LỜI CAM ĐOAN .i
LỜI CẢM ƠN .ii
MỤC LỤC .iii
DANH MỤC CHỮ VIẾT TẮT .v
DANH MỤC HÌNH VẼ, SƠ ĐỒ .vi
DANH MỤC BẢNG BIỂU .viii
MỞ ĐẦU . 1
CHƯƠNG 1: LASER MÀU XUNG NGẮN . 3
1.1. Đặc điểm và tính chất của các xung laser Picô - giây. 3
1.2. Cấu tạo laser. 3
1.3. Các laser phát xung . 7
1.4. Laser màu . 8
1.5. Laser màu xung ngắn . 12
1.5.1. Phương pháp Mode - locking. 12
1.5.2. Phương pháp chọn lọc thời gian phổ (STS). 14
1.5.3. Phương pháp kích thích sóng chạy (Traveling Wave Excitation) 15
1.5.4. Phương pháp buồng cộng hưởng dập tắt (Cavity - Quenching) . 16
1.5.5. Phương pháp phản hồi phân bố (Distributed Feedback) . 19
1.6. Kết luận chương. 20
CHƯƠNG 2: CÁC KỸ THUẬT ĐO ĐỘ RỘNG XUNG . 21
2.1. Đo độ rộng xung trực tiếp . 21
2.1.1. Kỹ thuật đo bằng Photodiode. 21
2.1.2. Đầu đo nhân quang điện. 24
2.1.3. Streak - Camera . 26
2.2. Kỹ thuật đo đặc trưng thời gian gián tiếp . 28
2.2.1. Kỹ thuật đếm đơn photon tương quan thời gian [14]. 28
2.2.2. Kỹ thuật đo phân giải cổng tần số (FROG) [15]. 32
67 trang |
Chia sẻ: honganh20 | Ngày: 28/02/2022 | Lượt xem: 381 | Lượt tải: 2
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Nghiên cứu tính toán xây dựng hệ đo độ rộng xung laser bằng kỹ thuật tự tương quan, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
g kỹ thuật STS vẫn còn tồn
tại nhược điểm là phát xung ngắn ở trong một vùng phổ hẹp.
Hình 1.6. Sơ đồ một laser màu rắn picô - giây STS
1.5.3. Phương pháp kích thích sóng chạy (Traveling Wave Excitation)
Kích thích sóng chạy là một phương pháp đơn giản song khá hữu hiệu
để phát xung ngắn tới cỡ ~ ps. Trong laser sử dụng chất màu làm môi trường
truyền sóng bức xạ được kích thích kiểu sóng chạy, pha không gian của một
xung bơm được xử lý để tạo ra một nhóm xung trễ đều theo chiều ngang
đường kính của chùm bơm như hình 1.7.
S
Nd :YAG laser
(2 ω ) 532 nm
20 Hz
M
1
M
1
’
L
o
G
L
2
L
2
M
2
M
3
M
0
90 ps
L
DS
16
Hình 1.7. Sơ đồ một laser màu xung ngắn sử dụng bơm kích thích sóng chạy
Việc bơm ngang quy - vét màu đại như vậy có thể tạo nên một sự
khuếch đại chuyển động về phía trước trong quy - vét màu có cùng vận tốc
nhóm với các bức xạ cưỡng bức. Khi chùm bơm “chạm” vào môi trường
laser, một bức xạ cưỡng bức đầu tiên sẽ phát ra tại một đầu quy - vét và bắt
đầu chuyển động về phía đầu kia của quy - vét và liên tiếp được khuếch đại
(tức là trong quy - vét màu, bức xạ laser đi tới vị trị nào thì xung kích thích
cũng vừa kịp gây ra khả năng khuyếch đại tới vị trí đó). Cách tử là thiết bị
quan trọng nhất trong cấu hình laser màu kích thích sóng chạy, để tạo nên một
sự trễ không gian liên tục dọc theo chùm bơm đã bị nhiễu xạ (sao cho xung
bơm và các xung bức xạ tự phát sẽ đồng bộ với nhau tại mọi điểm trên thể
tích màu).
Phương pháp khuếch đại kích thích sóng chạy cho phép phát các xung
ngắn với hệ số nén xung thấp, cao nhất chỉ cỡ ~ 2 lần (thông thường nguồn
bơm là các xung laser cỡ ps). Kỹ thuật kích thích sóng chạy thường được sử
dụng với các chất màu có hiệu suất lượng tử thấp, tuổi thọ ngắn.
