Luận văn Ảnh hưởng của điện tử giam cầm và phonon giam cầm lên một số tính chất quangtrong các hệ bán dẫn thấp chiều

p q q z z z q x y n N n N p q p n n s m i m m L L                                                , , ', ', 22 2 2 2 2 2 2 2 1 2* * 2 2 ( 1) ' ' 2 2 z z zn p q n p q q z z z q x y n N n N p q p n n s m i m m L L                                                    (3.3) 3.1.1.2. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trƣờng bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dây lƣợng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn Bởi vì chuyển động của điện tử bị giam cầm trong mặt phẳng xOy nên chúng ta chỉ xét véc tơ mật độ dòng của các điện tử dọc theo hướng z trong dây lượng tử hình chữ nhật, nó có dạng: , ,* , , ( ) ( ) ( ) z z z z z n p n p e e j t p A t n t m c                (3.4) Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu gây bởi các điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật khi có mặt bức xạ laser có dạng: 02 22 02 8 ( ) sinz t j t E t c E       (3.5) Thay , , ( )zn pn t   ở (3.3) vào (3.4) được ( )zj t  , sau đó thay ( )zj t  vào (3.5), ta được 2 2 2 2 22 , , ', ' 1 2 , , ', ',2 , , ', ', , ,02 16 ( ) ( ) ( ) ( 1) z z z z q n n s z m z n p q n p q q n n p q s m C I q mJ a q J a q n N n N c E                                 ', ' , 1 2( ) ( )n z z n z qp q p s m                  (3.6) 66 a/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang: Có [3, 9]: 2 2 0 2 0 0 1 1 2 q e C V q              , 0q  . (3.7) Khi đó, (3.6) trở thành: 2 2 2 2 22 0 , , ', ' 1 222 , , ', ', , ,00 02 8 1 1 1 ( ) ( ) ( ) z n n s z m z n n p q s m e I q mJ a q J a q qV c E                                , , ', ', ', ' , 0 1 2( 1) ( ) ( )z z zn p q n p q q n z z n zn N n N p q p s m                            (3.8) Đối với 2 ( )mJ x , ta lấy gần đúng đến bậc hai của đối số; đối với 2 ( )sJ x , ta lấy gần đúng đến bậc bốn của đối số.Khi đó, (3.8) được viết lại như sau: 0 0 2 2 2 2 0 , , ', ' , , ', ', 22 , , ', ', ,00 02 8 1 1 1 ( ) ( 1) z z z z n n n p n p q n n p q e I q n N n N qV c E                                          22 2 2 412 1 0,1 0, 1* * 3 1 2 2 32 zz z z z z z a qa q p q p q a q m m                                                    2 4 2 2 2 2 1 1 1,1 1, 1 1,1 1, 1* * * *4 16 z z z z z z z z z z a q a q p q p q p q p q m m m m                                                                         4 2 2 2 2 1 2,1 2, 1 2,1 2, 1* * * *64 z z z z z z z z z a q p q p q p q p q m m m m                                                               (3.9) trong đó: , ', ' , 0 1 2s m n n s m              , 2 2 , , *2 z s m s m q m      với 2, 1,0,1,2s    ; 1, 1m    ; 2 2 2 2 , * 2 22 n x y n m L L              , 2 2 2 2 ', ' * 2 2 ' ' 2 n x y n m L L              . - Ta xét 3 tổng sau: 0 0 2 2 2 2 . , , ', ' , , ', ', ,2 * , 1 ( ) ( 1) 2z z z z z z z s m n n n p n p q s m p q a q p q D I q n N n N q m                                     0 0 2 2 2 22 , , , ', ' , , ', ', 1 ,2 * , 1 ( ) ( 1) 2z z z z z z z s m n n n p n p q z s m p q a q p q H I q n N n N a q q m                                       0 0 2 2 2 42 , , , ', ' , , ', ', 1 ,2 * , 1 ( ) ( 1) 2z z z z z z z s m n n n p n p q z s m p q a q p q G I q n N n N a q q m                                     67 Chuyển tổng thành tích phân:      4 , ... ... 