiều (ac) và một chiều (dc). c Không tín hiệu xoay chiều (ac) và không tín hiệu một chiều(dc). d Chỉ tín hiệu một chiều (dc). 17/ Tầng vào của một bộ khuếch đại thuật toán thường là: a Bộ khuếch đại cao tần. b Bộ khuếch đại mắc cực phát chung (CE). c Bộ khuếch đại vi sai. d Bộ khuếch đại công suất chế độ B. 18/ Tại tần số khuếch đại đơn vị, hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại thuật toán bằng: a K = Zero U b K = 1. U c KU = KV 0 / 2 d K = K . U U0 19/ Trở kháng vào của bộ khuếch đại thuật toán có tầng vào dùng JFET là: a Trung bình. b Rất cao. c Thấp. d Cao. 20/ Nếu hai nguồn cung cấp của một bộ khuếch đại thuật toán là ±15 V, thì điện áp ra cực đại của nó là bao nhiêu? a 30V b ±12V c ±15V d ±(12V ¸14V ) 21/ Độ dốc đặc tuyến truyền đạt của bộ khuếch đại thuật toán thể hiện a Trở kháng vào. b Hệ số khuếch đại điện áp. c Trở kháng ra. d Điện áp ra. 22/ Một bộ khuếch