1.5.4. Phương pháp buồng cộng hưởng dập tắt (Cavity - Quenching)
Kỹ thuật BCH quenching tạo ra xung laser ngắn từ laser bơm với độ
rộng xung cỡ ns, và được sử dụng đầu tiên cho laser màu. Cấu hình của một
laser màu có BCH quenching bơm ngang ở hình 1.8. Môi trường hoạt chất là
những dung dịch chất màu được chứa trong quy - vét. Người ta tạo ra hai
17
BCH laser khác nhau nhưng cùng sử dụng chung một môi trường hoạt chất.
BCH thứ nhất có độ phẩm chất thấp được tạo nên bằng việc sử dụng trực tiếp
hai thành quy - vét làm hai gương phản xạ. BCH thứ hai có độ phẩm chất cao
được tạo nên bằng việc sử dụng gương có hệ số phản xạ cao làm gương sau
và một thành quy - vét, BCH Q - cao có chiều dài lớn hơn BCH thứ nhất và
quang trục của nó lệch chút ít so với BCH thứ nhất.
R1 R2
R3
Laser ra từ BCH Q - cao
Laser ps từ BCH Q - thấp
BCH Q - cao
BCH Q - thấp
Laser bơm Nd-YaG
Hình 1.8. Cấu hình của laser màu BCH quenching
Đặc điểm của các xung laser màu khi hoạt động ở chế độ bơm cao trên
ngưỡng phát bao gồm một chuỗi các xung ngắn. Các xung thứ cấp được hình
thành do sự hồi phục tích lũy của các phân tử màu ở mức năng lượng laser
trên. Do đó, nếu hai BCH này hoạt động độc lập thì bức xạ laser phát ra của
từng BCH Q - thấp hoặc Q - cao đều là các xung laser dài cỡ ns. Tuy nhiên
khi hai BCH này cùng hoạt động đồng thời thì giữa chúng có sự cạnh tranh
năng lượng tích luỹ trong môi trường hoạt chất. Hoạt động của laser có BCH
Q - cao chiếm hầu hết khả năng khuếch đại (gain) trong môi trường hoạt chất.
Kết quả dẫn đến bức xạ laser từ BCH Q - thấp chỉ cho phép phát một xung
ngắn ở lối ra hình 1.9. Tại cùng một năng lượng bơm, khi thay đổi thời gian
khởi phát của laser có BCH Q - cao, ta có thể lựa chọn được độ rộng thời gian
của xung laser phát từ buồng cộng hưởng chất lượng thấp.
18
Phương pháp phát xung laser ngắn từ BCH quenching là đơn giản.
Chúng ta có thể kiểm soát được đặc tính thời gian của xung laser lối ra từ
BCH Q - thấp bằng việc khống chế các thông số hoạt động của laser như thay
đổi phần thể tích hoạt chất dùng chung giữa hai BCH, thông số BCH Q - cao,
thông số bơm cũng như nồng độ của chất màu. Đây là ưu điểm của phương
pháp BCH quenching. Tuy nhiên phương pháp này chỉ cho phép phát các
xung ngắn với hệ số nén xung thấp chỉ cỡ ~ 10 lần.
Hình 1.9. Kết quả tính toán cho thấy laser ra: (1) laser ra từ BCH Q - thấp
khi chưa có hiệu ứng quenching, (2) laser ra từ BCH Q - thấp khi có hiệu ứng
quenching, (3) laser ra từ BCH Q - cao khi có hiệu ứng quenching [12]
Kết quả tính toán lý thuyết cho thấy độ phẩm chất của buồng cộng
hưởng chất lượng cao được lựa chọn sao cho có thể lấy hết được độ khuếch
đại của môi trường hoạt chất mà không làm suy giảm đáng kể đến năng lượng
ra của laser từ buồng BCH Q - thấp.
Các kết quả thực nghiệm phát xung ngắn trong miền picô - giây từ cấu
hình buồng cộng hưởng kép đã được công bố cho thấy đạt được độ rộng xung
trong khoảng 10 - 20 ps khi sử dụng chất màu rhodamine 6G trong môi
trường ethanol [12].
19
C
ư
?
n
g
đ
?
la
se
r
(a
.u
)
Th?i gian (ps)
Hình 1.10. Đặc trưng thời gian của bức xạ laser màu BCH Q
- thấp theo cấu hình BCH kép [12]
Điểm cần lưu ý là trong cùng một điều kiện năng lượng bơm, tại các
bước sóng khác nhau độ rộng xung không đồng nhất. Điều này được giải
thích bởi mức độ bơm trên ngưỡng phát laser là khác nhau tại các bước sóng
phát laser trong dải điều chỉnh bước sóng.