2 z z x y z z p q VL dq dq dq dp                Gọi góc giữa 01E  và chiều dương của trục Oz là 1 , góc giữa 02E  và chiều dương của trục Oz là 2 => góc giữa zq  và 01E  là 1 hoặc 1  , góc giữa zq  và 02E  là 2 hoặc 2  . Ta tính tích phân theo zp trước, sau đó mới tính các lớp tích phân còn lại.Sử dụng công thức:     0' 1 ( ) f x x x f x    (trong đó 0x xác định từ điều kiện:  0 0f x  ), và các công thức (2.19), (2.20), đồng thời giả thiết rằng: 2 2 2 2 2 2 z z zq q q q q q     , ta sẽ tính được ,s mD , ,s mH , ,s mG . Thay ,s mD , ,s mH , ,s mG vào (3.9), ta được: 2 2 , , 4 ', ' 1 2 3 1 2 3 * * 3 , , ', '02 1 2 0 0 0 1 1 1 3 1 1 1 os 2 32 4 16 642 2 n n n n B c II A A A B B B m k T m Z e n c Z                                 (3.10) Trong đó: ' ' 1 0,1 0, 1A D D   , ' ' 2 0,1 0, 1A H H   , ' ' 3 0,1 0, 1A G G   ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' 1 1,1 1, 1 1,1 1, 1 2 1,1 1, 1 1,1 1, 1 3 2,1 2, 1 2,1 2, 1; ;B H H H H B G G G G B G G G G                         2 5 1 0 3 4 ' 2 , 6 5 1 2 s m h h K h h D e Ei h h               khi khi , , 0 0 s m s m     ,   1 2 1 1 2 1 3 4 ' , 5 1 6 2 s m b h h K h h H h b h       khi khi , , 0 0 s m s m      2 1 2 2 3 4 ' , 22 5 6 2 s m b h h K h h G b h h       khi khi , , 0 0 s m s m     , , 2 1 s m Bk Th e    , 2* 2 , 2 4 4 s mm h    , , 3 2 s m B h k T     , ', ' , 0 04 1 n n s m B Bk T k Th e N e N              , * 5 2 8 Bm k Th   ,   , ', ' 0 06 1 n n B Bk T k Th e N e N            01 1 * 2 1 eE a m   , 2 2 1 1 1osb a c  , 4 4 2 1 1osb a c  , 2 2 2 * 22 1 1 B x n m k TL n Z e       , 2 2 2 * 22 2 1 B ym k TLZ e        0 0 1 1B k T N e      , 2 2 2 2 , * 2 22 n x y n m L L              , 2 2 2 2 ', ' * 2 2 ' ' 2 n x y n m L L              68    , , ', ' 1 , ' 1 , ' 2 , ' 2 , '1 1n n n n n nII C P C P                   với:    2 22 2 1 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'x n nn n C L n nn n           ,    2 22 2 2 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'y C L                 1 2 1 3 105 2 16x P L n          , 2 2 1 3 105 2 16y P L          , ', ' , 0 1 2s m n n s m              , với 2, 1,0,1,2s    ; 1,1m   . 0  , nhỏ tùy ý. Các đại lượng 1A , 2A , 3A , 1B , 2B , 3B có ý nghĩa tương tự như trong hệ hai chiều.Phương trình (3.10) là biểu thức của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu khi có mặt bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang.Từ biểu thức (3.10), chúng ta thấy rằng hệ số hấp thụ sóng điện yếu với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang không phụ thuộc vào E02, chỉ phụ thuộc vào E01, Ω1, Ω2, T, Lx, Ly. Từ biểu thức (3.10), khi chúng ta cho 01 0E  , chúng ta sẽ nhận được biểu thức của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu khi vắng mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang. b/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm: Có [3, 9]: 2 2 2 q s q C v V     , q sv q  (3.11) Vì phonon âm nên q  nhỏ,do đó 1 1 1 q B q B qk T B q B sk T k T e N k T v q e                  Vì 1 2,q    nên trong biểu thức (3.6) ta có thể bỏ qua số hạng q trong đối số của hàm delta Dirac. Khi đó biểu thức (3.6) trở thành như sau: 2 2 2 2 22 , , ', ' 1 2 , , ', ',2 , , ', ', , ,02 8 ( ) ( ) ( ) (1 ) z z z z B B n n s z m z n p n p q n n p q s m s ss k T k T I q qmJ a q J a q n n v q v qVc v E                                        ', ' , 1 2( ) ( )n z z n zp q p s m               (3.12) Cũng làm tương tự như phần trên, ta được: 2 2 , , ', ' 1 2 3 1 2 3 * 3 * , , ', ' 1 2 1 2 2 2 0 1 3 1 1 1os 2 32 