1.5.5. Phương pháp phản hồi phân bố (Distributed Feedback)
Laser màu phản hồi phân bố là loại laser (DFDL) không dùng buồng
cộng hưởng gồm các gương, thay vào đó ánh sáng được phản xạ Bragg và
khuyếch đại trong môi trường hoạt chất do hiệu ứng phản hồi phân bố, nó
được tạo ra bởi sự thay đổi có tính chu kỳ theo không gian của một trong các
thông số của môi trường hoạt chất như: chiết suất, hệ số khuyếch đại và thông
số hình học. Ưu điểm nổi bật của laser DFDL là khả năng phát laser đơn sắc
cao tại các bước sóng khác nhau. Kỹ thuật DFB có thể ứng dụng cho các loại
môi trường khác nhau, và có thể phát xung laser ngắn Picô - giây. Nguyên lý
hoạt động và cấu hình chi tiết của kỹ thuật DFB sẽ được trình bày cụ thể trong
chương 3.
C
ư
ờ
n
g
đ
ộ
l
as
er
(
a.
u
)
hời gian (ps)
20
1.6. Kết luận chương
Trong chương này, đã trình bày một số kiến thức cơ bản về cấu tạo
laser và các laser phát xung nói chung, đặc biệt là laser màu phát xung. Qua
đó có thể thấy một đặc điểm nổi bật của laser màu đó là khả năng điều chỉnh
bước sóng trong một miền phổ rất rộng, vì vậy sẽ rất thuận lợi cho việc phát
laser băng hẹp xung cực ngắn. Mặc dù laser màu xuất hiện tương đối muộn
(1966) so với các loại laser khác, nhưng nó không chỉ thể hiện ưu thế của
mình so với các loại laser lỏng khác, mà laser màu hiện đang được ứng dụng
nhiều trong khoa học kỹ thuật.
Để xác định đặc trưng thời gian của các xung laser, cần phải có các kỹ
thuật đo tương ứng trong từng dải thời gian khác nhau. Tìm hiểu các phương
pháp kỹ thuật đo, ta thấy mỗi kỹ thuật đo đều có ưu điểm, nhược điểm khác
nhau. Tùy từng mục đích nghiên cứu hay ứng dụng mà có thể lựa chọn
phương pháp đo phù hợp.
21
CHƯƠNG 2: CÁC KỸ THUẬT ĐO ĐỘ RỘNG XUNG
2.1. Đo độ rộng xung trực tiếp
2.1.1. Kỹ thuật đo bằng Photodiode
Kỹ thuật này được sử dụng để đo lường các xung tương đối dài (>100
ps). Với các photodiode nhanh nhất, phương pháp đo lường xung laser ngắn
bằng hệ photodiode - oscilloscope chỉ cho phép phân giải tối đa ở khoảng thời
gian vài chục Picô - giây.
Hình 2.1. Sơ đồ nguyên lý đo bằng photodiode phân cực ngược
Nguyên lý của kỹ thuật đo bằng photodiode nhanh như sau (hình 2.1):
Để sử dụng loại này làm đầu đo bức xạ hệ số hấp thụ phụ thuộc vào phổ
của nó là một tham số quan trọng. Trong một bán dẫn không pha tạp, sự hấp thụ
một photon hv làm cho một điện tử chuyển dời từ vùng hóa trị lên vùng dẫn. Với
vùng cấm ∆ Eg = Ec - Ev chỉ những photon có năng lượng lớn hơn giá trị này
mới có thể kích thích chuyển dời điện tử. Hệ số hấp thụ nội tại là:
( )
1/ 2
0
int
,
( )
0,
g
r
hv E
v
α
α
− ∆
=
for
for
g
g
hv E
hv E
> ∆
< ∆
(2.1)
Thể tích tích tụ các hạt tải giới hạn có thể đạt được đối với các loại
photodiode PIN mà tại đó vùng không pha tạp sẽ tách rời vùng p và vùng n.
Do không có hạt tải tự do bên trong vùng đệm giữa, thế hiệu dịch đặt vào đi-
22
ốt sẽ tạo nên một điện trường không đổi làm gia tốc các hạt tải. Vùng giữa tại
có thể khá rộng gây nên một điện dung thấp trong lớp tiếp giáp p - n tạo nên
một đầu đo nhanh và nhậy. Tuy nhiên, giới hạn sự đáp ứng thời gian phụ
thuộc vào thời gian dịch chuyển /
th
vτ ω= của hạt tải trong vùng giữa nó được
xác định bởi độ rộng ω và vận tốc nhiệt của hạt tải vth. Đi - ốt silic PIN có độ
rộng vùng giữa bằng 700 µm có thời gian đáp ứng khoảng 10 ns và độ nhậy
cực đại tại λ = 1,06 µm trong khi đi - ốt có độ rộng vùng giữa 10 µm có thời
gian đáp ứng đạt được 100 ps và độ nhậy cực đại 0,6 µm. Thời gian đáp ứng
nhanh và nhậy đạt được khi chùm sáng được hội tụ vào giữa của đầu đo.
Từ sơ đồ mạch điện hình 2.1, điện dung Cs của đầu đo và các điện trở
song song, nối tiếp của mạch sẽ quyết định hằng số thời gian hay thời gian
đáp ứng tín hiệu. Thời gian đáp ứng tần số trên sẽ là
( )( )max
1
2 1 /s s L s p
f
C R R R Rpi
=
+ +
(2.2)
giá trị này giảm xuống với đầu đo bán dẫn vì Rp lớn và Rs là nhỏ
max
1
2
s L
f
C Rpi
= (2.3)
Sự đáp ứng tần số cao khi giá trị điện trở RL là nhỏ và chỉ phụ thuộc
vào thời gian di chuyển của hạt tải qua vùng tiếp giáp p - n. Thời gian dịch
chuyển này có thể giảm xuống bằng một thế hiệu dịch ngoài đặt vào các cực.
Thời gian đáp ứng có thể đến dưới nano - giây nếu sử dụng một điện áp ngoại
và một điện trở RL = 50Ω .
Ví dụ: Cs = 10
-11F, RL = 50Ω , thì fmax = 300MHz, t = 1/(2pi fmax) = 0,6 ns
Khi năng lượng photon hv gần bằng vùng cấm, theo biểu thức (2.1) hệ
số hấp thụ giảm và độ thấm sâu của bức xạ tăng lên. Điều này làm tăng thời
gian thời gian đáp ứng do kéo dài thu gom các hạt tải.
Sự khuếch đại nội của dòng quang điện có thể đạt được bằng đi - ốt
thác lũ. Đây là loại đi - ốt có một điện thế dịch ngược trong đó các hạt tải tự
23
do đủ năng lượng trong trường gia tốc để sinh ra các hạt tải thứ cấp khi va
chạm vào nút mạng. Hệ số nhân tử M được xác định bằng số cặp điện tử - lỗ
trống sinh ra sau quá trình nhân thác lũ do một photon sinh ra ban đầu. Giá trị
M lên đến 106 đã được công bố cho loại đi - ốt silic có thể so sánh được với
nhân quang điện (PMT). Ưu điểm của các loại đi - ốt thác lũ này là sự đáp
ứng thời gian nhanh, nó giảm cùng với sự tăng thế hiệu dịch. Loại đầu đo này
có thể đạt được độ bán rộng lên đến 1012 Hz nếu như thế hiệu ngược đặt vào
đủ lớn mà không phá hủy đầu đo.
Để tránh sự thác lũ điện tử cảm ứng do các lỗ trống bị gia tốc theo
hướng ngược lại làm tăng ồn nhiễu, hệ số khuếch đại lỗ trống phải nhỏ hơn hệ
số khuếch đại điện tử. Điều này có thể đạt được bằng cách sắp xếp cấu trúc
các lớp theo dạng răng cưa bậc thang làm dốc sự phụ thuộc năng lượng vùng
Hình 2.2. Đi - ốt thác lũ: a) sơ đồ minh họa quá trình thác lũ hạt tải; b)
hệ số khuếch đại; c) sự biến đổi biên dải và vùng cấm khi không có
trường ngoài; d) điện trường bên trong
24
cấm ∆ Eg(x) trong trường theo hướng x. Trong trường ngoài, cấu trúc này làm
cho hệ số khuếch đại M của điện tử đạt được 50 - 100 lần so với lỗ trống.
Các đi - ốt thác lũ hiện đại có thể được xem như một nhân quang điện
rắn. Ưu điểm của nó là cho một hiệu suất lượng tử cao (cỡ 40%) mà điện áp
cung cấp thấp (10 - 20V). Nhược điểm của loại đầu đo này là diện tích thu
nhận ánh sáng khá nhỏ so với diện tích thu quang của PMT khá lớn.