4 16 62 42 n n n n Bs c II A A A B B B m m k T Z n Z e c v                         (3.13) 69 Trong đó: ' ' 1 0,1 0, 1A D D   , ' ' 2 0,1 0, 1A H H   , ' ' 3 0,1 0, 1A G G   ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' 1 1,1 1, 1 1,1 1, 1 2 1,1 1, 1 1,1 1, 1 3 2,1 2, 1 2,1 2, 1; ;B H H H H B G G G G B G G G G                             , 3 1 4 2 1 2 3 3 4 2 1 3 2 ' 3 , * 2 6 5 3 8 4 2 n B s m B k T h h K h h h K h D m k T h h e              khi khi , , 0 0 s m s m           , 5 4 1 1 2 5 3 4 2 2 3 2 ' 5 * 2 2, 6 5 1 5 3 8 8 2 n B s m B k T b h h K h h h K h H m k T h h b e                         khi khi , , 0 0 s m s m           , 7 3 4 2 2 1 2 7 3 4 2 3 3 2 ' 7 * 2, 3 2 6 57 15 8 16 n B s m B k T b h h K h h h K h G m k T b e h h                         khi khi , , 0 0 s m s m     , ,2 2 1 n s m Bk Th e      , 2* 2 , 2 4 4 s mm h    , , 3 2 s m B h k T   , ', ' ,2 2 4 1 n s m Bk TB s k T h h e v               * 5 2 8 Bm k Th   , , ', ' 6 n n B Bk T k TB s k T h e e v                 , 01 1 * 2 1 eE a m   , 2 2 1 1 1osb a c  , 4 4 2 1 1osb a c  2 2 2 * 22 1 1 B x n m k TL n Z e       , 2 2 2 * 22 2 1 B ym k TLZ e        , 2 2 2 2 , * 2 22 n x y n m L L              , 2 2 2 2 ', ' * 2 2 ' ' 2 n x y n m L L                 , , ', ' 1 , ' 1 , ' 2 , ' 2 , '1 1n n n n n nII C P C P                   với:    2 22 2 1 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'x n nn n C L n nn n           ,    2 22 2 2 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'y C L                 1 2 1 3 105 2 16x P L n          , 2 2 1 3 105 2 16y P L          , ', ' , 1 2s m n n s m           , với 2, 1,0,1,2s    ; 1,1m   Các đại lượng 1A , 2A , 3A , 1B , 2B , 3B có ý nghĩa tương tự như trong hệ hai chiều. Phương trình (3.13) là biểu thức của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu khi có mặt bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế 70 cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm.Từ biểu thức (3.13), chúng ta thấy rằng hệ số hấp thụ sóng điện yếu với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm không phụ thuộc vào E02, chỉ phụ thuộc vào E01, Ω1, Ω2, T, Lx, Ly. Từ biểu thức (3.13), khi chúng ta cho 01 0E  , chúng ta sẽ nhận được biểu thức của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu khi vắng mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm. 3.1.1.3. Kết quả tính số và thảo luận Trong mục này chúng ta sẽ tính toán số, vẽ đồ thị cho biểu thức của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu cho dây lượng tử hình chữ nhật GaAs/GaAsAl. a/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang: Các tham số sử dụng trong tính toán là [9, 23]: 10.9  , 0 13.1  , * 00.066m m , 23 3 0 10n m  , 0 36.25meV  , 1 3    , 2 6    Hình 3.1: Sự phụ thuộc của  vào THình 3.2: Sự phụ thuộc của  vào Ω2 Hình 3.3: Sự phụ thuộc của  vào Lx 71 Hình 3.1 miêu tả sự phụ thuộc của α vào nhiệt độ T đối với 5 giá trị khác nhau của E01, với 13 1 3 10 Hz   , 13 2 10 Hz  , 24xL nm , 26yL nm . Hình 3.1 chỉ ra rằng khi nhiệt độ T của hệ tăng từ 20K tới 400K, các đường cong có một cực đại và một cực tiểu, và hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu có thể có các giá trị âm, tức là sóng điện từ yếu có thể được gia tăng khi có điều kiện thích hợp. So sánh với các cấu trúc hố lượng tử và siêu mạng pha tạp,chúng ta thấy rằng độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu trong hố lượng tử lớn hơn trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khoảng 210 lần, độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn lại lớn hơn trong siêu mạng pha tạp cỡ 310 lần. Như vậy, trong ba cấu trúc này thì khả năng gia tăng sóng điện từ yếu cũng như khả năng hấp thụ sóng điện từ yếu trong hố lượng tử được thể hiện mạnh nhất, sau đó là đến dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn, và cuối cùng là siêu mạng pha tạp. Hình 3.2 miêu tả sự phụ thuộc của α vào tần số Ω2 của sóng điện từ yếu đối với 3 giá trị khác nhau của T, với 13 1 3 10 Hz   , 24xL nm , 26yL nm , 6 01 15 10 /E V m  . Từ hình 3.2, chúng ta thấy rằng các đường cong có một đỉnh cộng hưởng tại 2 0  và bốn đỉnh cộng hưởng thấp hơn tại 2 0  (đỉnh thứ năm rất thấp so với các đỉnh khác nên khó nhìn được rõ).Các tần số Ω2 của sóng điện từ yếu (mà tại đó hệ số hấp thụ có các cực đại) không thay đổi khi nhiệt độ T thay đổi.Điều này được giải thích tương tự như trong hố lượng tử và siêu mạng pha tạp. Đó là các đỉnh cộng hưởng trong hình 3.2 đạt được tại , 0s m  ', ' , 0 1 2 0n n s m              1 2 ', ' , 0n ns m             . Đỉnh cộng hưởng thứ nhất là do sự dịch chuyển của điện tử giữa các trạng thái trong cùng một vùng con lượng tử hóa, ứng với: 'n n , '   , 0s  , 1m  13 2 0 5.5071 10 Hz    . Còn sự xuất hiện của các đỉnh cộng hưởng khác tại 2 0  là do sự chuyển dịch của điện tử giữa các vùng con lượng tử hóa  ,n  . Cụ 72 thể, đỉnh thứ hai tại 1,2 1,1 13 2 0 9.3484 10 Hz           , đỉnh thứ ba tại 2,1 1,1 2 0         141.0015 10 Hz  , đỉnh thứ tư tại 1,3 1,1 2 0         14 1.5751 10 Hz  , và đỉnh thứ năm tại 3,1 1,1 14 2 0 1.7529 10 Hz           .Ở đây, chúng ta thấy xuất hiện nhiều đỉnh cộng hưởng hơn so với hệ hai chiều (hố lượng tử và siêu mạng pha tạp) là do đối với hệ một chiều thì xuất hiện thêm hai chỉ số , '  so với hệ hai chiều nên sẽ có nhiều khả năng xảy ra đẳng thức trên, do đó mà cũng sẽ có nhiều khả năng xuất hiện đỉnh cộng hưởng hơn. Hình 3.3 miêu tả sự phụ thuộc của α vào Lx đối với 3 giá trị khác nhau của T, với 13 1 3 10 Hz   , 13 2 7 10 Hz   , 26yL nm , 6 01 15 10 /E V m  . Cũng giống như trong hố lượng tử, các đường cong trong hình 3.3 có nhiều cực đại (các đỉnh).Các đỉnh hấp thụ này có xu hướng giảm dần khi kích cỡ Lx của dây tăng. Ta cũng thấy khi kích cỡ Lx của dây càng lớn thì độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu càng giảm dần, còn khi kích cỡ của dây nhỏ thì nhìn chung độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ là lớn hơn. Điều này chỉ ra rằng:Hệ số hấp thụ sẽ có giá trị tuyệt đối nhỏ khi kích cỡ Lx (Ly) của dây lớn, tức là khi tính giam giữ điện tử trong dây lượng tử giảm đi và dây lượng tử có xu hướng tiến dần đến vật liệu khối. Trong các hình 3.2 và 3.3, chúng ta cũng thấy khi có mặt bức xạ laser, dưới các điều kiện thích hợp của trường ngoài và hệ bán dẫn,hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang có thể có các giá trị âm, tức là sóng điện từ yếu được gia tăng. Điều này là khác so với bài toán tương tự trong bán dẫn khối và khác so với trường hợp vắng mặt trường bức xạ laser. b/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm: Các tham số sử dụng trong tính toán là [9, 23]: 10.9  , 00.066m m , 23 3 0 10n m  , 13.5eV  , 35.32 /g cm  , 5378 /sv m s , 1 3    , 2 6    . 