2.1.2. Đầu đo nhân quang điện
Nhân quang điện thường là phương án lựa chọn để thu tín hiệu sáng
thấp. Chúng vượt qua một số giới hạn ồn nhiễu bằng sự khuếch đại nội dòng
quang điện khi sử dụng hiệu ứng phát xạ thứ cấp từ các đi - nốt bên trong để
nhân dòng quang điện. Các điện tử sinh ra sẽ được gia tốc bởi một điện áp
khoảng vài trăm vôn và hội tụ vào bề mặt điện cực (ví dụ Cu - Be). Hệ số
khuếch đại q phụ thuộc vào điện áp gia tốc U, góc tới bề mặt điện cực và vật
liệu chế tạo điện cực đi - nốt. Loại điển hình có U = 200V, q = 3÷5. Một nhân
quang điện có 10 đi - nốt có độ khuếch đại tổng cộng G = q10 ~ 105 ÷ 107. Mỗi
một điện tử trong một nhân quang điện có N đi - nốt sẽ sinh ra một dòng thác
điện tích có Q = qne và tương ứng có xung điện thế
(2.4)
Với C là điện dung của anot (bao gồm cả mối nối)
Ví dụ như G = 2×106, C = 30pF → V = 10 mV
Đối với các thí nghiệm yêu cầu phân giải thời gian cao, thời gian đáp
ứng cần ngắn nhất có thể. Chúng ta xét các hiệu ứng có thể đóng góp vào thời
gian tăng của xung anốt gây nên bởi thời gian truyền đối với các điện tử khác
nhau. Giả sử rằng một đơn điện tử từ quang âm cực được gia tốc đập vào đi -
nốt thứ nhất, vận tốc ban đầu của điện tử thứ cấp thay đổi bởi vì các điện tử
phát xạ ra từ độ sâu khác nhau của đi - nốt và năng lượng ban đầu của nó
25
thường trong khoảng giữa 0 và 5 eV. Thời gian truyền giữa hai bản mặt song
song có khoảng cách d và hiệu điện thế V là
2m
t d
eV
=
(2.5)
Đối với điện tử có khối lượng m với năng lượng ban đầu bằng 0. Các
điện tử có năng lượng ban đầu là Ekin sẽ đi tới điện cực bên cạnh sớm hơn
bằng số gia thời gian
1
2
kin
d
t mE
eV
∆ = (2.6)
Ví dụ: Ekin = 0,5eV, d = 1 cm, V = 250V, →∆ t1 = 0,1ns
Các điện tử di chuyển trong ống với độ dài khác nhau gây nên sự kéo
dài thời gian truyền một lượng là
2
2m
t d
eV
∆ = ∆ (2.7)
Giá trị này có biên độ tương tự như ∆ t1. Thời gian tăng của xung anot
khởi đầu bởi một đơn điện tử giảm khi tăng tỷ lệ điện áp tới V-1/2. Điều này
phụ thuộc vào yếu tố hình học và dạng cấu tạo của đi - nốt.
Với một chùm sáng mạnh sinh ra rất nhiều điện tử cùng lúc, sự kéo
dãn thời gian do hai nguyên nhân:
- Sự sai khác vận tốc ban đầu của các điện tử phát xạ ra
- Thời gian bay của điện tử từ quang âm cực đến đi - nốt đầu tiên phụ
thuộc vào vị trí của điếm tới trên âm cực mà tại đó phát xạ điện tử ra. Nó làm
cho sự kéo dãn thời gian đáng kể hơn các hiệu ứng khác. Điều này có thể
được hạn chế bằng dạng điện cực hội tụ giữa âm cực và đi - nốt đầu tiên và tối
ưu hóa điện áp giữa chúng. Thời gian chuyển dịch tăng của nhân quang điện
tiêu biểu là 5 ÷ 20 ns. Đối với một số loại nhân quang điện thiết kế đặc biệt có
thể giảm thời gian bay đến 0,2 ns.
26
2.1.3. Streak - Camera
Một thiết bị điện phức tạp hơn được sử dụng để đo lường xung laser
cực ngắn là Streak - Camera. Nó là một thiết bị dùng để đo lường các hiện
tượng quang học cực nhanh, nó ghi nhận và hiển thị sự phụ thuộc của cường
độ theo thời gian và vị trí (hay bước sóng). Nguyên tắc hoạt động của Streak -
Camera là biến đổi sự phân bố cường độ sáng theo thời gian thành sự phân bố
về độ chói của ảnh theo không gian trên màn huỳnh quang. Hiện nay Streak -
Camera là thiết bị duy nhất cho phép đo lường trực tiếp các hiện tượng quang
học cực nhanh với độ phân giải cao.
Hình 2.3. Sơ đồ nguyên lý hệ đo Streak - Camera
Sơ đồ nguyên lý cơ bản của kỹ thuật này được trình bày trong hình 2.3.
Các xung quang học với profile thời gian I(t) được hội tụ vào quang âm cực
để sinh ra các quang - điện tử Npe ~ I(t). Các điện tử sau đó được trải ra theo
phương z được cấu tạo dạng lưới có điện áp cao U. Chúng được gia tốc và tạo
ảnh trên màn huỳnh quang tại z = zs. Một cặp bản lái tia làm lệch các điện tử
theo hướng y. Nếu một điện áp tăng tuyến tính U(t) = U0(t - t0) được đặt vào
cặp bản lái tia, điểm hội tụ của các xung điện tử (ys(t), zs) trên màn hình phụ
thuộc vào thời gian t tính từ khi điện tử đi vào giữa bản lái tia. Sự phân bố
không gian trên màn hình sẽ biểu thị profile thời gian của xung ánh sáng được
ghi nhận.
Cường
độ
sáng
Tín hiệu trigger
Khe vào
Lưới gia tốc
Màn huỳnh
quang
Điện cực
quét
Ảnh trên màn
huỳnh quang
27
Khi ánh sáng tới được tạo ảnh trên khe vào của thiết bị, các quang -
điện tử được phân bố theo hướng x sẽ truyền hình ảnh của khe tới màn hình S.
Điều này cho phép quan sát thấy profile cường độ I(x,t) phân bố theo hướng x.
ví dụ như xung quang học được đưa tới một máy quang phổ có độ tán sắc
dλ /dx, profile cường độ I(x,t) làm lệch profile thời gian của các thành phần
phổ khác nhau do các giá trị x khác nhau. Sự phân bố của Npe (xs,ys) trên màn
hình S là profile thời gian của thành phần phổ.
Tại thời điểm t0 sự biến đổi điện áp U = (t - t0)U0 được mở bằng một
xung quang học. Do sự biến đổi điện áp có thời gian khởi động giới hạn và
một độ đáp ứng nhất định, các xung quang cần được làm trễ trước khi nó đưa
đến bản âm cực của camera. Điều đó bảo đảm rằng các quang - điện tử đi qua
bản lái tia suốt đoạn tuyến tính của sự biến đổi điện áp. Sự làm trễ quang học
có thể được thực hiện bằng các cơ cấu bên ngoài của thiết bị Streak - Camera
ví dụ như sử dụng một máy quang phổ.
Để đo một xung ánh sáng nhanh sử dụng Streak - Camera, cần phải có
khối triger và khối đọc tín hiệu. Khối trigger kiểm soát thời điểm mở quá trình
quét điểm ghi. Khối này phải điều chỉnh được sao cho việc quét điểm được bắt
đầu khi ánh sáng cần đo đi tới thiết bị. Vì mục đích này, ta dùng một bộ trễ để
kiểm soát độ dài tín hiệu trigger như thế nào để việc quét bắt đầu bị làm trễ và
một bộ chia tần số để chia tần số của tín hiệu trigger ngoài nếu như tần số lặp lại
của tín hiệu trigger rất cao. Trong trường hợp mà tại đó tín hiệu trigger không thể
đưa ra được từ một thiết bị như laser, nó phải được đưa ra từ một nguồn sáng tự
nó bằng một photodiod nhanh. Khối đọc tín hiệu dùng để đọc và phân tích hình
ảnh đưa ra trên màn hình đặt tại đầu ra của Streak - Camera.
Một Streak - Camera thương phẩm có thể lựa chọn thông số làm lệch
trong khoảng 100 ps/cm hoặc 1 ns/cm thì độ phân giải thời gian cho độ rộng phổ
0,1 nm là khoảng 1 ps. Trên thị trường hiện nay các Streak - Camera có độ phân
giải cao nhất của hãng Hamanatsu cho phép đo xung cực ngắn đến 400 fs.
28
2.2. Kỹ thuật đo đặc trưng thời gian gián tiếp
2.2.1. Kỹ thuật đếm đơn photon tương quan thời gian [14]
Kỹ thuật đếm đơn photon tương quan thời gian (Time correlated
single photon counting - TCSPC) được sử dụng để xác định phân bố photon
của một xung ánh sáng yếu có độ bán rộng thời gian nhỏ. Nguyên lý của kỹ
thuật này dựa trên sự chọn lọc thống kê sự xuất hiện của photon trong quá
trình ghi nhận.