73 Hình 3.4: Sự phụ thuộc của  vào THình 3.5: Sự phụ thuộc của  vào Lx Hình 3.4 miêu tả sự phụ thuộc của  vào nhiệt độ T của hệ đối với 5 giá trị khác nhau của E01với 13 1 3 10 Hz   , 13 2 10 Hz  , 24xL nm và 26yL nm . Các đường cong có một cực tiểu trong khoảng khảo sát và sau đó  tăng khi nhiệt độ tăng,  có thể có các giá trị âm. So sánh với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang thì độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm là nhỏ hơn, điều này cũng giống như trong hố lượng tử và siêu mạng pha tạp. So sánh với hai cấu trúc hố lượng tử và siêu mạng pha tạp, chúng ta thấy độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm trong hố lượng tử lớn hơn trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khoảng hàng chục lần, còn trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn thì độ lớn tuyệt đối của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu lớn hơn cỡ từ 4 610 10 lần so với trong siêu mạng pha tạp. Như vậy, cũng giống như với cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang, hiệu ứng hấp thụ sóng điện từ yếu cũng như hiệu ứng gia tăng sóng điện từ yếu với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm trong hố lượng tử là thể hiện mạnh nhất trong ba cấu trúc, tiếp theo là đến dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn, và cuối cùng là siêu mạng pha tạp. Hình 3.5 miêu tả sự phụ thuộc của  vào kích cỡ Lx của dây lượng tử đối với ba giá trị khác nhau của Tvới 13 1 3 10 Hz   , 3 2 7 10 Hz   , 26yL nm và 6 01 15 10 /E V m  . Các đường cong có các cực đại và cực tiểu và sau đó  giảm dần tới một giá trị nào đó trong khoảng khảo sát khi Lx càng tăng, và giá trị này gần như không thay đổi khi nhiệt độ thay đổi.Hình 3.5 cũng cho thấy rằng hệ số hấp thụ sẽ 74 có giá trị tuyệt đối nhỏ khi kích cỡ Lx (Ly) của dây lớn, tức là khi tính giam giữ điện tử trong dây lượng tử giảm đi và dây lượng tử có xu hướng tiến dần đến vật liệu khối. Hình 3.5 cũng chỉ ra rằng dưới ảnh hưởng của bức xạ laser, với các điều kiện thích hợp của trường ngoài và hệ bán dẫn, hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn với cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm có thể có các giá trị âm, nghĩa là sóng điện từ yếu được gia tăng. Điều này là khác so với bài toán tương tự trong bán dẫn khối và khác so với trường hợp vắng mặt trường bức xạ laser. 3.1.2. Trƣờng hợp trƣờng bức xạ laser biến điệu biên độ 3.1.2.1. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trƣờng bức xạ laser biến điệu biên độ trong dây lƣợng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn Ta xét bức xạ laser biến điệu biên độ được xác định theo (2.25)-(2.28). Khi đó chúng ta thu được biểu thức cho hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn như sau: a/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang: 2 2 1 2 3 1 2 3 * * 3 , , ', '01 4 0 0 0 2 1 1 1 3 1 1 1 os 2 32 4 16 6422 n nB c A A A B B B m k T m Z e Z n c                              (3.14) Trong đó: ' ' 1 0,1 0, 1A D D   , ' ' 2 0,1 0, 1A H H   , ' ' 3 0,1 0, 1A G G   ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' 1 1,1 1, 1 1,1 1, 1 2 1,1 1, 1 1,1 1, 1 3 2,1 2, 1 2,1 2, 1; ;B H H H H B G G G G B G G G G                         2 5 1 0 3 4 ' 2 , 6 5 1 2 s m h h K h h D e Ei h h               khi khi , , 0 0 s m s m     ,   1 2 1 1 2 1 3 4 ' , 5 1 6 2 s m b h h K h h H h b h       khi khi , , 0 0 s m s m      2 1 2 2 3 4 ' , 22 5 6 2 s m b h h K h h G b h h       khi khi , , 0 0 s m s m     , , 2 1 s m Bk Th e    , 2* 2 , 2 4 4 s mm h    , , 3 2 s m B h k