Quá trình đếm đơn photon tương quan thời gian được trình bày trên
hình 2.4. Tín hiệu đầu đo bao gồm một chuỗi các các xung được phân bố
ngẫu nhiên do các photon được ghi nhận một cách riêng biệt. Có rất nhiều chu
kỳ đo không có một photon nào được ghi nhận. Các chu kỳ khác chỉ ghi nhận
duy nhất một photon xuất hiện trong một thời điểm nào đó. Khi một photon
được xác nhận, thời gian tương ứng với xung đo xuất hiện. Các sự kiện này
được tập hợp lại trong bộ nhớ bằng cách đếm thêm một đơn vị vào một vị trí
của ô nhớ tương ứng với thời gian xuất hiện sự kiện. Sau một khoảng thời
Hình 2.4. Sơ đồ nguyên lý đo đếm đơn photon tương quan thời gian
29
gian, tại từng vị trí của ô nhớ sẽ có một số đếm nhất định. Việc dựng lại biểu
đồ tần suất xuất hiện các photon theo thời gian cho ta biết dạng sóng của xung
quang học.
Mặc dầu thoạt nhìn kỹ thuật này có vẻ rất phức tạp nhưng nó có một số
các lợi ích sau:
- Sự phân giải thời gian chỉ phụ thuộc vào sự kéo dài thời gian bay của
điện tử trong đầu thu mà không phụ thuộc vào độ rộng xung ra của đầu thu.
- TCSPC có hiệu quả đếm gần hoàn hảo do đó nó có thể đạt được sự tối
ưu tỷ lệ tín hiệu/ ồn nhiễu đối với số photon đếm được.
- TCSPC có thể ghi nhận tín hiệu đồng thời từ một vài đầu thu.
- TCSPC có thể được tổ hợp với một kỹ thuật quét nhanh khác và do
đó được sử dụng như một thiết bị thu ảnh huỳnh quang phân giải thời gian
cao (FLIM) trong kính hiển vi đồng tiêu hay huỳnh quang hấp thụ hai photon.
Sơ đồ khối của kỹ thuật đếm đơn photon tương quan thời gian được
trình bày trên hình 2.5. Xung “start” mở cho bộ phân lập xung (discriminator)
bằng sườn trước của xung. Quá trình chuyển đổi thời gian biên độ bắt đầu
(TDC). Mạch điện sẽ tạo nên một điện áp có biên độ biến đổi tuyến tính theo
thời gian. Quá trình này sẽ diễn ra cho đến lúc xuất hiện một xung thứ hai
Hình 2.5. Sơ đồ khối nguyên lý kỹ thuật đếm đơn photon tương
quan thời gian
30
“stop” đánh dấu thời điểm kết thúc quá trình tăng biên độ. Xung “stop” xuất
hiện khi có một photon được ghi nhận do đó nó được đánh dấu thời gian
tương ứng với biên độ của xung ra theo phép quy đổi tuyến tính. Giá trị này
được lưu giữ trong bộ nhớ và được xếp vào một ô nhớ tương ứng trong bộ
chuyển đổi ADC.
a) Sự phân giải thời gian
Kỹ thuật TCSPC khác với phương pháp đo tương tự khác mà khi đó sự
phân giải thời gian phụ thuộc vào độ bán rộng của đầu đo xung. Thay vào đó,
đối với TCSPC sự di biến của khóa thời gian (timing) trong kênh xác định là
quan trọng nhất. Độ chính xác này được xác định bởi sự kéo dài thời gian lan
truyền của các xung đơn photon và sự di biến của mạch điện tử. Khi sử dụng
PMT làm đầu thu, độ bán rộng của hàm đáp ứng thiết bị (Instrument Function
Response - IFR) thường ngắn hơn 10 lần độ bán rộng của đáp ứng đầu đo.
Một số giá trị tiêu biểu của các đầu đo khác nhau được cho trong bảng 2.1.
Bảng 2.1. Một số thông số của các đầu thu khác nhau
Loại đầu thu Thời gian đáp ứng
Đầu thu PMT
- Loại chuẩn
- Loại tốc độ cao (XP2020)
0,6 - 1ns
0,35 ns
Đầu thu Hamamatsu TO8 PMT R5600, H5783 140 - 220 ps
PMT kiểu tấm vi kênh Hamamatsu R3809 25 - 30 ps
Photo - điốt thác lũ đơn photon 60 - 500 ps
b) Hiệu suất
Các kỹ thuật đo phân giải thời gian khác nhau thường khác biệt về khả
năng ghi nhận số photon so với số photon thực tế tới đầu đo. Đặc điểm của
các phương pháp thương liên quan đến số photon được nhận biết bị giới hạn
bởi độ ổn định của mẫu đo hay thời gian đo. Do đó hiệu suất ghi nhận là một
thông số quan trọng trong kỹ thuật được lựa chọn. Hiệu suất này được định
31
nghĩa bằng tỷ số giữa số photon ghi nhận thực tế Nrecorded, và số photon đến
được đầu thu Ndetected.