T     , ', ' , 0 04 1 n n s m B Bk T k Th e N e N              , * 5 2 8 Bm k Th   ,   , ', ' 0 06 1 n n B Bk T k Th e N e N            75   2 2 1 2 1 2 1 2* 1 2 4 2 cos( )e F F FF a m          , 2 2 1 1 1osb a c  , 4 4 2 1 1osb a c  , 2 2 2 * 22 1 1 B x n m k TL n Z e       2 2 2 * 22 2 1 B ym k TLZ e        , 0 0 1 1B k T N e      , 2 2 2 2 , * 2 22 n x y n m L L              , 2 2 2 2 ', ' * 2 2 ' ' 2 n x y n m L L                 , , ', ' 1 , ' 1 , ' 2 , ' 2 , '1 1n n n n n nII C P C P                   với:    2 22 2 1 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'x n nn n C L n nn n           ,    2 22 2 2 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'y C L                 1 2 1 3 105 2 16x P L n          , 2 2 1 3 105 2 16y P L          1 2 , ', ' , 0 2 s m n n s m                , với 2, 1,0,1,2s    ; 1,1m   . 0  , nhỏ tùy ý, 1 là góc giữa 01E  và chiều dương của trục Oz, 2 là góc giữa 02E  và chiều dương của trục Oz. 1 , 2 là tần số của hai bức xạ laser mà tạo ra bức xạ laser biến điệu biên độ,  là tần số của sóng điện từ yếu. b/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm: 2 2 , , ', ' 1 2 3 1 2 3 * 3 * , , ', ' 1 1 2 2 2 0 1 3 1 1 1os 2 32 4 16 622 4s n n n n B c II A A A B B B e n c m m k T Z Zv                          (3.15) Trong đó: ' ' 1 0,1 0, 1A D D   , ' ' 2 0,1 0, 1A H H   , ' ' 3 0,1 0, 1A G G   ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' 1 1,1 1, 1 1,1 1, 1 2 1,1 1, 1 1,1 1, 1 3 2,1 2, 1 2,1 2, 1; ;B H H H H B G G G G B G G G G                             , 3 1 4 2 1 2 3 3 4 2 1 3 2 ' 3 , * 2 6 5 3 8 4 2 n B s m B k T h h K h h h K h D m k T h h e              khi khi , , 0 0 s m s m           , 5 4 1 1 2 5 3 4 2 2 3 2 ' 5 * 2 2, 6 5 1 5 3 8 8 2 n B s m B k T b h h K h h h K h H m k T h h b e                         khi khi , , 0 0 s m s m     76       , 7 3 4 2 2 1 2 7 3 4 2 3 3 2 ' 7 * 2, 3 2 6 57 15 8 16 n B s m B k T b h h K h h h K h G m k T b e h h                         khi khi , , 0 0 s m s m     , ,2 2 1 n s m Bk Th e      , 2* 2 , 2 4 4 s mm h    , , 3 2 s m B h k T   , ', ' ,2 2 4 1 n s m Bk TB s k T h h e v               * 5 2 8 Bm k Th   , , ', ' 6 n n B Bk T k TB s k T h e e v                 ,   2 2 1 2 1 2 1 2* 1 2 4 2 cos( )e F F FF a m          2 2 1 1 1osb a c  , 4 4 2 1 1osb a c  , 2 2 2 * 22 1 1 B x n m k TL n Z e       , 2 2 2 * 22 2 1 B ym k TLZ e        , 2 2 2 2 , * 2 22 n x y n m L L              2 2 2 2 ', ' * 2 2 ' ' 2 n x y n m L L              ,    , , ', ' 1 , ' 1 , ' 2 , ' 2 , '1 1n n n n n nII C P C P                   với:    2 22 2 1 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'x n nn n C L n nn n           ,    2 22 2 2 2 2 22 2 5 '1 ' 3 2 '2 'y C L                 1 2 1 3 105 2 16x P L n          , 2 2 1 3 105 2 16y P L          1 2 , ', ' , 2 s m n n s m             , với 2, 1,0,1,2s    ; 1,1m   . 1 là góc giữa 01E  và chiều dương của trục Oz, 2 là góc giữa 02E  và chiều dương của trục Oz. 1 , 2 là tần số của hai bức xạ laser mà tạo ra bức xạ laser biến điệu biên độ,  là tần số của sóng điện từ yếu. 3.1.2.2. Kết quả tính số và thảo luận a/ Trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang: Các tham số sử dụng trong tính toán là: 10.9  , 0 13.1  , * 00.066m m , 23 3 0 10n m  , 0 36.25meV  , 1 3    , 2 6    , 1 3    , 2 6    . 77 Hình 3.6: Sự phụ thuộc của  vào THình 3.7: Sự phụ thuộc của  vào  Hình 3.8: Sự phụ thuộc của  vào Ω1Hình 3.9: Sự ph