E = Ndetected/Nrecorded (2.8)
Do tỷ số tín hiệu trên ồn nhiễu là căn bậc hai của của số photon được
xác định nên hiệu suất cũng được tính bằng
E = (SNRreal/SNRideal)
2 (2.9)
So sánh hiệu suất của TCSPC với các kỹ thuật khác như boxcar, cổng
tần số kép đối với các sóng quang học biến điệu hình sin hoặc xung vuông
được cho trên hình 2.6. Kết quả đo của kỹ thuật TCSPC gần như hoàn thiện
đối với các xung có tần số đến 1 MHz. Nguyên nhân do kỹ thuật này không
dựa vào bất kỳ một quá trình biến điệu độ khuếch đại hoặc cổng ghi nhận.
Một đặc điểm khác nữa là kỹ thuật này hơn hẳn các kỹ thuật khác khi ứng
dụng ghi nhận tín hiệu có tần số cao đến 5 - 10MHz.
c) Độ nhậy
Độ nhậy của kỹ thuật TCSPC bị giới hạn bởi số đếm tín hiệu “tối” của
đầu đo. Việc xác định độ nhậy bằng cường độ mà tại đó tín hiệu bằng ồn
nhiễu của tín hiệu tối theo phương trình sau:
Hình 2.6. Độ phân giải thời gian của các kỹ thuật đo
32
1/ 2
d
N
R
T
S
Q
= (2.10)
trong đó Rd = số đếm photon “tối”; N = số kênh thời gian; Q = hiệu suất
lượng tử của đầu đo; T = khoảng thời gian đo.
Các giá trị tiêu biểu (PMT với quang âm cực kiềm không làm lạnh) là
Rd = 300s
-1, N = 256, Q = 0,1 và T = 100s tương ứng với độ nhậy S = 280
photon/s. Giá trị này là nhỏ hơn 1015 lần công suất của một laser thông dụng
(1018 photon/s). Do đó, khi một mẫu đo huỳnh quang được kích thích bằng
laser, sự phát xạ có thể đo được với hiệu suất chuyển đổi đến 10-15.
d) Độ chính xác
Độ chính xác của phép đo dựa trên độ lệch chuẩn của số photon ghi
nhận được trong từng kênh riêng biệt. Với một số photon N đã biết, tỷ số tín
hiệu trên ồn nhiễu là SNR-1/2. Nếu như cường độ sáng không quá mạnh, tất
cả các photon đo được tham gia vào kết quả đo. Thêm vào nữa, Trong kỹ
thuật TCSPC các hiện tượng dòng dò, sự không ổn định của độ khuếch đại,
hoặc cơ chế khuếch đại ngẫu nhiên của đầu thu không xuất hiện trong kết
quả đo. Một ưu điểm nữa của kỹ thuật này là cải thiện được tỷ số tín hiệu
trên ồn nhiễu (SNR).
2.2.2. Kỹ thuật đo phân giải cổng tần số (FROG) [15]
Chúng ta đã thấy phương
pháp đo tự tương quan là đối
xứng và do đó không cung cấp
được bất cứ thông tin nào về sự
không đối xứng của xung
quang. Trường hợp này kỹ thuật
đo FROG thuận lợi hơn do nó
cho phép đo được sự tương
Hình 2.7. Sơ đồ cấu hình hệ đo FROG
33
quan bậc ba. Cấu hình cơ bản của nó được mô tả trong hình 2.7. Cũng như kỹ
thuật tự tương quan khác, chùm tới được cắt ra bởi một tấm chia có phân cực
thành hai chùm thành phần với biên độ E1 và E2. Chùm dò có biên độ E1 đi
qua một cái đóng ngắt (Kerr shutter) được mở trễ hơn bởi thành phần E2(t –
τ ) của xung tương tự. Tín hiệu truyền qua cổng Kerr là
( ) ( ) ( ), .sE t E t g tτ τ∝ − (2.11)
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- luan_van_nghien_cuu_tinh_toan_xay_dung_he_do_do_rong_xung_la.pdf